CMOS图像传感器4T像素本底噪声分析

为了抑制本底噪声,提高图像动态范围,首先给出CMOS图像传感器的4T像素结构,分析该结构下的基本噪声源.然后,分别讨论了各本底噪声分量的形成及对信号的影响,并以噪声电子数的形式对各噪声分量进行了定量分析,提出了相应的噪声抑制措施,且进行了仿真验证.     

基于4T像素结构的CMOS图像传感器设计

传统的CMOS图像传感器采用3T像素结构,但由于自身结构的关系,整体性能难以满足较高的要求,4T像素结构应运而生,它比3T像素有更小的噪声,更好的性能;同时要求控制部分更加复杂。文中介绍了基于一种4T像素结构的图像传感器的设计。     

640像素×480像素CMOS图像传感器

飞利浦半导体公司推出了640像素×480像素CMOS图像传感器,该产品采用32管脚的小型CLCC(ceramic leaded chip carrier)封装。产品名为“UPA1021”。电源电压为 3.3V,30帧/秒输出数据时的消耗功率为75mW,待机模式时的消耗功率小于1mW。产品配备9bit A-D转换器。 UPA1021的光传感器部分大小只有5.6μm×5.6μm,从而可将芯片缩小到能够     

800万像素智能手机图像传感器

AR0832E是一款1／3．2英寸光学格式、800万像素传感器,拥有1．4微米BSI像素,可拍出精致图像,将使众多智能手机相机可以具备数码相机的性能。     

200万像素的CCD图像传感器

日本东芝公司的研究人员最近成功地研制了一种200万像素的电荷耦合器件(CCD)图像传感器。该图像传感器可用于高清晰度电视(HDTV)系统。制造这样大像素的CCD图像传感器的主要问题是如何保持灵敏度和动态范围(能产生对比度令人满意的图像的亮度范围)。东芝公司的研究人员想出了一种新的图像传感器设计方法,以解决这一问题,即在传统的CCD结构上覆一个附加层。这个新的附加层由非结     

简化4T像素结构CMOS图像传感器设计与实现

阐述了一种简化4T像素结构的设计。较普通4T像素结构而言,该简化结构像素内部去掉了行选通管,从而提高了像素的填充因子,简化了内部电路设计,减小了版图的面积,消除了行选通管引入的随机噪声。该像素结构采用0.11μm CIS工艺,成功应用于一款像素阵列为640×480的CMOS图像传感器芯片,经过流片测试,芯片整体性能达到了预期的设计目标。     

38万个像素的CCD图像传感器

日本得克萨斯仪器(TI)公司出售4种像素数为38万个的高分辨率CCD图像传感器。该传感器具有兰光灵敏度高,暗电流低,接收光的灵敏度高、均匀,单相时钟工作、抗光晕性能高等优点。该器件的摄像面(光敏面)尺寸是2/3时,是帧转移型传感器。这4种器件是“VID267”(彩色—NTSC制式),“VID272”(黑白NTSC制式),“VID220”(黑白PAL制式),“VID263”(黑白)。其中VID267和VID     

CMOS有源像素图像传感器的噪声控制技术

分析了CMOS有源像素图像传感器(APS)的噪声种类及各自产生的原因,介绍了对于不同噪声的噪声控制技术.     

Apfina推出800万像素智能手机图像传感器

Aptina日前宣布AR0832E背照式（BSI）图像传感器准备进入生产阶段,其庞大的产品组合将得以扩大。AR0832E是一款1／312英寸光学格式、800万像素传感器,拥有1．4微米BSI像素,可拍出精致图像,将使众多智能手机相机可以具备数码相机的性能。     

百万像素CMOS移动图像传感器SOC上市

凭借业界领先的DRAM工艺,美光科技(Micron Techology)针对个人移动终端市场推出了包括130万像素CMOS移动图像传感器、并具有丰富图像处理功能的SOC产品MT9M111.这是其在今年2月份发布的30万像素COMS移动图像传感器SOC产品MT9V111的升级版本,因为根据美光科技的预测,到2005年百万级像素的移动COMS传感器的出货量将超过目前占市场主流的30万VGA产品,因此MT9M111的推出带有明显的预热市场的意味.     

a-SiTFT/PIN图像传感器件

在模拟计算以 a- Si TFT为有源开关 ,以 a- Si PIN为光敏源的有源成像器件工作特性与各单元元件关系的基础上 ,详细讨论了单元器件的材料、物理参数对 a- Si TFT/PIN耦合对特性的影响 ,并给出一定试验结果 .用 L ED光源照射 a- Si PIN的光电转换率可达 18.1n A/lx,a- Si TFT/PIN有较好的线性度     

128光敏单元线型电荷耦合图像传感器

巳制成一种三相多晶硅栅结构的线型电荷耦合摄像器,该固体摄像器具有128光敏单元。图像信息采用双信道传输,片上放大器采用 p 沟道硅栅自对准 MOS管。在100千赫的驱动频率下测得的电注入转移效率达到99.994％。本器件的制作采用了较先进的工艺步骤。     

Cypress推出300万像素CMOS图像传感器

目前，用于数码相机的图像传感器仍被CCD所掌控，而在可拍照手机方面，CMOS图像传感器的发展势头相当迅猛，虽然现在这一市场的主力军是VGA，但CMOS图像传感器的市场占有率有望在2006年与VGA持平，继而成为可拍照手机的主导配置。多家厂商也都在角逐该市场，纷纷推出130万、300万像素乃至更高分辨率的CMOS图像传感器，以求占得先机。     

赛普拉斯300万像素CMOS图像传感器

赛普拉斯半导体公司（Cypress Semiconductor）宣布针对照相手机市场推出高质量、低成本的300万像素CMOS图像传感器CYIWOSC3000A。这款新型传感器采用较低分辨率设备常用的1／3英寸光格式提供高分辨率图像，使得制造商无需安装新的光学透镜即可实现其产品的升级换代。     

安华高科技推出130万像素图像传感器

Avago Technologies(安华高科技)宣布推出第一款采用先进图像处理技术(包括点测光功能)的1/5英寸光学格式,130万像素小型(SFF)CMOS图像传感器ADCC-3100,进军新兴的小型图像传感器产品市场,以满足手机市场不断变化的需求。小型CMOS传感器在小型封装     

百万像素CMOS移动图像传感器SOC上市

继在通信、打印机、数字娱乐等领域建立稳固的市场地位之后,PMC-Sierra正在考虑将其掌握的基于64位MIPS架构的微处理器技术引入新的市场应用领域.日前其向中国市场推出同样是建立在64位MIPS架构基础上的被命名为"小虎(PMC Xiao Hu)"的开发工具包,并与中国的技术合作伙伴一起发布了共同研发的两款采用小虎参考设计板--其用意非常明显,就是要藉此在处于"婴儿"阶段的中国网络计算机/瘦客户终端市场赢得先机.     

用于手机摄像头的200万像素图像传感器

200万像素MT9D015可以在不占用集成商处理器功能的前提下,提供一套能增强手机摄像头应用的高级功能。该传感器的1．75μm像素采用最新一代的Aptina A-Pix技术,带来一款拥有出色动态范围和高敏感度的200万像素传感器。该传感器支持每秒30帧全分辨率拍照,拍照间隔时间更短,     

CMOS有源像素图像传感器的辐照损伤效应

互补金属氧化物半导体(CMOS)有源像素(APS)图像传感器作为光电成像系统的核心器件,被广泛应用在空间辐射或核辐射环境中,辐照损伤是导致其性能退化,甚至功能失效的主要原因之一。阐述了不同辐射粒子或射线辐照损伤诱发CMOS APS图像传感器产生位移效应、总剂量效应和单粒子效应的损伤物理机制。综述和分析了辐照损伤诱发CMOS APS图像传感器暗信号增大、量子效率减小、饱和输出电压减小、噪声增大以及暗信号尖峰和随机电码信号(RTS)产生的实验规律和损伤机理。归纳并提出了CMOS APS图像传感器辐照损伤效应研究亟待解决的问题。     

采用增强型像素构架的200万像素CMOS图像传感器 在高分辨率下高速撷取图像

ADCC-4050是1／4英寸光学格式CMOS图像传感器。其采用了Avago Technologies的增强型像素架构和第八代图像信号传输处理技术，改善了图像输出延迟的现象。