Si（Li）电子谱仪的研制

研制了“无窗”的Ｓｉ（Ｌｉ）电子谱仪，测量了＾２０７Ｂｉ的内转换电子能谱，对能量９７５．６２ｋｅＶ的电子取得了２．０７ｋｅＶ的能量分辨率。     

Si（Li）探测器系统噪声的测量及低能X射线能量分辨的计算

从实验和理论讨论分析了Ｓｉ（Ｌｉ）探测器、前置放大器的噪声对Ｓｉ（Ｌｉ）探测器的探测范围的影响，分析了目前国产Ｓｉ（Ｌｉ）探测器、前置放大器的噪声情况，得出我国目前探测器系统的噪声技术可以实现Ｏ、Ｆ等轻元素的测量，并计算了测量Ｃ、Ｎ元素时探测器系统的极限噪声值（对Ｆｅ源的５．８９４ｋｅＶ）。     

硅光电二极管闪烁探测器

本文介绍了硅光电二极管闪烁探测器的组成，性能、应用及其试验验证。     

国产Si（Li）探测器测量范围向低能扩展的分析

本文从实验和理论两方面讨论了Ｓｉ（Ｌｉ）探测器，前置放大器的噪声对Ｓｉ（Ｌｉ）探测器的探测范围的影响，分析了我国最近Ｓｉ（Ｌｉ）探测器、前置放大器的噪声情况，得出我国目前探测器系统的噪声技术可以实现Ｏ、Ｆ等轻元素的测量，并计算了要测量Ｃ、Ｎ元素时探测器系统的极限噪声值。同时分析了低能Ｘ射线对窗的透射情况，得出国产Ｓｉ（Ｌｉ）探测器的窗必须减薄才能测量Ｃ、Ｎ、Ｏ元素。     

新型半导体探测器发展和应用

新型半导体探测器如硅微条、Pixel、CCD、硅漂移室等,近些年发展很快,在高能物理和天体物理实验中作为顶点及径迹探测器应用很广。主要是它们的位置分辨率非常高,像硅微条探测器．目前可做到好于1．4μm,这是任何气体探测器和闪烁探测器很难做到的。主要介绍这些新型半导体探测器的结构、原理、及其发展在高能物理、天体物理、核医学等领域应用。     

Application of Silicon Strip Detector for ^29S＋^12C Reaction

At ten several years, with the foundation of radioactive ion beam （RIB） in foreign and local country, it gave the chances for the development of nuclear physics. It is a hot topic for studying nuclear structure by using nuclear reaction. At recent years, with the deep exploration of nuclear structure for halo nuclei, the measurement method of event correlation was used to study nuclear structure at several times. It must give the position distribution of product particles in the reaction. The silicon strip detector can deal with this problem and can supply quite accurate position signal.     

外延硅dE／dX探测器的研制

本文介绍了厚度为５．２－６．０、１０－１３、１９μｍ，有效面积为２８－１５４ｍｍ＾２的外延硅ｄＥ／ｄＸ探测器的研制工艺，主要用途，测试结果（对９．８７ＭｅＶ α粒子的能损△Ｅ的分辨率为５６－１２８ｋｅＶ）和在核物理实验中的应用。     

电流型碳化硅探测器

本文从电流型半导体探测器的起源、传统电流型探测器在应用中的问题出发,论述了国内外在新型半导体探测器研制和电流型半导体探测器的研究现状。对半导体探测器结构和物理特性进行了研究,并重点介绍了电流型碳化硅（SiC）探测器的设计制作、响应性能研究、抗辐照性能研究等内容,为电流型半导体探测器的研究和应用提供参考。     

硅微条探测器

硅微条探测器的位置分辨率可好于σ＝1．4μm，这是任何气体探测器和闪烁探测器很难作到的。主要介绍硅微条探测器的特点、结构、工作原理及其在近年来的发展和在高能物理、核医学等领域应用概况。     

Study of point ldefect detectors in Si

The importance of point defects in semiconductor and function materials has been studied in detail.but effective means for detecting point defects has not been available for a long time.The end of range defects in Si,produced by 140keV Ge^ implantation,were investigated as detectors for measuring the interstitial concentration created by 42keV B^ implantation.The concentration of interstitial resulting from the B^ implantation and the behavior of the interstitial flux under different annealing condition were given.The enhanced diffusion in the boron doped EPI marker,resulting from mobile non-equilibrium interstitials was demonstrated to be transient.Interstitial fluxes arising from processing can be detected by tansient enhanced diffusion(TED) of doped marker layers as well.     

硅粒子探测器自动中测系统

本文介绍了一种适合硅粒了探测器的自动中测系统，可同时测量１６个样品，全部由微机控制，数据存放在微机中，可以给出了统计数据，也可绘出特性曲线，从而大大提高了测试效率与质量，目前用于测量硅粒子探测器反向Ｉ－Ｖ曲线，实验表明，本装置测得的数据是可靠的，并大大提高了效率。     

硅多条阵列探测器多路电荷灵敏前置放大器研制

本文简要介绍了应用于阵列探测器特别是硅多条阵列探测器的高密度多路前置放大器和前端电子学的发展现状、工作原理、设计要求和设计思路.同时,介绍了一套新开发的用于硅多条探测器中的48路电荷灵敏前置放大器的电路设计和实际测量结果,它具有低成本、高密度、好于1%的能量分辨和良好的长期稳定性.     

用次级束流对硅望远镜的时间和能量定标

利用９５ＭｅＶ／ｕ的１６Ｏ束产生的次级束流对半导体硅探测器进行了时间和能量定标。实验结果表明，由于次级束流提供的次级粒子种类多，飞行距离长，因此，能给探测器带来非常精确的定标。     

硅漂移探测器电子温度测量系统研制

在2005年HL-2A实验中,我们首次采用两通道硅漂移探测器(Silicon Drift Detector,SDD)软X射线能谱系统对等离子体电子温度进行了测量。文章详细地介绍了SDD软X射线能谱测量系统的原理、设计和初次运行,给出了HL-2A电子温度的测量结果。结果表明,SDD非常适合于HL-2A电子温度测量,为在HL-2A上建立多通道SDD阵列测量电子温度分布奠定了坚实的基础。     

Readout electronics for a high-resolution soft X-ray spectrometer based on silicon drift detector

The readout electronics for a prototype soft X-ray spectrometer based on silicon drift detector (SDD),for precisely measuring the energy and arrival time of X-ray photons is presented in this paper.The system mainly consists of two parts,i.e.,an analog electronics section (including a pre-amplifier,a signal shaper and filter,a constant fraction timing circuit,and a peak hold circuit) and a digital electronics section (including an ADC and a TDC).Test results with X-ray sources show that an energy dynamic range of 1-10 keV with an integral nonlinearity of less than 0.1％ can be achieved,and the energy resolution is better than 160 eV@5.9 keV FWHM.Using a waveform generator,test results also indicate that time resolution of the electronics system is about 3.7 ns,which is much less than the transit time spread of SDD (＜100 ns) and satisfies the requirements of future applications.     

碳化硅热中子探测器的优化设计

采用MC法对用于热中子探测的碳化硅探测器开展设计。优化了中子转换层参数和半导体器件参数,研究表明采用~(10)B作为中子转换材料,其最优厚度为2μm,在系统甄别阈为300 keV时对应的探测效率理论值为3.29%。制备了碳化硅外延层厚度20μm,灵敏区面积5 mm×5 mm的碳化硅器件,在外加反向偏压达180V时,其漏电流仅20.8 nA。性能测试表明:该器件对4.7-6.0 MeV的α粒子具有极好的能量线性,其线性度达0.999 97。对5.49 MeV的α粒子的能量分辨率为1.03%,对应半高宽57.3keV,与SiC高分辨α探测器分辨率相当。     

硅条形探测器条间距优化的模拟研究

由于硅条形粒子探测器目前广泛应用于高能物理、物品检测和核医学成像等方面,其形状参数对工作特性的影响也愈发引人关注。采用半导体器件的仿真软件Sentaurus TCAD模拟研究了给定探测条宽度的硅条形探测器相邻探测条的间距变量对探测器工作性能的影响,其模拟结果表明较小的间距可以减小体内电场强度和体内漏电流,有助于提高探测器的电学性能。     

硅条探测器前端ASIC芯片测试系统电路设计

介绍一种前端读出专用集成电路(ASIC,Application-Specific Integrated Circuit)芯片性能测试系统的电路设计与实现.该ASIC芯片可用于构成硅微条探测器、硅条、Si(Li)和CsI探测器的前端读出电子学系统.本文详细描述了测试系统的构成,主要电路设计,系统应用以及部分测试结果,并简要介绍了被测ASIC芯片的电路结构.     

核探测器的进展

本文介绍了几种基本核探测器的国外最新进展。