锡-苯基萤光酮-CTMAB光度法测定高硅铝合金中痕量锡

随着胶束增溶分光光度法的应用,痕量锡的测定有了进一步的发展,本文应用在1.8N硫酸介质中,Sn-苯基萤光酮(PF)-CTMAB形成浅红色可溶性络合物,其最大吸收峰在505nm处,ε为1.8×10~5。该络合物     

酸碱滴定法快速测定硅锰铝合金中硅

利用氟硅酸钾溶解于沸水中生成氢氟酸的原理。试样以硝酸、氢氟酸溶解，硅转化为硅氟酸，加入硝酸钾生成氟硅酸钾沉淀。经过滤、洗涤沉淀中的游离酸后，溶解于中性沸水中，生成氢氟酸，以溴麝香草酚蓝为指示剂，用氢氧化钠标准溶液滴定游离出的氢氟酸，借此测定硅锰铝合金中硅含量，其相对标准偏差小于0．0796％。     

苯基荧光酮光度法测定硅铁合金中痕量锡

硅铁合金试样以王水—氢氟酸分解 ,硫酸冒烟驱除残余氢氟酸 ,用铍载体沉淀分离 -苯基荧光酮光度法进行痕量锡的测定 ,加标回收及标样分析结果令人满意。该法准确、可靠 ,可测定硅铁合金中低至 0.0 0 0 1 %的锡。     

铝及铝合金中锡的极谱测定

本法采用氢氧化钠,过氧化氢溶解样,调节酸度后,以EDTA络合主体铝,以铍盐作为聚集剂,用氨水沉淀锡与干扰元素分离,沉淀直接用盐酸－氯化铵底液溶解,极谱法测定,操作简便快速,适用于各种铝合金中0．001％以上锡的测定。结果良好,增量回收率为96－102％。     

硅铝合金中硫含量测定结果的不确定度评定

采用红外吸收法测定硅铝合金中的微量硫,对硫测定结果的不确定度进行了评估.评估后认为,按此方法测定硫,称量和标液定容不是影响硫测定不确定度的主要因素.     

硅钼蓝光度法快速测定钼铁、钒铁中硅含量

研究了用硅钼蓝比色法测定钼铁、钒铁的硅含量.比较了不同比例的硝酸,盐酸混合酸(H=4M)溶样对测定结果的影响.结果表明,对于硅质量分数小于2.00%样品,所测结果准确度高.     

Sn（Ⅳ）—DBPF—H2QS—CTMAB显色体系的研究

在0.24～0.40mol／L H     

铝合金中高含量硅的快速分析

在铝合金中高含量硅的快速分析方法的研究中，利用８２例全示差分光光度计对硅钼黄、硅钼蓝发色条件及稳定性进行了实验，结果为：采用抗坏血酸－１－氨基－２－萘酚－４－磺酸－亚硫酸钠混合溶液来提高还原速率，用二氧化２，５－二氢噻吩作β－硅钼酸的稳定剂。该方法稳定性好、灵敏度高、准确简便。     

ICP-AES法直接测定70钛铁中V,Sn

建立了一个简捷、快速、实用的 70钛铁中V和Sn的电感耦合等离子体原子发射光谱 (ICP -AES)测定方法。避免了繁杂的分离富集手续 ,直接对 70钛铁试样溶液同时进行V和Sn的测定 ,试验了基体及共存元素干扰情况 ,优化了仪器工作条件。方法的检出限分别为DL(V) =0.0 0 0 2 % (质量分数 ) ,DL(Sn) =0.0 0 0 7% (质量分数 ) ;RSD小于 2 % ;V和Sn的回收率分别为 10 3.9%和 10 0. 5 %。     

碘酸钾滴定法测定铝铜中间合金中锡

采用氢氧化钠、过氧化氢溶解试样后,加入盐酸,在隔绝空气的条件下,以氯化汞为催化剂,采用次亚磷酸钠将高价锡还原至二价,将溶液冷却至10℃以下,用碘酸钾滴定法测定了铝铜中间合金中锡的含量。实验表明,在滴定前加入5mL250g/L的硫氰酸铵溶液与Cu(I)生成硫氰酸亚铜沉淀可消除铜的干扰,而其它共存杂质元素不干扰测定。方法对与铝铜中间合金基体相同的铸造铝合金标准样品中的锡元素进行多次测定,测定结果与认定值相符,相对标准偏差在1.5%～3.6%(n=8)之间,相对误差在0.0%～1.6%之间。     

硅钼蓝分光光度法测定钒铝合金中硅

采用硝酸和盐酸分解样品,试液经煮沸除去氧氮化物后,用亚硫酸钠将五价钒还原为四价钒。微酸性溶液中,钼酸铵与正硅酸作用生成硅钼黄杂多酸,用硫酸亚铁铵将硅钼黄还原成硅钼蓝,建立了硅钼蓝分光光度法测定钒铝合金中硅的方法。结果表明,显色液中硅质量浓度在0.01～2.47 μg/mL范围内符合比尔定律,校准曲线的线性回归方程为y=4.433 x,相关系数R²=0.999 3。方法中硅的检出限和测定下限分别为0.003 3%和0.011%(质量分数)。实验方法应用于钒铝合金样品中硅的测定,测定结果的相对标准偏差(RSD,n=8)为0.17%～0.52%;加标回收率为99%～102%。按照实验方法测定钒铝合金样品中硅,结果与使用电感耦合等离子体原子发射光谱法的测定结果一致。     

微波消解ICP-AES法测定铝合金中高含量硅

详细考察了高硅铝合金的微波消解和ICP AES测定条件 ,经对数个实际样品的检测 ,方法的分析指标和测试精密度满意。     

铝锰钛铁合金中铝含量的测定

介绍了铝锰钛合金中铝的测定方法,该法采用强碱分离,EDTA络合,氟化物取代,铅标准溶液二次返滴定,根据第二次消耗的铅标准溶液的体积求得铝含量。     

氩离子溅射锡氧化物及焊料合金的光电子能谱探究

利用X射线光电子能谱(XPS)及深度剖析技术,定量研究了SnO和SnO₂在不同氩离子束能下化学损伤。0.5、1、2 keV的离子束能溅射后,SnO₂无明显化学损伤;而SnO则出现不同程度的还原,分别产生了7.0%、15.3%、20.6%的Sn单质。实验还表明,同离子束能不同电流下,Sn²⁺还原程度相差无几。因而利用XPS及深度剖析技术对Sn焊料进行表面分析时,须选用尽可能低的束能以减少化学损伤。定性讨论了Sn价带,4d和3d电子层的图谱特征,并确定了用Sn 3d5图谱进行Sn价态的定量分析。利用获得的Sn⁰、Sn²⁺、Sn⁴⁺图谱参数,以模拟波峰焊的锡铜焊料为例,定量分析了Sn价态随深度的变化,结果表明,氧化层最表面主要为SnO₂并逐步过渡到SnO。     

硅钼蓝分光光度法测定高铍铍铝合金中硅

高铍铍铝合金中的杂质元素硅对高铍铍铝合金热等静压、精密铸造及耐腐蚀性能影响较大,需要对其含量进行严格控制,所以测定高铍铍铝合金中的硅具有重要意义。采用硫酸(1+1)、硝酸和氢氟酸于水浴条件下溶解试样,用硼酸掩蔽剩余氟离子,在0.10~0.15mol/L硫硝混酸介质下,钼酸铵与硅反应生成硅钼黄杂多酸,稳定20min后,用草酸掩蔽铁离子,同时加入抗坏血酸将硅钼黄还原成硅钼蓝,放置10min,于波长820nm处采用分光光度法进行测定,实现了硅钼蓝分光光度法对高铍铍铝合金(铍的质量分数为60%~70%)中硅的测定。在优化的实验条件下,试液中硅质量在10~60μg范围内与其对应的吸光度呈良好的线性关系,相关系数为1.000,方法中硅的检出限和测定下限分别为0.0021%(质量分数,下同)和0.0071%。按照实验方法测定60BeAl和70BeAl两个高铍铍铝合金试样中硅含量,测得结果的相对标准偏差(RSD,n=8)为2.9%~3.4%。将实验方法用于测定高铍铍铝合金实际试样中硅含量,结果与电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)相吻合。     

顺序注射分光光度法测定合金钢中微量锡

用顺序注射(SI)分光光度系统测定微量锡。在强酸性介质中,锡与水杨基荧光酮(SAF)、十二烷基硫酸钠(SDS)形成稳定的三元络合物在500nm处检测。在载流流量为0.8mL/min,进样频率为21样/h时,检出限为0.13mg/L,线性范围为0.13～4.0mg/L,相对标准偏差为1.8%。体系选择性好,样品中的干扰离子除Fe 外,均不用掩蔽。样品和试剂的消耗量小,操作简便、快速,用于两种类型合金钢中锡的测定,结果与标准值一致。     

0.6/1kV铝合金电缆在低压供电系统的应用注意事项

近年来铝合金电缆作为一种在某些场合可以替代铜电缆的新材料,在国内工业领域逐步有了较多的应用。因此,如何做好铝合金电缆的工程设计是一个值得讨论的问题。本文通过铝合金电缆与传统铜、铝电缆的比较,分析了它的电气性能、机械性能、连接性能、防腐性能和经济性,并结合工程实例,指出0.6/1 k V铝合金电缆在低压供电系统中的适用场合以及铜铝过渡、防腐蚀、设计选型等注意事项。     

含毒砂矿石中锡的测定

本文选择硼砂、硼酸和锌粉混合熔剂,熔融试样,用铁粉还原,然后用铝片还原,再使用装有饱和碳酸氢钠的盖氏漏斗保护,用碘酸钾标准溶液滴定,方法操作简便,易掌握,分析成本低,可以分析0.3%以上的锡。