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发展了一种新的方法,它可以分析不同红外镶嵌焦平面几何结构的效应,以便为某一应用选择最好的结构。此法已包括到一个计算机模拟工程中。文中举例说明最近的一项应用     

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激光火箭系统对激光传输功率能节约传输费用。它能把16MW空间激光动力站或37.5MW的地面站间的传输成本降低24％,把490MW空间激光动力站或1000MW地面站间的传输费用降低1/7。(谢)     

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用直拉法已取得高质量的 Pb_xHg_(1-x)Te合金单晶。在拉晶过程中,真空室要用氮稍微加压。在远红外区采用了反射率测量,观察到用布里奇曼法或直拉法所制Pb_xHg_(1-x)Te样品的等离子体频率位置有显著不同。     

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激光器件,2001翻吸铝忆中协的荧光 Lumilleseen:e of bismuth in yttrium alum- inum borate,F.Kellendonk,Chem.I,hys.Lett., 1979,61一2,239一241. 介绍在YA13B4O;:中掺Bi卜的荧光光谱。在液曳温度下发射带显示出振动结构。测量了能量由Bs 转移给Tb3于和Ces于转移给Tb翻奋。结果表明,由Bis十转移给Tb卜比由Ces 转移更为有效。 12002 Nd吕‘滋光.体的效率 N沪 lase:erystal effieieney,M.synek et al.,Phys.Lett.,Vol.70A,No.4,19 Mar 1979,pp.283一6. 本文分析了各种掺Nda个晶体的激光效率参数,与Nd“十:l。F3作比较。 120D3…     

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红外应用 5001 红外技术概论赤外线技术概论,高木亨,映像情报,第10卷,第19期,第10～19页(1978年12月)。本文通俗地介绍了红外辐射的基本原理、基础的红外技术和红外装置等问题。 5002 72元8～12微米高性能HgcdTe探测器列阵     

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用液相外延技术已成功地生长了波长～1.33微米的Hg_(1-x)Cd_xTe外延层。制备和测量了光电二极管。异质结分析表明在室温下正向偏压的结电流是以产生-复合机理为主。计算得出产生-复合有效寿命为2×10~(-7)秒。在30伏反向偏压下观察到9×10~(-6)安/厘米~2的漏电流密度,二极管击穿电压为70伏。     

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激光技术6001 CdSe光参量振荡器CdSe optical parametric oscillator,N.J.Levi-nos USP,4 189 652介绍一种产生窄带16微米相干辐射的光参量振荡装置。它包括一个谐振腔、在谐振腔轴上放置的CdSe晶体及把HF激光器2.87微米相干辐射引入谐振腔的器件。通过CdSe晶体产生3.5微米辐射和16微米相干辐射。给出了激光参量振荡器的结构图和性能。     

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红外技术 6001 Hg_(1-x)Cd_xTe的缺陷化学和鉴定 Defect chemistry aad characterization of Hg_(1-x) Cd_xTe,H.R.Vydyanath,N.81.23 924,105p(1981). 碲镉汞晶体未掺杂,置于400～655℃和不同汞压下进行平衡。对淬火到室温随后作高温平衡的晶体作霍尔放应和迁移率测量。根据此种样品在77K下空穴浓度随Hg分压的变化以及与掺铟和磷样品的比较,得出未掺杂晶体的缺陷模型。根据模型阐述了晶体缺陷和p-n转型的性质。     

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红外技术2001 红外用优质 HgCdTe 等温生长法的改进A modified approach to isothermal growth ofultra high quailty HgCdTe for infrared applicat-ions,P.Becla,J.Electrochem Soc.,1981.Vol.128,№,5,pp.1171-1173.用等温生长法在 CdTe 衬底上生长的 Hg_(1-x)Cd_xTe 外延层具有镜面状表面形态,高径向组分均匀度和突出的电子特性(即 x 接近0.15的电子迁移率数值为500000厘米~2/伏秒)。生长法新特点是利用富碲 HgCdTe而不是以前采用的 HgTe(或化学配比 Hg_(1-x)Cd_xTe)作     

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红外技术 4001 碲镉汞的溅射研究 Mercury cadmium telluride sputtering research,R.H.Cornely, AD. A094 671,18p(1980). 在三靶射频溅射中,通过提高Hg蒸汽压及CdTe或Si衬底温度提高了(Hg,Cd)Te(CdTe占25克分子％)生成态溅射膜的迁移率。用4探针霍尔测量法测得在296和89K时电子迁移率分别为2200和3720厘米~2/伏秒,n型载流子浓度分别为5和2.8×10~(16)/厘米~3。     

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红外技术7001 HgCdTe光电二极管制法Method of forming a mercury cadmium tellu-ride photodiode, Toivo Kochler, Honeywell Inc.,USP 4 206 003(Jan. 1979).制备HgCdTe光电二极管的方法包括紧贴n型HgCdTe 光电二极管体的第一表面形成一累积层,在紧贴第一表面的n型HgCdTe体上形成一P型区。7002二次价带和谐振态对非掺杂Pb_(1-xSnxTe)输运的影响Effects of a second valance band and reso-     

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激光技术5001 YAG抽运的染料激光器: YAG一pumped dye la,ers:Thesouree,H .P.Kor士z,Laser Focus,July 1982,pp.57一63.可调派Proven tunableVol .18,No .7,对各种应用来说,这种激光器的高峰值功率、良好的时间分辨、宽的光谱区域是关键。 5002抬Nd激光材料的增益饱和树〕 Gai     

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一、红外器件6001用金属有机化合物生长cd:Hg,一汀e T加growth of Cd二Hgx一:Te ussng orga,o姗ta- Jlics,J.B.Mulli刀,J.yae.Sci.Teehoo】.,1982,VOI. 21,No .1,pP.178一181. 以决定组分的基础因数为基准讨论了用金属有机汽相外延法生长的啼福汞层。在实验研究中证明参数 二值     

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介绍了用电晕放电法使激活介质预电离的TEACO_2激光器。激活介质体积为0.7×0.9×20cm,放电电源电压达30kV,脉冲重复频率达25Hz。总气压为2个大气压,气体混合比为CO_2:N_2:He=1:1:8。在单个脉冲内气体流速为0.3cm~3。观察到振荡于TEM_(00)模。在低脉冲重复频率及1.5大气压下达到的最大效率为11％。这时的脉冲能量为100mJ,峰值功率为600kW。在脉冲重复频率25Hz时的平均振荡功率为1W。     

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红外技术 1001 Pb_(1-x)Sn_xTe(0≤x≤0.25)光伏探测器的少数载流子寿命和电阻面积乘积 Photovoltaic detectors Pb_(1-x)Sn_xTe(0≤x≤0.25) minority carrier lifetimes resistance-area product, M. Grudzien, Infrared Phys., 1081, Vol. 21, No. 1, pp. 1-8. 计算了Pb_(1-x)Sn_xTe中辐射复合和俄歇复合时的少数载流子寿命。计算是在77、200和300K温度下进行的,组分范围为0≤x≤0.30。在附录中比较了在100K温度下的实验结果和理论计算。探讨了在77K时     

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激光器件 7001 激光光谱学自然杂志,1979年第1期,28～30页主要介绍激光光谱学在分辨率,灵敏度和精度方面所取得的非凡的进展。 7002 非线性光学自然杂志,1979年第2期,93～95页文中介绍了非线性光学的应用及国外的进展     

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红外技术5001 Hg_(1-x)Cd_xTe半导体内部成分变化的光声成像 Photoacoustic imaging of compositional variations in Hg_(1-x)Cd_xTe semiconductors, J. F. McClland, IS-M-308, 12p(1980). 本方法系由材料样品吸收光子,把所吸收的部分热量传导给相邻的气体。气体的热膨胀产生声信号,用传感器接收此种信号进行成像。     

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红外器件11001 Hg_(0.6)Cd_(0.4)Te液相外延层富Te、富Hg和富HgTe生长法的比较Comparison of HgCdTe LPE layer growthfrom Te-,Hg-and HgTe-rich solutions,T.E.Bowers,Honeywell,IEEE Trans.on ElectronDevices,1980,Vol.ED-27,No.1,pp.24-8.介绍不同组份过量的三种液相外延法。富碲法外延层成份有梯度的厚度范围为3微米,横向和纵向成份不均匀性小于±1％(克分子)CdTe;系在常压下生长,但只能生长p型层。富HgTe法是种闭管生长法,在原理上可以生长p或n型,纵向成份有梯度的范围为20微米。11002 三靶射频溅射的HgCdTe薄膜RF triode-sputtered MCT thin films,R.N.Cornely,Bell,IEEE Trans.on Electron Devi-ces,1980,Vol.ED-27,No.1,pp.29-32.     

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红外器件 2Q01 Hg,一二cd汀e的红外光学吸收 Infrared optieal absorption of Hgl一二Cd言Te, E .Finkman,Israel Institu七e of Teehno土ogy,J Appl.P!1丁5.5 June 1979,Vol 50,No6,pp. 4356一4361. 在80到300K温度下测量了整个0 .205成x蕊0.220组分范围的接近Hgl一二Cd二Te基础吸收边缘的吸收。根据干涉图案得出了Hg,一考C(坛Te折射率的色散。发现吸收尾部服从于改进的urbach法则,并用20落a(厘米一‘)(2000的a=aoexp〔a(百一E。)/(T+T。)〕表示。拟合参数a。,a,T。和E。随x有规则地变化。表示式用于求作为二和T函数的能隙吸收…     

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红外器件4001 P型碲镉汞的少子寿命和扩散长度Minority carrier lifetime and diffusionlength in p-type mercury cadmium tellurideJ.L.Schmit,Honeywell Electro-Optics Center,AD.A071 094,153p(1979).研究少子性质与多子空穴受主浓度的关系。得出主要复合机理是肖克莱-里德复合,而不是辐时复合。复合中心处在价带顶以上140毫电子伏处,其浓度与受主浓度成比例。文中也介绍了材料的生长和退火问题。