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在BALDUR预测性输运程序中使用多模模型研究了JET等离子体放电中同位素质量对热输运和粒子输运的影响。从这些模拟中得到的温度和密度分布一般都与实验测得的带边缘定域模的JET高模氢、氘和氚放电中的十分相符,出人意料的是,在这些模拟中使用的纯回旋玻姆输运模型,能正确地预言当同位素质量增加时实验上观测到的约束改善,该模型给出如下结果:当所有等离子体分布的形状保持不变时,回旋玻姆扩散系数随同位素质量而增大。然而,在JET实验中发现,当同位素质量增加时,在边缘平台的顶部电子和离子温度均系统地上升。这里报道的数值模拟表明,同位素质量增加时,边缘温度的这种增加以及随后温度分布的加宽是约束改善的原因。 相似文献
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在近期的托卡马克实验中,获得了几种高性能等离子体,一种是由L(低)到H(高)的转变触发的H(高)模式。在这种情形下,输运位垒是在边缘区域产生的。得到的高约束等离子体由定标律的回旋博姆型输运表征。另一种是在接近安全因子分布的最小点的内区域有输运位垒的负(中心)剪切或(增强的)反向剪切模式。 相似文献
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在托卡马克等离子体放电中,理想的金属壳壁对等离子体中的电磁扰动起稳定作用。电阻性金属壁与等离子体中电磁扰动的作用导致等离子体流速的降低和扰动频率的减少,这种相互作用的增强能够引起等离子体中撕裂模“锁模”现象。下面将讨论在中空的电流分布下,等离子体中存在两个相同模数撕裂模有理面时,撕裂模之间的相互作用和电阻性金属壁对撕裂模稳定性的影响。 相似文献
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等离子体与表面相互作用(PSI)是聚变研究领域中重要课题之一。本项目应用LAS-2000质谱分析设备、射频离子源设备及HL-1M装置,对等离子体与石墨及其涂层的相互作用进行了系统研究。研究表明:(1)D~ 束辐照HL-1M装置第一壁用SMF-800石墨在770中K处有化学腐蚀高峰,而石墨原位硼化、硅化涂层可以有效地抑制石墨的化学溅射(降低80%~90%);H~ 辐射SiC的溅射产额为0.5原子/H~ ,为石墨的1/3;原位硼化涂层热解释过程中未见硼氢化合物的释放,其释放成分主要是碳氢化合物,通过它可减少a-C:H成分,提高涂层性能;(2)原位涂层几乎完全抑制了HL-1M装置放电中重金属杂质,而碳、氧杂质则分别降低70%、90%以 相似文献
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这篇会议报告总结2000年9月4-7日在意大利瓦伦纳举行的关于在聚变等离子体中输运,输运位垒物理的EU(欧盟)-US(美国)讨论会的稿件,讨论会的重点是输运位垒,讨论会分四个部分:输运位垒物理,关于位垒的MHD效应,湍流及芯部输运,本报告是以相同的方式组织的。 相似文献
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对共振螺旋场(RHF)抑制撕裂模进行了分析和数值计算。考虑了撕裂模之间的非线性相互作用。分析指出:不同模式的耦合可能使某些模式失稳,也可能使某些模式增稳。这与一定的条件有关。因为模式之间有相互作用,τ=2的RHF可以稳定所有的模式,在多种模式存在的情况下,τ=3的RHF是无效的,仅在单模近似下它能抑制m=3的模式。 相似文献
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用动力论和磁流体两个途径研究了低杂波驱动电流(LHCD)对撕裂模不稳定性的影响。线性动力论的结果表明:在碰撞区,由低杂波驱动出的快电子对撕裂模扰动的响应,导致了撕裂模的增长率和扰动层宽度的减小。从对托卡马克条件下低杂波驱动电流的数值模拟及解磁流体撕裂模方程可得出,低杂波驱动电流引起电流分布的变化并使有理面移动,从而导致撕裂模的△'值的变化。在多数情况下,撕裂模会因低杂波驱动电流而被抑制。但在文中所示的参数下,低杂波驱动电流在较高q_α值的等离子体中对撕裂模起增稳作用;而在较低q_α值的等离子体中有失稳作用。这一结果与实验观测结果定性相符。 相似文献
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对共振螺旋场(RHE)抑制撕裂模进行了分析和数值计算。考虑了撕裂模之间的非线性相互作用。分析指出:不同模式的耦合可能使某些模式失稳,也可能使某些模式增稳。这与一定的条件有关。因为模式之间有相互作用,l=2的RHF可以稳定所有的模式,在多种模式存在的情况卜,l=3的RHF是无效的,仅在单模近似下它能抑制m=3的模式。 相似文献
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在假设杂质通量受新经典输运支配的条件下研究了点火聚变堆(ITER FDR)芯部的杂质行为。估计两种温度分布的平衡杂质分布,并与芯部扩散系数为Dan=0.5m^2/s的纯反常扩散结果作了比较。将所有相关等离子体粒种的碰撞考虑进去,计算了新经典通量。芯部的扩散系数低于0.1m^2/s,并随杂质Z的增加而减小。平均漂移速度总是向外,并引起对高Z元素的有效屏蔽。由于扩散系数小,芯部的He浓度分布猛烈上升。轴上氢浓度为CHe≈15%-17%。与用纯反常输运和CHe≈9%的轴上氦浓度作出的计算结果相反,He密度不仅由再循环边缘源确定而且由低的芯部输运、增强的稀释和减小的聚变源的相互作用确定。增强的稀释使总的聚变功率下降8%--11%。当Dan^He=0.2m^2/s的氦有一个附加反常芯部扩散,He的中心浓度下降到CHe≈10%。 相似文献
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