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《电子材料与电子技术》2008,(1):4
美国科学家近日研究发现,加入纳米粒子的液体(纳米液体)放置入电场中时,它的稳定性及其它一些性能会得到增强。这一发现有助于研发新型的微型照相机物镜、手机显示器及其它一些微型液体设备。相关论文发表在《纳米技术》(Nanotechnologh)h。 相似文献
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为将超材料吸波体更好地应用于生产生活中,文中设计了一种基于电流变液的宽带可调超材料吸波体。通过在超材料吸波体中加载电阻器和介电常数电可调的电流变液实现宽带吸收和吸收频带可调。仿真结果表明,吸波体在8.296~15.128 GHz之间的吸收率超过了80%,在11.5~15 GHz之间的吸收率超过了90%,实现了电磁波的宽带吸收。随着电流变液外加电场强度的增加,其吸收频带逐渐往低频发生移动,实现了吸收频带的调控。此外,仿真证实,由于吸波体结构单元具有旋转对称性,其吸收特性具有极化无关性。 相似文献
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用TEA CO2 激光烧蚀方法制备了NiSO4 /Ni (Ac) 2 纳米粒子,其化学成分与靶材原料十分相似,其中含少量Ni2O3。当采用被靶材物质直接吸收的激光谱线9P (18) 、9R (18)时,纳米粒子的保成分性较好,得到粒径10~20nm、分散性良好的圆形粒子,其功率密度阈值为1. 6×108w / cm2 ,其反应机理主要是共振吸收以及激光支持爆轰波的作用;当采用不被靶材物质直接吸收的激光谱线10P (18)时,得到粒径为20~25nm、分散性良好的方形粒子,其功率密度阈值为1. 9 ×108w / cm2 ,其反应机理主要是自聚焦和内爆轰的作用。当其它条件相同时,功率密度较大则粒子的粒度更细。 相似文献
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胶体金纳米粒子及其蛋白标记物在电场中的泳动行为研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用柠檬酸钠还原法制备了3种不同粒径的胶体金纳米粒子,分别用于与蛋白质分子标记。同时以琼脂糖凝胶为支持介质,观察其在电场条件下的泳动行为特征,并进行对比研究。结果表明,在特定电场条件下,胶体金纳米粒子愈小,其泳动速度愈快,但呈现弥散状分布特征。当胶体金颗粒包敷蛋白分子后即可得到很好的分离,且随标记的蛋白质分子不同而存在很大程度的差异,其在琼脂糖凝胶中的泳动速度依次为BSA,SPA,rhCaM和GAHIgG-γ球蛋白分子。该工作为研究特定生物结构分离、配体分子检测及微器件制作方面提供了新的思路。 相似文献
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采用固相反应法制备了Mg4Nb2O9微波介质陶瓷,研究了添加V2O5对其烧结温度、微观结构和介电性能的影响。结果表明:当添加0.5%(质量分数)的V2O5时,Mg4Nb2O9陶瓷的烧结温度从1350℃降低到1150℃,烧结温度范围拓宽为1150~1300℃;在1150℃烧结5h后,其介电性能达到最佳:εr=11.86,Q·f=99828GHz(11.2GHz),τf=–57×10–6/℃(10~90℃,1MHz)。当w(V2O5)增大到1.5%时,Mg4Nb2O9陶瓷的介电性能变差。 相似文献
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采用固相反应法制备了CuO掺杂的Ba(Ti0.91Zr0.09)O3陶瓷,借助XRD、SEM、Agilent4284A测试仪,研究了CuO掺杂对Ba(Ti0.91Zr0.09)O3陶瓷的结构及介电性能的影响.结果表明,CuO具有细化陶瓷晶粒的作用.随着CuO掺杂量的增加,Ba(Ti0.91Zr0.09)O3陶瓷的斜方-四方相变峰出现介电弛豫现象,相变点处的介电常数增加,并且居里峰出现相变弥散现象.当w(CuO)=0.38%时,斜方-四方相变峰的弛豫程度最大. 相似文献
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采用固相法制备工艺获得Sb2O3掺杂(Ba0.7Sr0.3)Ti0.995O3系电介质陶瓷。通过扫描电镜、X线衍射仪及LCR测试系统,研究Sb2O3含量、烧结温度及保温时间对非化学计量的钛酸锶钡体系微观结构及介电性能的影响。结果表明,随Sb2O3掺杂量增大,(Ba0.7Sr0.3)Ti0.995O3陶瓷由立方钙钛矿结构单相固溶体转变为多相化合物。在(Ba0.7Sr0.3)Ti0.995O3陶瓷中,Sb3+占据钙钛矿晶格B位。随Sb2O3掺杂量的增大,(Ba0.7Sr0.3)Ti0.995O3基陶瓷的平均粒径减小,室温介电性能及居里温度显著改变。提高烧结温度并延长保温时间有利于改善高Sb2O3掺杂量下非化学计量BST基陶瓷室温介电性能。 相似文献
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测量了 Zn Cd(SCN) 4晶体的介电常数和直流电导率 ,结果为 :介电常数 εa=6 .9,εc=7.4。直流电导率ρa=4 .6× 10 1 0 Ω· cm,ρc=1.4× 10 1 1 Ω· cm。并用干涉法测量了该晶体的全部压电应变常数和电光系数 ,其结果为 :压电应变常数 d31 =1.5 p C/N,d36 =9.5 p C/N ,d1 4=1.6 p C/N,d1 5=15 .3p C/N;电光系数γ1 3=0 .0 4 pm /V ,γ6 3=9.4 pm /V,γ4 1 =1.3pm /V ,γ51 =1.7pm/V。 相似文献
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讨论了Zn O对Ba Sm2Ti4O12介质陶瓷烧结机制和微波介电性能的影响。结果表明:Zn O添加能推动Ba Sm2Ti4O12微波介质陶瓷的烧结,可至少将其烧结温度降低至1 280℃。当添加过多的Zn O时,Zn2+会进入晶格,可能导致晶格畸变,由此造成颗粒间产生微小孔隙及晶格内形成许多缺陷,降低了材料的εr和Q×f值。含0.5 wt%Zn O的Ba Sm2Ti4O12试样在1 280℃烧结时,综合介电性能最好:εr=76.46,Q×f=6 334 GHz。 相似文献
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研究了Bi2O3-V2O5、CuO-Bi2O3-V2O5、Li2CO3-V2O5掺杂对Mg4Nb2O9陶瓷烧结特性和微波介电性能的影响。通过XRD分析材料物相组成,结果表明,CuO-Bi2O3-V2O5、Bi2O3-V2O5的添加能有效地将Mg4Nb2O9陶瓷烧结温度从1 350℃降至950℃,但同时陶瓷的品质因数(Q.f)有很大恶化。掺杂w(Li2CO3-V2O5)=3%,试样致密化温度降至950℃,保温5 h,其具有良好的微波介电性能:介电常数(rε)为14.0,Q.f为83 276 GHz。 相似文献
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采用传统固相法制备Dy2O3掺杂(Ba0.7Sr0.3)TiO3系电容器介质陶瓷,通过扫描电镜、X线衍射仪及LCR测试系统,研究不同含量的Dy2O3对体系微观结构及介电性能的影响.结果表明,随着Dy2O3添加量的增大,(Ba0.7Sr0.3)TiO3陶瓷平均粒径减小且Dy2O3掺杂(Ba0.7Sr0.3)TiO3陶瓷均为钙钛矿结构单相固溶体.Dy2O3通过占据钙钛矿晶格A、B位引起(Ba0.7Sr0.3)TiO3陶瓷晶格畸变,体系自发极化能力降低,进而显著降低了体系室温相对介电常数及介电损耗.随着Dy2O3添加量的增大,(Ba0.7Sr0.3)TiO3陶瓷居里温度向负温方向移动,且体系的相对介电常数及介电损耗随温度变化显著. 相似文献
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采用传统固相法制备Sb2O3掺杂(Ba0 612Sr0.38Y0.008)TiO3系电容器介质陶瓷,研究了不同质量分数的Sb2O3在各烧结温度下对体系介电性能及微观结构的影响.当Sb2O3的掺杂量为0.4%时,试样在1 320℃下保温2 h,体系的室温相对介电常数可达3 000,介电损耗仅为2×103,居里温度向负温方向移动至-24℃.研究表明:两性氧化物Sb2O3通过占据钙钛矿晶格A位,显著降低了体系相对介电常数及介质损耗,起到了良好的移峰及展宽效应;与此同时,Sb2O3改善了体系微观形貌,有效降低晶粒尺寸. 相似文献