反射对称操作（σ）在大规模集成电路管脚测量中的应用

反射对称操作（σ）在大规模集成电路管脚测量中的应用王瑜，杨颜峰，俞蕾，郑晓君，张荣，宋菲君（中国大恒公司北京１０００８０）平面封装器件（ＳｕｒｆａｃｅＭ。ｎｕｔｉｎｇＤｅｖｉｃｅ，简称ＳＭＤ）是近年来大规模集成电路的发展趋势。在封装流水线上，要求对Ｓ...     

集成电路封装技术常用术语（续Ⅲ）

集成电路封装技术常用术语（续Ⅲ）丁一６６ＳＯＪ（ＳｍａｌｌＯｕｔ－ＬｉｎｅＪ－ＬｅａｄｅｄＰａｃｋａｇｅ）Ｊ形引脚小外型封装。表面贴装型封装之一。引脚从封装两侧引出向下呈Ｊ字形，故此得名。通常为塑料制品，多数用于ＤＲＡＭ和ＳＲＡＭ等存储器ＬＳＩ电路，...     

关于SMT电路板焊装维修工艺的讨论

关于ＳＭＴ电路板焊装维修工艺的讨论（续完）三吉电子企业有限公司葛杰（北京１００００６）ＤｉｓｃｕｓｉｏｎｏｎＲｅｐａｉｒｉｎｇｏｆＳＭＴＰＣＢＳｏｌｄｅｒｉｎｇａｎｄＡｓｅｍｂｌｉｎｇ（Ｅｎｄ）ＧｅＪｉ１ＢＧＡ元件维修球栅管脚阵列（ＢＧＡ）集成电路（...     

多功能显示驱动,频率计数集成电路ICM7216D

ＩＣＭ７２１６Ｄ集定时测量、驱动显示、自动小数点位置选择等于一体，比一般的频率测量集成电路有显著的优越性。文章介绍了该集成电路的功能、管脚作用及使用方法，并给出了典型应用电路。     

ROHM公司CD／CDROM用集成电路一览表（续）

ＲＯＨＭ公司ＣＤ／ＣＤＲＯＭ用集成电路一览表（续）音频数模转换器品名电源电压（Ｖ）功能２倍转发器数字滤波器去加重衰减器特点封装ＢＵ９４８０Ｆ３．０～５．５电阻串方式○○小型封装，适应２ｆｓＤＩＰ８ＳＯＰ８ＢＵ９４８３ＦＳ５．０电阻串方式○○○用于３...     

MCM的检测技术

ＭＣＭ的检测技术中国航天工业总公司西安微电子技术研究所王毅编译多芯片组件（ＭＣＭ）作为与ＬＳＩ的高速化、多管脚化等器件技术的进步相对应的封装技术正在引起人们的关注。在布线基板上高密度封装若干个裸芯片（未封装的ＬＳＩ芯片）构成某种子系统的ＭＣＭ，是迄今...     

SGS-THOMSON公司功率MOS管选型指南

ＳＧＳＴＨＯＭＳＯＮ公司功率ＭＯＳ管选型指南ＶＤＤ（Ｖ）ＲＤＳ（ｏｎ）（ｍａｘ）（Ω）封装型号ＩＤｃｏｎｔ（Ａ）Ｐｔｏｔ（Ｗ）ＶＤＤ（Ｖ）ＲＤＳ（ｏｎ）（ｍａｘ）（Ω）封装型号ＩＤｃｏｎｔ（Ａ）Ｐｔｏｔ（Ｗ）１０００１０００１０００１０００１０００...     

芯片尺寸封装（CSP）技术的发展动态

芯片尺寸封装（ＣｈｉｐＳｉｚｅＰａｃｋａｇｅ简称ＣＳＰ）技术是一项焊接区面积等于或略大于裸芯片面积的单芯片封装技术，由于采用该项技术能解决芯片和封装之间芯片小封装尺寸大的内在矛盾、ＩＣ（集成电路）引脚不断增长、多芯片组件（ＭｕｌｔｉｃｈｉｐＭｏｄｕｌ...     

迅速发展的三维电子封装技术

引言３Ｄ是国际上近几年正在迅速发展着的电子封装技术，又称为立体微电子封装技术。各类ＳＭＤ（表面贴装器件）的日益微小型化，引线的细线及窄间距化，实质是可实现ｘ，ｙ平面（２Ｄ）上微电子组装的高密度化；而３Ｄ则是在２Ｄ的基础上进一步向ｚ方面，即向空间发展的...     

功率循环中表面安装器件（SMD）热变形的实时全息干扰测量研究

功率循环中表面安装器件（ＳＭＤ）的热应变是影响ＳＭＤ焊点可靠性的重要因素之一。本采用实时全息干涉度量法对一个具有１００条引线的塑料四边引线封装器件（ＰＱＦＰ）在功率循环中的热－力耦合离面变形场进行了测量，获得了分别们于ＰＱＦＰ和负责制电路版（ＰＣＢ）表面的离面变形数值，并根据两之间的变形失配，精确地计算出了引线和焊点的变形，为全面了解ＳＭＤ在功率循环条件下的热力学行为及分析ＳＭＤ焊点的疲劳失效     

功率循环中表面安装器件(SMD)热变形的实时全息干涉测量研究

功率循环中表面安装器件（ＳＭＤ）的热应变是影响ＳＭＤ焊点可靠性的重要因素之一．本文采用实时全息干涉度量法对一个具有１００条引线的塑料四边引线封装器件（ＰＱＦＰ）在功率循环中的热－力耦合离面变形场进行了测量，获得了分别位于ＰＱＦＰ和印制电路版（ＰＣＢ）表面的离面变形数值，并根据两者之间的离变形失配，精确地计算出了引线和焊点的变形，为全面了解ＳＭＤ在功率循环条件下的热力学行为及分析ＳＭＤ焊点的疲劳失效机理提供了精确可靠的实验数据．     

国营,合资,独资,孰领风骚？：我国集成电路产业市场分析

到中国投资去１９９６年可谓我国集成电路产业投资高潮迭起的一年。新年伊始，美国ＡＭＤ公司宣布在苏州工业园区的装配及测试工厂开始破土动工；２月，中日合资的首钢日电（ＳＧＮＥＣ）追加投资额１２０亿日元，建设生产４Ｍ／１６ＭＤＲＡＭ设备生产线；随后美国Ｈａｒｒｉｓ公司在苏州的半导体封装与测试工厂也相继动工；接下来日本富士通株式会社与中国电子进出口总公司、华越微电子有限公司在北京人民大会堂就富士通ＢｉＭｏｓ制造技术和设备转让达成协议。年中，Ｉｎｔｅｌ宣布计划在上海浦东外高桥保税区建立集成电路生产和销售服务…     

功率半导体器件的新发展

一、ＭＯＳ型功率半导体器件改变了功率变换技术的面貌一年一度的国际功率半导体讨论会（ＩＳＰＳＤ’９７）今年在德国召开。过去功率半导体器件的国际会议都包含在半导体器件（主要是集成电路，如ＩＥＤＭ会议）或应用技术（如ＰＥＳＣ，ＩＰＥＣ，ＩＡＳ）的会议中，而...     

移动通信技术的走势及对未来市场的影响

移动通信技术的走势及对未来市场的影响一、ＣＤＭＡ将成为主流自二战以来，ＣＤＭＡ技术就应用于军方的保密通信系统。但直到近几年来，由于ＤＳＰ（数字信号处理）和ＶＬＳＩ（超大规模集成电路）技术的飞速发展，才使其商用化成为可能。由于ＣＤＭＡ技术的开发厂家均在...     

DC－40GHzMMIC开关

ＤＣ－４０ＧＨｚＭＭＩＣ开关叶禹康，俞土法，伍祥冰（南京电子器件研究所，２１００１６）提要＊用微波单片集成电路（ＭＭＩＣ）技术设计制作了高隔离度、超快速ＤＣ－４０ＧＨｚＭＭＩＣ开关（ＳＰＳＴ）。开关采用串联、并联单元ＭＥＳＦＥＴ兼用的电路结构。芯片尺...     

DC－40GHzMMIC开关

ＤＣ－４０ＧＨｚＭＭＩＣ开关叶禹康，俞土法，伍祥冰（南京电子器件研究所，２１００１６）提要＊用微波单片集成电路（ＭＭＩＣ）技术设计制作了高隔离度、超快速ＤＣ－４０ＧＨｚＭＭＩＣ开关（ＳＰＳＴ）。开关采用串联、并联单元ＭＥＳＦＥＴ兼用的电路结构。芯片尺...     

芯片封装形式介绍

１、通孔封装（１）ＤＩＰ（双列直插式封装）此封装为常用封装形式，通常为有ＳＨ－ＤＩＰ（收缩双列直插式封装）、ＳＫ－ＤＩＰ（膜状双列直插式）、ＳＬ－ＤＩＰ（细长双列直插式），引脚数都为偶数，常见为１６、２４、４０脚等。（２）ＤＩＰ（单列直插式封装）此封...     

MHD封装的HZS—N系列通用齐纳二极管

ＭＨＤ封装的ＨＺＳ—Ｎ系列通用齐纳二极管通电４０ｍｓ后测量齐纳二极管电压。订货时请指明ＨＺＳ２．７ＮＢ１，…，ＨＺＳ９．１ＮＢ３。封装：ＤＯ—３４（ＭＨＤ）。MHD封装的HZS—N系列通用齐纳二极管...     

一种智能功率集成电路隔离技术

本文介绍一种智能功率集成电路（高边ＣＭＯＳ模拟开关）的隔离技术。对除开关管ＶＤＭＯＳ管以外的器件采用自隔离技术，ＶＤＭＯＳ管不是自隔离的。衬底电势的变化易引起电路闭锁，采用浮阱技术来防止电路闭锁。     

SMD型混合集成电路的发展

表面组装器件（ＳＭＤ０型混合集成电路是为适应电子整机对小型、轻量、薄形化需求而发展的一种新的复合功能型表面组装器件，是混合集成电路发展的又一新动向。ＳＭＤ型混合集成电路具有体积小、重量轻、适宜整机采用表面组装技术等优点。本文重点介绍了ＳＭＤ型混合集成电路近期的发展及其前景。