一种基于半分析法的HEMT小信号参数的提取方法

提出了一种基于半分析法的高速电子迁移率半导体晶体管小信号模型的提取方法.此方法是用测试结构的方法来提取焊盘电容和寄生电感,半分析法来提取寄生电阻,提高了寄生电阻的提取精度.在频率高达40 GHz的范围内,多偏置情况下模拟的S参数和测试的S参数曲线吻合良好,证明这种方法是正确的.     

110 GHz铟磷异质结双极晶体管小信号模型参数提取方法

介绍了一种可以用于频率高达110GHz的InP基HBT小信号模型模型参数提取方法, 并且在所提出的模型中考虑了基极馈线的趋肤效应.该方法将直接提取和优化技术相结合, 将本征参数描述为寄生电阻的系列函数进行后续优化.实验结果表明在2～110GHz频率范围内S参数吻合很好.     

一种新的HEMT小信号模型参数提取方法

介绍了一种高电子迁移率晶体管(HEMT)的小信号参数提取方法——综合多偏置点优化参数提取法。该文首先推导并提出了器件的模型、确定外部参数和内部参数，其次介绍了多偏置点优化算法。最后，以PHEMT器件为例进行鲁棒性和精确性测试，实验采用一系列随机起始值，结果表明，提取的参数值与经验值相差小于1％。     

GaN HEMT器件微波噪声模型参数提取

介绍了两种可以用于GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件建模的噪声模型,Pu-cel等效电路噪声模型和Pospieszalski温度噪声模型.基于Pucel等效电路噪声模型,介绍了利用器件本征噪声参数推导Pucel噪声模型参数的过程,并且给出了微波噪声模型参数的表达式.利用上述方法,针对200 μm栅宽的GaN HEMT器件,提取了噪声模型参数值,并且在ADS仿真软件平台上建立了GaN HEMT器件的Pucel等效电路噪声模型,仿真结果与实测结果在频率为4～18 GHz带宽内吻合较好,说明提出的噪声模型参数提取方法对于GaN HEMT器件噪声仿真的实用性和准确性.     

一种新颖的HEMT小信号模型参数直接提取方法

建立了一套完整的直接提取高电子迁移率器件(HEMT)小信号模型等效电路参数的新方法。采用Open去嵌图形对器件寄生电容进行近似提取,避免了ColdFET方法提取的寄生参数为负值的现象;通过Yong Long方法对寄生源电阻进行提取,减少了模型参数提取复杂度。与其它文献报道的小信号模型参数提取方法相比,该方法物理意义简明清晰,提取速度快,并且对新材料、新器件结构有较强的实用性。     

一种HEMT器件可缩放的非线性紧凑模型

提供了一种应用于高电子迁移率晶体管(HEMT)的非线性紧凑模型。该模型针对传统的EE-HEMT模型理想缩放规律不准确的问题,提出采用一元函数拟合、二元曲面拟合方法,对其尺寸缩放和温度缩放规律进行修正。修正后的非线性模型可以准确地模拟HEMT器件的直流I-U、S参数和大信号特性。并将该模型应用于一款0.25 μm栅长的GaAs pHEMT工艺,对比不同尺寸的器件在高低温条件下模型仿真结果和实测结果,两者吻合良好,验证了该模型的准确性。     

一种基于ASM-HEMT模型改进陷阱效应的GaN HEMT器件非线性模型

GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件受制于陷阱效应,建立准确的非线性模型非常困难。介绍了表面势物理基高电子迁移率高级电路模型(ASM-HEMT),分析了标准ASM-HEMT模型在表征陷阱效应方面的不足,进而建立了新的陷阱模型电路拓扑及模型方程,新陷阱模型可以更好地表征器件陷阱俘获和释放电子的不对称性。基于0.25μm GaN HEMT器件,进行了脉冲I-V、多偏置S参数、负载牵引仿真及测试,并对新模型进行参数提取和建模。经过对比仿真和测试结果发现,新模型的仿真结果与实测结果比标准ASM-HEMT模型更加吻合,说明新模型表征陷阱效应更加准确,提升了模型的准确性,进而提高GaN HEMT功率放大器设计仿真的准确性。     

毫米波GaN HEMT器件大信号模型

介绍了一种毫米波GaN基HEMT器件大信号等效电路模型。该模型采用SDD的建模方法。提出了I-V及C-V表达式,完成了直流及S参数的拟合,并分析了拟合结果。与18GHz的在片loadpull测试结果比较,模型仿真结果显示输出功率及效率与实测数据基本一致。     

一种改进EE_HEMT电容方程的GaN HEMT器件模型

在传统的EE_HEMT模型基础上,通过修改电容方程,得到一个新的可适用于GaN HEMT器件的模型。新电容模型主要通过tanh函数拟合和的变化趋势。在ICCAP软件中,完成新模型参数的提取;在ADS软件中,完成S参数仿真和负载牵引仿真,并与实测结果进行了对比,最大功率点性能拟合效果得到改善。文中描述的新模型,可在一定程度上提高GaN HEMT模型仿真精度。     

High linearity performances of GaN HEMT devices on silicon substrate at 4 GHz

In this letter, we demonstrate that, for high linearity application, GaN devices benefit from their high drain-source bias voltages. An improvement up to 20 dB in intermodulation ratio can be observed at high power levels compared to usual GaAs PHEMT devices. This study demonstrates that the high bandgap GaN devices are ideal candidates for the applications requiring high power and linearity simultaneously.     

基于改进三点测量法的圆径测量研究

三点测量圆度误差分离技术被广泛应用于工件形状的圆度误差和电机旋转的回转误差的分离算法中。而圆度误差能得以准确分离的关键在于合理配置三个位移传感器测头的安装角度,从而避免传递函数的分母为零的情况出现。然而,在具体实施过程中,位移传感器测头的角度安装误差是必然存在的,这就使得分析这一角度安装误差带来的影响变得尤为重要。基于经典的三点测量法模型,提出一种新的分析位移传感器测头的角度安装误差的模型。以三点测量法圆度测量中的圆径结果为目标,根据实际工况下的各种参数设置,定量分析了位移传感器测头的角度安装误差对最终结果的影响程度。最后,使用电容位移传感器开展工件外圆的圆径测量实验研究,确认了文中误差分析的有效性,圆径测量的重复性精度可以达到2 m以下。     

一种改进的三坐标雷达测高方法

针对三坐标雷达双波束测高精度低及高度突跳问题,提出四波束测高方法,该方法在满足信号处理能力的情况下,采用四波束测量,利用回波幅度较大的两个波束进行仰角测量。用雷达设备进行实际测飞实验,测飞结果表明,该方法可以有效地提高测高精度,改善高度突跳现象。     

一种改进的基于ICA的信号增强方法

根据一路带噪信号，采用独立分量分析方法去除加性噪声，从理论上讲就是在观测信号向量的维数小于源信号向量维数情况下的独立分量分析问题。问题的关键是如何构造另一路观测信号，使问题有解。文中提出了一种改进的构造方法，这种方法非常简便，实验结果表明其分离性能比较理想。     

An on-wafer test structure to measure the effect of thermally-induced stress on silicon devices

We have developed a new on-wafer test structure to monitor the effect of stress on the electrical properties of semiconductor devices. We have fabricated this structure on two wafers with different oxygen concentrations. We show that we can directly relate the effect of thermally-induced stress to the oxygen concentration in the wafer by means of simple electrical parameters measurement. This simple measurement technique appears to be very sensitive to small variations of stress fields in silicon devices.     

基于90 nm InP HEMT工艺的220 GHz功率放大器设计

基于90 nm InP HEMT工艺,设计了一款220 GHz功率放大器太赫兹单片集成电路,该放大器采用片上威尔金森功分器结构实现了两路五级共源放大器的功率合成。在片测试结果表明,200~230 GHz频率范围内,功率放大器小信号增益平均值18 dB。频率为210~230 GHz范围内该MMIC放大器饱和输出功率优于15.8 mW,在223 GHz时最高输出功率达到20.9 mW,放大器芯片尺寸为2.18 mm×2.40 mm。     

一种改进的延时估计距离测量方法

首先对超声探头安装进行了研究,提出了提升信噪比的一种方法,再者结合现有的时延估计方法,并提出了内插和峰值检测相结合的延时估计算法,用实测的超声测距信号进行了仿真研究,通过多组测试数据统计,验证本中文提出的算法具有较高的时延估计精度。综合在这两方面的分析研究,提出了一种改进的延时估计距离测量方法。可以使测量得到的峰值和真实值间基本一致,使峰值检测误差减少到了5%左右,使测量误差达减少到毫米级,具有较高的测量精度。     

一种利用运动补偿的改进JPDA-UKF算法

在恒虚警条件下,针对传统的航海雷达模拟器目标跟踪采用的基于不敏卡尔曼滤波的联合概率数据互联算法( JPDA-UKF)发散、复杂度高和实时性差的问题,提出了一种利用运动补偿的笛卡尔坐标下改进的JPDA-UKF滤波方法。该算法引入相邻周期回波间运动补偿提取的目标量测可信度矩阵,限制进入跟踪门相交区域中的虚假量测数量,并将软跟踪门技术应用于滑窗逻辑法实现航迹管理。仿真结果表明,所提方法径向速度误差比传统的JPDA-UKF算法与自适应的α-β滤波算法分别降低10%和20%,目标获得稳定航迹后径向速度归一化均方根误差( RMSE)比上述两种方法分别具有约10 dB和15 dB的性能优势,算法的复杂度符合真实雷达的边扫描边跟踪的实时处理。     

基于光纤位移测量的透明液体折射率测量方法

本文提出了一种基于光纤位移测量的液体折射率测量方法。首先,采用激光干涉法设计了 液体折射率测量的光学系统,并基于激光散斑消除理论,设计了针孔滤波器合理消除散斑, 提高了系统的抗干扰能力;其次,对测量系统中的位移测量方法进行分析和研究,提出了 一种光纤式位移测量方法,并设计应用反射式光纤位移传感器,取消传统的条纹计数,实 现了位移的高精度测量,其测量分辨力可达微米级;再次,采用机械位移驱动系统,驱动 光学系统元件移动来实现光程差的自动变化,其驱动分辨力可达纳米级;最后,搭建液体 折射率总体测量演示验证系统,以纯水、溶液为实验对象,其所需待测样品的容量少 于0.001ml。实验结果表明:纯水折射率 的测量精度可达1.5×10－3, 溶液折射率测量精度可达2.1×10－3,表明该测量方法可实现液体折射率的非接触、高精度 、智能测量。     

一种改进的基于Ripplet变换的多聚焦图像融合方法

针对多聚焦图像在融合时容易产生边缘模糊现象 并损失清晰区域对比度的缺点,基于能有效描述图像边 缘的Ripplet变换(RT),提出一种改进的多聚焦图像融合方法。首先,通过离散RT(type-I) 获 得分解后的高频和低频 子带系数,对于低频子带系数,采用非下采样轮廓波变换(NSCT)进行3层系数融合,而对于 高频子带系数,采用正交匹配 追踪(OMP)算法求解其对应过完备字典的稀疏表示系数;然后通过系数向量的活跃度规则进 行系数融合,并构造其对应的系 数矩阵;最后通过反RT得到最终的融合图像。实验结果表明,本文算法能很好 保持多聚焦图像的边缘轮廓 和清晰部分的对比度,并且在客观评价上,本文算法在互信息、边缘保持度等指标上均具有 一定的优势。