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镀铬基片全息光栅光刻胶掩模槽形参量光谱检测方法 总被引:7,自引:1,他引:7
为了检测全息光栅掩模槽形,运用严格耦合波理论(RCWT)分析镀铬基片光栅光刻胶掩模反射0级衍射效率光谱曲线与槽形参量的关系。测量了400~700 nm波长范围内60°入射角条件下的镀铬基片全息光栅光刻胶掩模反射0级衍射效率光谱曲线。将实验曲线与不同槽形参数对应理论曲线相减、求标准差进行匹配,标准差最小者为匹配结果,从而找到被测掩模的槽深和占宽比(光栅齿宽占光栅周期的百分比)。结果表明,该方法图形匹配速度快,误差容限大,匹配结果与电镜结果相符。对于要求同时检测矩形或接近矩形槽形的全息光刻胶光栅掩模的槽深和占宽比,该方法完全适用。 相似文献
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啁啾长周期光纤光栅的滤波特性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
基于光纤光栅耦合模理论,采用传输矩阵法对啁啾长周期光纤光栅的啁啾系数和光栅参量(光栅长度、光栅周期和折变量)对其滤波特性的影响进行分析。当啁啾系数处于-0.000008~-0.0004 nm/cm范围内时,可用于宽带带阻滤波器。当啁啾系数处于-0.05~-1 nm/cm范围内时,可用于多通道窄带滤波器。为啁啾光纤光栅滤波器的优化设计提供理论依据。 相似文献
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首先介绍了不同种双折射率差Δn的光纤制成的啁啾光纤光栅中偏振模色散现象 ,然后说明了光栅中偏振模色散的大小与 Δ n的相关性 ,并阐述了对用于色散补偿作用的啁啾光纤光栅中偏振模色散的消除 (补偿 )方法 ,最后指出利用啁啾光纤光栅中大的偏振模色散对高速光通信系统传输线路中偏振模色散的补偿方法。 相似文献
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本文理论地研究了啁啾光纤光栅色散补偿迹耦合函数,将两个耦合方程推导一个Riccati微分方程然后通过Runge-Kutta法求解在不同耦合函数下啁啾光纤光栅的反射,色散和群时延,系统地讨论了和比较了两种合函数下的啁光纤光栅补偿性能。 相似文献
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基于均匀布拉格光纤光栅的色散特性,阐述丁激光啁啾脉冲的传输演变特性,研究了工作于传输方式的非啁啾光纤光栅的透射传输特性。讨论了光源线宽、光栅长度、光栅耦合系数等光栅参数以及初始脉宽、初始啁啾等参量对补偿光纤长度的影响,通过理论计算和模拟实验研究光栅对脉冲的补偿能力。 相似文献
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以AZl500光刻胶为例,将氧气作为工作气体的反应离子束刻蚀工艺用于光刻胶图形的灰化处理,以去除经紫外曝光-显影后光栅中的残余光刻胶。研究结果表明灰化速率有随束流密度呈线性增加的趋势。经过反应离子束刻蚀后,光栅槽底残余光刻胶被去除干净,同时线条的宽度变细,在一定程度上达到修正光刻胶光栅线条占空比的目的。用原子力显微镜检测,无光刻胶的K9基片表面在灰化工艺前后其粗糙度无明显变化。该工艺具有良好的可控性,解决了在厚基片上制作大口径衍射光学元件时残余光刻胶的去除问题。 相似文献
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G. Jäger-Waldau H. -U. Habermeier G. Zwicker E. Bucher 《Journal of Electronic Materials》1994,23(4):363-367
Reactive ion etching and reactive ion beam etching are common tools for anisotropic etch processes in silicon microdevice
fabrication; but, unfortunately, they also create radiation damage in the etched surface. We have studied the electrically
active defects by measuring the recombination of carriers with the help of the electron beam induced current (EBIC) mode of
a secondary electron microscope. We have measured the temperature behavior of the samples by annealing studies and the temperature
dependent EBIC signal for several p-doped silicon wafers and obtained different shaped curves. Theoretical EBIC models developed
with the assumption of a reduced net carrier concentration in the etched areas agree with our experimental results. 相似文献
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用水平集方法建立了碲镉汞的离子束刻蚀轮廓的数值模型,模型的输入参数包括掩膜厚度、掩膜侧壁倾角、掩膜沟槽宽度、离子束散角、刻蚀速度等参数.对碲镉汞的刻蚀轮廓和刻蚀速度减缓现象进行了模拟和实验验证,结果表明,在沟槽宽度为4~10μm的范围内,计算得到的刻蚀深度和SEM测量结果相差6~20%.对掩膜的轮廓演变进行了模拟,给出了一个优化设计掩膜厚度来提高深宽比的实例. 相似文献
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介绍了采用单环微谐振器的光滤波器的基本原理,详细介绍了旋转抛涂法、真空蒸发法、光刻及反应离子刻蚀法等制备微环谐振器的工艺过程。波导包层材料采用甲基内稀酸甲酯-甲基丙稀酸环氧丙酯共聚物,以双酚A环氧树脂为高折射率调节剂,采用二者在共聚物中的不同配比来调节芯层材料的折射率。最后给出了实验结果。 相似文献
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反应离子深刻蚀中硅/玻璃结构footing效应的实验研究 总被引:1,自引:1,他引:0
针对反应离子深刻蚀中硅/玻璃键合结构的footing效应问题,用实验方法进行了研究.通过2~4和0.01~0.03Ω·cm两种不同电导率的硅结构过刻蚀的对比,以及对50,20和5μm三组不同间隙高度的器件结构过刻蚀的对比,揭示了单晶硅结构的电导率及器件结构和玻璃衬底间隙高度对footing效应的影响.实验结果显示电导率为2~4Ω·cm的硅结构比电导率为0.01~0.03Ω·cm的硅结构footing效应严重;硅结构和玻璃衬底的间隙为5μm的比间隙为20和50μm的footing效应严重, 对这一现象的理论分析认为,被刻蚀的硅的电导率越高, 硅结构与玻璃衬底的间隙越大,footing效应越不明显.本文中不同电导率和不同间隙高度的实验对比结果可以为硅微传感器材料类型的选取和器件的优化设计提供参考. 相似文献
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针对反应离子深刻蚀中硅/玻璃键合结构的footing效应问题,用实验方法进行了研究.通过2~4和0.01~0.03Ω·cm两种不同电导率的硅结构过刻蚀的对比,以及对50,20和5μm三组不同间隙高度的器件结构过刻蚀的对比,揭示了单晶硅结构的电导率及器件结构和玻璃衬底间隙高度对footing效应的影响.实验结果显示电导率为2~4Ω·cm的硅结构比电导率为0.01~0.03Ω·cm的硅结构footing效应严重;硅结构和玻璃衬底的间隙为5μm的比间隙为20和50μm的footing效应严重, 对这一现象的理论分析认为,被刻蚀的硅的电导率越高, 硅结构与玻璃衬底的间隙越大,footing效应越不明显.本文中不同电导率和不同间隙高度的实验对比结果可以为硅微传感器材料类型的选取和器件的优化设计提供参考. 相似文献
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Ar/CHF3反应离子束刻蚀SiO2的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了Ar/CHF3反应离子束刻蚀和离子束入射角对图形侧壁陡直度及刻蚀选择比的影响.使用紫外曝光技术在SiO2基片上获得光刻胶掩模图形,采用Ar+CHF3来刻蚀石英基片,调节二者的流量配比,混合后通入离子源.在Ar和CHF3的流量比为12,总压强为2×10-2 Pa,离子束流能量为450 eV,束流为80 mA,加速电压220 V~240 V,离子束入射角15°并旋转样品台的情况下,刻蚀20 min后,得到光栅剖面倾角陡直度为80°~90°.同时发现,添加CHF3后,提高了SiO2的刻蚀速率和刻蚀SiO2与光刻胶的选择比,最高可达71. 相似文献