多层陶瓷电容器内电极镍粉的研究进展

近年来,贱金属电极片式陶瓷电容器(BME-MLCC)在MLCC产业中占有越来越重要的地位,到2002年,世界上已有超过70%的MLCC采用Ni贱金属内电极.介绍了MLCC用镍粉的研究进展及存在的主要问题,分析了内电极用镍粉性能对MLCC性能的影响,指出当前镍内电极MLCC存在的主要问题是由镍粉分散性、抗氧化性差和与陶瓷介质烧结行为不匹配等带来的,同时阐述了其解决问题的关键在于超细镍粉的制备和表面改性技术的研究.     

贱金属内电极多层陶瓷电容器(BME-MLCCs)研究进展

贱金属内电极多层陶瓷电容器(BME-MLCCs)经过40年的发展，目前已成为多层陶瓷电容器的主流。钛酸钡的缺陷化学是发展BME-MLCCs的理论基础，利用该理论研发抗还原的钛酸钡基介质陶瓷组成，使钛酸钡基介质陶瓷与镍内电极能够在还原性气氛中共烧。BME-MLCCs工业化的一个关键问题是降低由带电荷的氧空位移动所造成的老化。     

多层陶瓷电容器研究现状和发展展望

片式多层陶瓷电容器是新型片式元器件门类的主要品种之一.介绍了多层陶瓷电容器国内外研究现状和发展状况,重点介绍了镍内电极多层陶瓷电容器、高容量多层陶瓷电容器和高压多层陶瓷电容器,同时指出我国多层陶瓷电容器行业存在的问题和发展方向.     

贱金属内电极多层陶瓷电容器研发进展

经过30多年的发展,贱金属内电极多层陶瓷电容器(BME-MLCCs)已经成为多层陶瓷电容器的主流产品.简要论述国内外对贱金属内电极多层陶瓷电容器研发状况和研究方向,重点介绍镍内电极多层陶瓷电容器发展历程,并且指出我国BME-MLCCs行业存在的问题和发展方向.     

多层片式陶瓷电容器电极浆料研究进展

简单介绍了多层片式陶瓷电容器MLCC(Multilayer Ceramic Capacitor)的组成、结构及要求.详细阐述了多层陶瓷电容器电极浆料的构成、功能及作用,重点介绍了导电相、玻璃相及有机载体的种类、性能和应用.最后叙述了MLCC电极浆料研究进展和发展趋势.     

贱金属内电极多层陶瓷电容器产业研发现状

经过30多年的发展，贱金属内电极多层陶瓷电容器(BME—MLCCs)已经成为多层陶瓷电容器的主流产品。由于采用镍铜内电极产品的材料成本低，市场竞争力强，已经成为国内外贱金属内电极多层陶瓷电容器产业研发的发展方向，我国国内的BME—MLCCs行业还存在一些问题，如何加快BME—MLCCs技术的发展，推动该项技术的国产化，研究具有我国自主知识产权的陶瓷介质材料和贱金属内电极浆料系统，立足国际BME—MLCCs现有的高起点，尽快赶上和超过国际先进水平，为我国信息产业生产出更多更好的BME—MLCCs已迫在眉睫。     

玻璃粘结剂对陶瓷电容器镍电极性能的影响

研究了玻璃粘结剂组成和含量对陶瓷电容器镍电极附着力、方阻和可焊性的影响,并使用SEM和EDS分析了其中的影响机制.结果表明,ZnO和PbO能够提高玻璃对陶瓷基板的润湿性能,进而增强镍电极的附着强度;增大玻璃含量有助于增强镍电极的附着强度,但在晶界和镍晶粒内部析出的多余玻璃相会导致电极电性能和可焊性下降.镍导电浆料中玻璃与镍粉质量比为0.08是比较合适的.     

多层陶瓷电容器材料的发展与动向

近十年来,随着电子信息技术的发展,多层陶瓷电容器(MLC)的研制也在突飞猛进。本文详述了MLC材料三大门类的研究与发展概况。高、中温烧结体系技术成熟,门类齐全,仍是当前MLC工业化生产的主体;低温烧结体系和抗还原性体系也已崭露头角,且前景可观。但是,各种新体系的开发完善和实用化还是一项长期的工作。     

多层片式陶瓷电容器MLC研发进展

介绍了多层陶瓷电容器MLC产品的国内外生产与研发状况，尤其是国外先进厂家的湿法印刷技术与Soufill陶瓷介质膜制造工艺，讨论当前常压MLC的发展趋势和高压MLC的技术水平，指出我国MLC行业存在的问题和发展方向。     

多层片式陶瓷电容器容量命中率的研究

多层片式陶瓷电容器 (MLCC)容量命中率低是生产中普遍存在的问题。本文通过微观结构、金属层和介质层厚度、以及工序因素分析 ,探讨了引起MLCC容量分散的主要原因 ,提出了工序中应控制的因素 ,为MLCC生产过程控制、提高容量命中率提供了依据。     

BaTiO3基介质瓷料的抗还原性及其缺陷化学

多层陶瓷电容器(MLCCs)体现了电子元器件小型化、复合化、低成本、高可靠性的发展趋势.BME(BaseMetal Electrode)技术的发展促进了Ni内电极MLCCs的生产和应用.为了适应贱金属Ni内电极MLCCs还原气氛烧结需要,对介质瓷料提出了抗还原性要求,使其具有高的绝缘电阻率和长的工作寿命.综述了BaTiO3基介质瓷料的抗还原性措施,涉及电子缺陷浓度的降低以及氧空位缺陷迁移的抑制,并利用缺陷化学阐述了其A位施主和B住受主掺杂的改性机理.     

复合X7R多层陶瓷电容器

介电常数Ｋ高于 ７２００的、具有满足 Ｘ７Ｒ（－５５～１２５℃,±１５％）规范要求的低烧复合多层陶瓷电容器（ＣＭＬＣＣｓ）已经研制成功．该电容器是由四种具有不同介温特性的ＰＭＮ－ＰＮＮ－ＰＴ和ＰＭＮ－ＰＴ体系的瓷介质膜片按一定布局复合构成．其内部显微结构良好．本研究表明,采用不同材料共烧以得到具有优良性能的片式元件是可行的．     

Multilayer Lead‐Free Ceramic Capacitors with Ultrahigh Energy Density and Efficiency

The utilization of antiferroelectric (AFE) materials is thought to be an effective approach to enhance the energy density of dielectric capacitors. However, the high energy dissipation and inferior reliability that are associated with the antiferroelectric–ferroelectric phase transition are the main issues that restrict the applications of antiferroelectric ceramics. Here, simultaneously achieving high energy density and efficiency in a dielectric ceramic is proposed by combining antiferroelectric and relaxor features. Based on this concept, a lead‐free dielectric (Na_0.5Bi_0.5)TiO₃‐x(Sr_0.7Bi_0.2)TiO₃ (NBT‐xSBT) system is investigated and the corresponding multilayer ceramic capacitors (MLCCs) are fabricated. A record‐high energy density of 9.5 J cm^?3, together with a high energy efficiency of 92%, is achieved in NBT‐0.45SBT multilayer ceramic capacitors, which consist of ten dielectric layers with the single‐layer thickness of 20 µm and the internal electrode area of 6.25 mm². Furthermore, the newly developed capacitor exhibits a wide temperature usage range of ‐60 to 120 °C, with an energy‐density variation of less than 10%, and satisfactory cycling reliability, with degradation of less than 8% over 10⁶ cycles. These characteristics demonstrate that the NBT‐0.45SBT multilayer ceramic is a promising candidate for high‐power energy storage applications.     

多层陶瓷电容器端电极耐焊接热性能下降原因分析

针对多层陶瓷电容器端电极耐焊接热性能下降的问题,运用扫描电子显微镜分析了端电极表面锡铅镀层的微观结构,并用其附带的能谱仪对其成分进行了分析,找出了端电极耐焊接热性能下降的原因。结果表明:在对多层陶瓷电容器三层端电极中的底层银端浆进行烧结的过程中,由于烧结工艺控制不合理,导致银层部分出现较多的玻璃料物质溢出,因玻璃料物质不导电,在电镀时就会造成表面镀层的不连续致密,从而使得多层陶瓷电容器端电极的可靠性下降,耐焊接热性能降低。     

叠层片式陶瓷元件发展概述

综述近几年来文献报导的关于叠层片式陶瓷电子元件的研究现状。对叠层片式陶瓷电容器、叠层片式陶瓷压敏电阻、叠层片式陶瓷压电产品和叠层片式复合陶瓷电子元件分别作了阐述。指出叠层片式元件适应集成电路中电子元件小型化、高性能化及多功能化而出现的必然性,同时对该类元件在发展过程中出现的各种的问题进行分析,指出了其研究方向。     

异相陶瓷界面对多层陶瓷电容器介电特性的影响

借助于电子显微镜和介温谱仪,研究了热稳定型复相多层陶瓷电容器中存在的异质、异相陶瓷界面的互扩散对其介电特性的影响。结果表明,异质界面之间存在明显的扩散层。其中不同铁电陶瓷之间过渡层的形成虽有助于改善电容器的容温特性,提高界面的粘接强度,但这民在一定程度上破坏了原先的结构设计,改变了元件的电容值。另外,由于不同铁电陶瓷相的烧结特性的不匹配易导致出现界面裂纹和空洞等共烧缺陷,从而提高了元件的介电损耗,相对疏松的界面易出现在涂覆端电极时镀液的渗入,降低了可靠性。