MCM7001型N-沟道MOS随机存储器——为微型信息处理机存储器设计提供新的可能性

1.MCM7001超高速MOS随机存储器 a.主要特点 MCM7001是1024字×1位(容量1K单元)的随机存储器(RAM),图1给出MCM 存储器所要求的主要功耗仅当芯选信号(CS)为高电平时才需要。在这一点上即使大的存储器系统中,其功耗也不会比被选的几个存储器大,实际上所选的存储器数量总和字长相适应的。因此,在大的存储器系统中就不存7001的逻辑图。其最大取数时间只有55毫微秒,它比同样规摸的其它MOS或双极型存储器(包括ECL双极型存储器)都快。与其它类型存储器相比,MOS器件的低功耗以及高速度成为其突出优点。表1给出三种不同类型1K单元存储器每位的功耗,取数时间及其乘积(速度-功耗积)。     

高速双极型1K位随机存储器(RAM)

要提高数据处理机的处理能力,就要提高所用元件的性能。在最新的计算机中,中央处理器(CPU)中已使用亚毫微秒逻辑元件。但是为直接对应于从这样高速的CPU 中取数,不能说缓冲存储器原来的几十毫微秒的速度就够了。作者从上述背景提出研制取数时间小于10ns、每芯片1K 位的超高速大容量缓冲存储器用的器件。这次,完成了电路设计,试制了存储器。本文扼要地介绍了试制存储器的设计和特性1 研制的目标和存储器的组成图1为公开发表的,并具有代表性的MOS和双极半导体存储器的取数时间与功耗的关系。同时,也给出了要试制存储器的性能的目     

ECL 256×1双极全译码随机存储器组件的电路设计

为了适应千万次以上的大型计算机对超高速存储器的要求,中国科学院上海冶金研究所和北京计算技术研究所共同研制了双极全译码 ECL256×1随机存储器组件。它采用泡发射极、对通隔离、单层布线工艺。存储单元为并联二极管双射极单元[1]-[4]。芯片面积为2.6×3.2mm~2。试制样品的地址取数时间一般小于23ns。最小写入脉冲宽度小于15ns。功耗一般小于500nW,电源电压-5V±10%。工作时最高环境温度75℃。本文介绍单层布线256×1存储器组件的线路设计和测试结果。     

硬件史话——内存篇

计算机主要由C PU与存储器等组成,存储器按照用途可以分为两大类:一类是外部存储器或辅助存储器,如硬盘;另一类是内部存储器,如主板上的内存条等。一、内存我们经常使用的内存,又被称作动态RAM。由于RAM是由电子器件组成,所以它只能用于暂时存放数据和程序,主要分为动态RAM和静态RAM。静态RAM,它的速度虽快,但成本高,由于它无需用持续的电流来保持数据,所以一般用作Cache M em ory,即缓冲存储器。而动态RAM,它的速度虽慢,但由于成本低,所以就成了我们今天看到的内存条了。它只能通过持续的电流来维持其存储的数据,只要一断电,保存…     

隧道二极管高速存储器

存储器的工作速度是决定计算机处理信息速度的重要因素之一。作者等计划在电气试验所正在研制的 MK-6型超高速计算机中采用隧道二极管高速存储器,现已试制成容量为17位×16字的存储器,它采用线选法,每个存储单元由一个电阻,一只隧道二极管和一只普通锗二极管组成。将其用在时钟频率为两相5兆周的小型实验样机中试验结果表明,读出时间可达100毫微秒,整个存储周期为200毫微秒。本文对其存储方式和试制装置及其实验结果作了介绍。     

2002年广州市初中信息技术考试题(笔试)

一、选择题 1.计算机存储容量的大小以字节B为单位.1KB等于( )。 A 1000B B.1024B C.1000×1000B D.1024×1024B 2下列设备中属于输出设备的是( )。 A.绘图仪 B.扫描仪 c数码相机 D.键盘 3.CP[j包括了( )。 A控制器和运算器 B.控制器和内存 c运算器和内存 D.主机和内存 4.下列软件中.属于系统软件的是( )。 A.WPS B.PowerPoi n1 C W_『ldows D ExceI 5.下列描述中不正确的是( )。 A.计算机的内存储器可分为ROM和RAM两部分 B随机存储器用ROM表示,只读存储器用RAM表示 C只读存储器的内容在停电后不会丢失 D.随机存储器既可…     

一个高速16K位n沟道MOS随机存储器

本文介绍一个高速16K位动态MOS随机存储器(RAM)的方案。这个存储器采用了先进的n沟道硅栅MOS工艺(5μm 光刻技术)制成的面积为22×36μm~2的单管单元。设计的主要特点是采用一个具有高速度(读取时间为200ns)和低功耗(400ns 周期内为600mw)的读出线路图。全译码存储器制在5×7mm~2的芯片上,并装配在22引线陶瓷的双列直插式封装内。     

大型通用计算机的高速处理方式

本文叙述了日立公司新近研制的超大型计算机M-200H系统。为了提高机器的处理性能,对逻辑设计以及硬件技术进行了各种改进。这里,值得注意的是:(1)加强了流水线控制方式(在一个机器周期内可进行二次缓冲存储器存取,消除了因指令不在所引起的流水线混乱);(2)与此有关的LSI的研制(在同一单片上集成3,072位高速存储元件和470门的逻辑电路)和缓冲存储器用高速(存取周期为5.5ns)1K位RAM。本文提要地叙述M-200H系统的高速处理方式。     

V-ATE存贮器使速度和位密度达到新水平

利用腐蚀V形槽,以最好的隔离介质——空气来填满的垂直各向异性腐蚀工艺(V-ATE)节省隔离间隙;结果得到1024位双极型随机存取存贮器(RAM),这仍然是不久前人们所期望的较高的位密度。     

西门子公司预告八台大型计算机

电子数据处理系统的性能越来越强,这种倾向近来不但得以证实,而且还在加强。根本的动力也许是继续迅速地发展主要影响价格/性能的工艺、使用更先进的操作系统、开拓新的应用范围,尤其有必要研究复杂的复合网络。随着预告西门子的四种型号计算机———7·761、7·762、7·770.7·780、7·700系列的性能大大地提高了。就单处理机(其工作速度超过4百万次/秒)和多处理机而言,这一步证实了慕尼黑西门子公司的研制能力,并给用户和市场在未来性能提高方面和胜任八十年代复杂任务方面带来了可靠保证。     

高速可变微程序存储器

本文介绍一种变压器耦合高速固定存储器(也称“只读”存储器)。信息存储在带印制导线的穿孔卡片上。孔是用一般的穿孔机穿的。存储信息的印制卡片的制作和修改都不难,而且可以迅速可靠实现。该存储器用在西门子4004处理机上。容量为1024字(或2048)×56位,工作周期为480ns原则上讲,这种存储器的工作速度还可以更高。研究表明,周期可以缩短到100ns,读出时间可降到65ns。     

等平面隔离结构的存储器件

等平面隔离工艺最适合于要求高集成度和高速度的电路。尽管在高速存储器的设计上可以考虑各种各样的电路技术,然而对于等平面隔离存储器而论,还是采取了ECL 形式。ECL 结构有快速性和复杂逻辑电路的通融性以及较好的速度与功耗乘积,而且片子的面积也比TTL 小,尤其是因为ECL 是不饱和工作方式,不需要掺金或加肖特基二极管箝位,从而外延基极工艺可以得到良好的性能。正因为这些理由,在存储单元、译码器读写电路方面采用ECL 方式。如果采用TTL 的器件时,在同一片上要附加ECL-TTL 输出、输入电平转换器,而采用ECL 电路时,可以把电平转换器改换成ECL 缓冲寄存器。这种设计方法使ECL 与TTL 存储器由同一基本设计得出。图1所示的是ECL 存储器单元和它的外围电路。触发器是由集-基直接耦合的晶体管Q_1与Q_2和负载电阻R_1、R_2所构成的。旁路二极管是为了在选中单元时得到比非选中时通过电阻的维持电流更大的电流。     

超高速存储器RDRAM的原理与应用

ＣＰＵ技术的不断提高和多媒体技术的广泛应用对计算机存储器在速度和容量上提出越来越高的要求，一批高速乃至超高速的存储器不断推陈出新，ＲＤＲＡＭ就是一种性能出众的超高速存储器。分析了ＲＤＲＡＭ的芯片结构，并结合具体的实例阐述了ＲＤＲＡＭ的应用环境和存储模型。     

随机存储器技术及其产品的发展展望

随着CPU主频超越千兆赫,存储器技术逐渐成为计算机内部体系结构性能的瓶颈。如果配置足够容量的高速存储器,较低主频的CPU的运行速度完全可以超过较高主频的CPU。本文对RAM技术及其常规产品进行了充分的研究和探讨,并将研究的注意力集中在增加动态RAM的带宽技术上。     

基于状态机的SDRAM控制器的设计与实现

现代计算机的基本框架仍是以冯·诺伊曼结构为基础,以中央控制单元和存储指令/数据的存储器之间的通信为支撑的。同步动态随机存储器(即SDRAM)与静态RAM相比具有容量大,成本低的优势;与传统异步DRAM相比其速度更快,所以得到了越来越广泛的应用。因此以简化主机对SDRAM访问为主要任务的SDRAM控制器的设计就变得更加重要。论文提出了一种基于状态机的SDRAM控制器的设计思路与实现,并通过了FPGA验证,完全达到系统的功能和速度要求。     

简化再生的动态N-沟道随机存储器

目前采用的N-沟道硅栅工艺的新的单元的设计,使得MOS随机存储器容量更大,密度更高,可以与磁心和双极型存储器相竞争。对计算机设计者得到的好处是N-沟道比P沟道随机存储器速度较快,而与同样大小的双极型存储器一样快。特别是简化再生只用0.01％的占空比可对整个存储器全部再生,使存储器能无形再生,无需存储器占线时间,并且在某些应用中,存储器全然不需要再生;存储单元的设计,使之功耗减小到磁心或双极的一小部分,去掉了时序和控制所必需的设备,诸如寻址再生、维持控制或预充,这样,大大降低了整个系统的成本(N-沟道MOS随机存储器每位的成本与P-沟道的相同)。     

RAM技术及其产品的发展和应用

随着CPU的主频超越千兆赫，存储器技术逐渐成为计算机内部体系结构性能的瓶颈。如果配置足够容量的高速存储器，较低主频的CPU的运行速度完全可以超过较高主频的CPU。文章对RAM技术及其常规产品进行了充分的研究和探讨，并将研究的注意力主要集中在增加动态RAM的带宽技术上。     

高速双极只读存贮器的设计考虑

本文描述一种完全用双极工艺制造的高速集成电路只读存贮器的设计发展和性能。讨论两种电路结构。第一种是以1024×1存贮器机构为基础的,第二种是第一种加上可变存贮器格式,三状态输出电路和芯片具有启动功能构成的。列举性能参数证实在已验证的集成电路工艺范围内,只读存贮器(ROM)具备在芯片上全译码,输入输出与标准集成逻辑电路(IC)相适应,1024位存贮器达到小于50毫微秒(ns)的取数时间。     

使用RAM盘提高硬盘的运行速度

磁盘驱动器的运行速度,在很大程度上影响着计算机的性能,本文将就如何使用RAM盘来提高硬盘的速度,作一些简单的介绍,以供参考。 安装RAM盘 RAM盘又称虚拟盘,是用存储器的一部分模拟磁盘驱动器而建立的。它的优点在于它比物理磁盘快10～20倍,因此,使用RAM盘能加快硬盘的运行速     

微型计算机群控线切割机床

本文介绍用一台微型计算机控制四台线切割机床,代替原分立元件控制台的工作。这种方法适用于对旧设备的技术改造。硬件部分是由8080CPU 模块、128×8RAM、1024×8ROM 为主构成的专用微机系统或使用 TP801型单板计算机。