近化学计量比Zn:LiTaO_3晶体的生长和抗光折变性能

采用顶部籽晶溶液法,生长了直径约15mm,长度为10mm的近化学计量比钽酸锂(near-stoichiometric Li TaO3,SLT)和Zn掺杂的近化学计量比钽酸锂(Zn:SLT)晶体。生长的晶体无色透明,没有宏观缺陷。通过X射线粉末衍射法测试晶体结构和晶格参数,Zn:SLT晶体的晶格参数小于未掺杂的SLT晶体。与同成分钽酸锂晶体相比,SLT晶体的抗光损伤能力显著提高,Zn:SLT晶体的抗光损伤阈值大于500MW/cm2。     

钕单掺LiNbO_3晶体缺陷结构分析

采用提拉法生长了掺Nd~(3+)浓度为0.2 mol(N1)%,0.5 mol(N2)%,0.8 mol(N3)%的Nd:LiNbO_3晶体。测试了Nd:LiNbO_3晶体的红外吸收光谱、紫外-可见吸收光谱并深入研究了其内部缺陷结构。通过对光谱的测试与分析得出:Nd~(3+)在低浓度掺杂过程中优先取代反位铌NbLi~(4+)位及Li~+位,随着掺杂浓度的增加主要取代反位铌NbLi~(4+)位。     

掺镁铌酸锂晶体吸收边紫移及占位离子的离子极化模型

测量了系列Mg~(2+):LiNbO_3晶体的吸收边,根据晶体吸收边紫移和离子极化理论,提出:Mg~(2+)将首先取代位于Li~+位的Nb~(5+),当浓度超过5mol％后,才开始进入正常Li~+位。此模型可解释Mg~(2+):LiNbO_3抗光折变增强和光电导增大的机制。     

Co~(2+),Zn~(2+)双掺杂铌酸锂晶体的坩埚下降法生长及其光谱特性(英文)

在LiNbO3中掺入0.1%(摩尔分数,下同)的CoO与3%,6%的ZnO,采用坩埚下降法技术生长了双掺杂的Co2+∶Zn2+∶LiNbO3晶体。用X射线衍射与差热分析表征了获得的晶体。测定了晶体不同部位在350~2 500 nm波段的吸收光谱。研究表明:Co离子位于LiNbO3晶体的崎变的氧八面体中,呈现+2价,沿着生长方向Co2+在晶体中的浓度逐渐减少。ZnO的掺杂有效地抑制了Co2+离子在晶体中的掺入,使得Co2+在晶体中浓度的分布变得均匀。同时发现:ZnO的掺入使得上部晶体的熔点升高。从化学组分的角度解释了产生熔点变化的原因。观测到了750 nm波长的荧光发射带。     

阴极电沉积制备铝掺杂ZnO薄膜及其光催化性能

以不锈钢为基体,采用阴极电沉积法,从Zn(NO3)2和Zn(NO3)2+Al(NO3)3水溶液中制备了纯ZnO薄膜和铝掺杂ZnO薄膜.用X射线衍射、 扫描电镜和紫外-可见光漫反射光谱研究了铝掺杂对ZnO薄膜相变和光催化活性的影响.结果表明:在铝掺杂ZnO薄膜中,部分Al3+进入ZnO的晶 格,形成固溶体:铝掺杂使ZnO的吸收阈值蓝移大约50nm.和纯ZnO薄膜相比,铝掺杂ZnO薄膜在紫外光和可见光区均呈现出更高的催化活性, 反应60min后.甲基橙的降解率分别提高了45%和30%.探讨了铝掺杂ZnO薄膜光催化活性提高的原因.     

不同矿化剂浓度合成Zn1-xCoxO粉体研究

本实验采用水热法,以ZnSO_47H_2O为和Co(NO_3)_26H_2O为原料,以NaOH作为矿化剂(浓度为2 mol/L、3 mol/L、4 mol/L),在180℃保温24 h条件下,合成Zn_(1-x)Co_xO(x=0、0.05、0.1、0.15)稀磁半导体。通过XRD测试发现,矿化剂浓度对Co掺杂ZnO影响随着Co含量越高,峰值越低。扫描电镜显示:ZnO晶体呈针状,掺杂Co2+后,在长度方向上发生改变,当x=0.05时呈长方形块状,x=0.1时掺杂后的晶体呈块状,x=0.15时晶体以颗粒状的形貌出现,说明Co的掺杂在一定程度上影响了ZnO纳米晶体的生长。     

添加ZnO对SiO2-CaO-Al2O3-MgO系微晶玻璃析晶的影响

应用扫描电子显微镜和X射线衍射等技术,研究了添加不同质量分数(下同)的ZnO对SiO2-CaO-Al2O3-MgO系玻璃析晶和显微形貌的影响.结果表明:在所研究的玻璃体系中,ZnO加入后优先与玻璃体中的钙、硅元素发生反应,生成锌黄长石Ca2ZnSi2O7.另一部分ZnO和少量Fe2O3固溶到硅灰石(CaSiO3)晶体中形成(铁,锌)辉石晶体[Ca(Fe,Zn)Si2O6].随着玻璃中ZnO添加量的提高,越来越多的钙、硅与之反应生成Ca2ZnSi2O7,主晶相由CaSiO3逐渐转变为CaZnSi2O7.玻璃样品在随炉升温至1 050℃的情况下,以表面析晶为主,析出晶体呈枝状.玻璃先在750℃低温退火处理有利于晶体的整体析出,晶体形态由ZnO为5%时的鱼骨状变为15%时的条带状组织.     

Zn2+掺杂Mn:Fe:LiNbo3晶体的特性和非挥发性全息存储

在铌酸锂LiNbo3(LN)中掺入摩尔分数为0.1%MnO,质量分数为0.03?2O3和摩尔分数分别为1%,3%和7%ZnO,用提拉法生长Zn:Mn:Fe:LN晶体.测试了晶体的红外光谱,发现7%Zn:Mn:Fe:LN晶体 OH-吸收峰位置移到3 529 cm-1.用光斑畸变法测量晶体的抗光损伤能力.结果表明:7%Zn:Mn:Fe:LN晶体的抗光损伤能力比Ma:Fe:LN晶体提高1个数量级以上.探讨了Zn:Mn:Fe:LN晶体OH-吸收峰移动和抗光致散射能力增强的机理.以He-Ne激光作记录光,高压汞灯紫外光作开关光,用双光子固定法测量了Zn:Mn:Fe:LN晶体的二波耦合衍射效率,以Mn:Fe:LN和1%Zn:Mn:Fe:LN晶体作为存储介质实现了非挥发性存储. 体.测试了晶体的红外光谱,发现7%Zn:Mn:Fe:LN晶体 OH-吸收峰位置移到3 529 cm-1.用光斑畸变法测量晶体的抗光损伤能力.结果表明:7%Zn:Mn:Fe:LN晶体的抗光损伤能力比Ma:Fe:LN晶体提高1个数量级以上.探讨了Zn:Mn:Fe:LN晶体OH-吸收峰移动和抗光致散射能力增强的机理.以He-Ne激光作记录光,高压汞灯 外光     

高分子凝胶法制备Tm~(3+)掺杂纳米ZnO及其光催化性能

为提高纳米ZnO的光催化性,以Zn(CH3COO)2·2H2O、Tm(NO3)3为原料,丙烯酰胺为单体,N,N’-亚甲基双丙烯酰胺为网络剂,采用高分子网络凝胶法制备Tm3+掺杂纳米ZnO粉体。XRD物相分析表明:Tm3+掺杂纳米ZnO样品的物相均为六方晶系纤锌矿结构。TEM形貌观察表明:粒子基本为球形,平均粒径约为50nm。水溶液中亚甲基蓝染料在Tm3+掺杂纳米ZnO半导体光催化条件下、pH=9时,仅2h降解率就达到84.87%,比纯ZnO降解率高29.97%。     

掺镁近化学计量比LiTaO3晶体的生长及光学性能

在同成分LiTaO3熔体中掺入一定剂量的K2O,采用顶部籽晶提拉法生长掺镁近化学计量比LiTaO3晶体.对晶体分别进行光谱分析,畴结构和抗光损伤阈值的测定.结果表明:与同成分掺镁LiTaO3晶体相比较,其紫外吸收边出现明显蓝移,红外吸收峰变弱.腐蚀晶片的晶相显微镜观察结果表明:掺镁近化学剂量比晶体的畴结构是较为规则的六边形;晶体的抗光致散射能力明显提高.