超深亚微米集成电路可靠性技术

就超深亚微米集成电路中高k栅介质、金属栅、Cu/低k互连等相关可靠性热点问题展开讨论,针对超深亚微米集成电路可靠性问题,提出可靠性设计、生产过程的质量控制、可靠性评价与失效分析是集成电路可靠性综合评价与保证的核心思想,为产品可靠性评价与保证提供指导性参考.     

多芯片组件（MCM）标准研究

分析了多芯片组件(MCM)的概念与关键技术;针对MCM的高集成度特性,分析研究了MCM的相关标准,提出标准制修订的建议,特别是针对MCM质量与可靠性保障和评价方法的具体方案.     

功率裸芯片的质量与可靠性保证方法

论述了常规裸芯片质量与可靠性保证的标准和技术,针对功率器件裸芯片,提出了高性能和高可靠性设计、制造工艺保障、验证筛选等质量与可靠性保证方法和技术途径;讨论了采用临时封装夹具技术,对功率裸芯片进行热敏参数筛选、结温控制老化筛选、高温高压反偏筛选等,最终实现对功率裸芯片100%的筛选,满足MCM和HIC对功率裸芯片的质量与可靠性要求。     

KGD技术发展及其应用

裸芯片在HIC和MCM应用领域有着广泛的市场，其质量和可靠性保证一直受关注。本文论述了已知好芯片（KGD）保证的技术要求、方法、发展现状、国内KGD技术发展机遇与挑战，介绍了国内KGD可靠性保障技术研究情况及已形成裸芯片测试、老化筛选和评价技术的能力。     

有限元分析法在MCM三维热模拟中的应用

多芯片组件(MCM)的可靠性特别是其热可靠性已经成为国内外电子产品可靠性研究的焦点之一.热有限元分析法是多芯片组件热分析的重要方法.本文运用ANSYS工具建立了MCM的三维热模型,得到了温场分布.通过热模拟和热分析,提出了改善MCM温场的方案.     

有限元分析法在MCM三维热模拟中的应用

多芯片组件(MCM)的可靠性特别是其热可靠性已经成为国内外电子产品可靠性研究的焦点之一.热有限元分析法是多芯片组件热分析的重要方法.本文运用ANSYS工具建立了MCM的三维热模型,得到了温场分布.通过热模拟和热分析,提出了改善MCM温场的方案.     

有限元分析法在MCM三维热模拟中的应用

多芯片组件(MCM)的可靠性特别是其热可靠性已经成为国内外电子产品可靠性研究的焦点之一. 热有限元分析法是多芯片组件热分析的重要方法. 本文运用ANSYS工具建立了MCM的三维热模型，得到了温场分布.通过热模拟和热分析，提出了改善MCM温场的方案.     

电子元器件可靠性物理及其应用技术的发展趋势与对策

1 可靠性物理及其应用技术研究是提高元器件可靠性的关键电子元器件是电子装备的重要基础.随着现代电子仪器设备的电子化程度越来越高,系统越来越复杂,电子元器件的可靠性问题也显得越来越突出,成为影响整机性能和质量的重要因素。目前在各个专业技术上,可靠性指标已被提到至少与性能指标同等重要的程度.提高电子元器件可靠性根本途径是研究掌握先进的失效分析技术与方法,深入研究有关的失效模式、失效机理和可靠性评价与预测技术,在设计、工艺、原材料以及安装使用方面采取相应的对策措施.这也就是可靠性物理特定的研究领域.通过可靠性物理研究可以从根本上找到提高电子元器件固有     

多芯片组件MCM的失效率预计研究

通过对多芯片组件(MCM)的结构、失效模式和机理的分析,提出了适合我国生产实际的MCM失效率预计模型.采用加速寿命试验和点估计法获得了膜电阻的基本失效率λRT和布线与工艺基本失效率λC;并采用极限应力对比试验获得了层间系数πcp.     

多芯片系统可靠性技术

在对电子产品可靠性技术的最新发展趋势进行了展望之后, 对多芯片系统的可靠性技术作了较全面的评述。对研究多芯片系统可靠性的失效率预测方法和失效物理评价方法以及多芯片系统的关键技术问题着重进行了细致的剖析并提出了解决的思路     

多芯片组件在军事领域的应用状况及市场动态

先进微电子和光电子是信息时代信息高速公路的基本建设单元，多芯片组件(MCM)是为满足高速传输网络通信数据和便携式通信装置需求的关键封装技术。该技术具有集成度高、体积小、重量轻，性能可靠，功率耗散小，可靠性高及节省成本的优越性。本文通过MCM的发展历程和技术回顾，探讨了当今MCM在军事领域的应用状况及市场动态与预测，最后提出了国内发展军用MCM的思考与建议。     

国外军用电子元器件可靠性技术研究进展

为了学习、吸收和借鉴国外的先进技术和经验,对国外军用电子元器件可靠性技术进行了跟踪研究,介绍了塑封微电路(PEM)、光电子等新的元器件的可靠性试验与评价技术、新的失效分析技术以及MCM、KGD、MEMS等新技术的可靠性研究现状,探讨了国外军用电子元器件可靠性技术的研究方向和发展趋势.     

有限元分析软件ANSYS在多芯片组件热分析中的应用

MCM(多芯片组件)的热分析技术是MCM可靠性设计的关键技术之一。基于有限元法的数值模拟技术是MCM热设计的重要工具。文中主要以ANSYS软件为例,介绍利用其对MCM进行热分析的实例。建立了一种用于某种特殊场合的MCM的三维热模型,得出了MCM内部的温度分布,并定量分析比较了空气自然、强迫对流和液体自然、强迫对流情况下对散热情况的影响。研究结果为MCM的热设计提供了重要的理论依据。     

多芯片组件热分析技术研究

多芯片组件(MCM)是实现电子系统小型化的重要手段之一。由于封装密度大、功耗高，MCM内部热场对器件的性能和可靠性的影响日益严重。文章讨论了MCM内部热场影响器件可靠性的机理，比较了MCM热场计算的方法和特点，研究了有限元分析的方法和求解过程，进行了实际计算，并提出了几种有效的降低MCM结温的方法。     

多芯片系统可靠性技术

在对电子产品可靠性技术的最新发展趋势进行了展望之后，对多芯片系统的可靠性技术作了较全面的评述。对研究多芯片系统可靠性的失效率预测方法和失效物理评价方法以及多芯片系统的关键技术问题着重进行了细致的剖析并提出了解决的思路。     

PMCM器件的失效根因分析

从塑封多芯片组装(PMCM)器件的电性能测试数据出发,根据器件的环境试验过程和MCM的材料结构、芯片性能,得出了某PMCM器件的失效性质与塑封封装材料、工艺相关的结论;同时讨论了一些PMCM失效分析问题。     

阻容元件的可靠性评价和失效机理

本文以大量的可靠性试验统计数据为基础,分析了和论述了我国阻容电子元件的筛选技术、可靠性评价及失效机理。讨论了当前高可靠工作中的几个重要问题,并提出了一些建议。     

多芯片组件温度场及其可靠性分析

针对球栅阵列封装的大功率MCM其内部具有多个热源、耦合作用强、内部发热量大、温度高的特点,建立其热学模型,在ANSYS平台下对其进行了稳态模拟分析;结果表明,增加外部散热装置可以大大降低MCM的温度,是对其进行降温最直接有效的一种方式;合理布局可以避免热集中现象。针对MCM单位体积内的功耗大,芯片热失效和热退化现象突出,对其芯片凸点和无铅焊料球进行了可靠性分析;结果表明,内应力最大处位于凸点与芯片的接触面上,凸点与基板和焊点与PCB的接触面均为高应力应变区域,是焊点的薄弱环节。     

电压检测芯片失效分析

近年来,随着智能电表的广泛使用,其质量和可靠性问题受到了人们越来越多的关注.但是,由于各种原因,产品投入市场后仍会出现各种失效现象.因此,对某智能电表的电压检测芯片的失效现象进行了分析,通过外观检查、 电参数测试和X-射线测试等手段找到了该芯片的失效原因,并针对发现的问题提出了相应的改进意见.     

电子产品可靠性评价与物理模型应用探讨

该文以电子产品的故障为出发点,从集成电路-封装、集成电路-芯片、电路板(或线路板)、电子元件、系统和多系统的角度论述了不同任务环境下电子器件的故障机理特点。系统论述了故障模式、影响及危害性分析(FMECA)和故障模式、机理与影响分析(FMMEA)两种故障机理分析方法,同时结合低周疲劳、高周疲劳、裂纹萌生、反应论模型、芯片失效等失效机理对故障物理元模型进行分类讨论,对电子产品可靠性评价与物理模型应用进行了系统的探讨,为电子产品可靠性评价及失效物理评估模型的选取提供了依据。