中芯国际和新思科技携手推出Reference Flow4．0

半导体设计．验证和制造软件及知识产权（IP）供应商新思科技公司与中国内地最大的芯片代工企业中芯国际集成电路制造有限公司（“SMIC-”）日前宣布．将携手推出全新的65nm RTL-to-GDSII参考设计流程4．0（ReferenceFlow4．0）。作为新思科技专业化服务部与中芯国际共同开发的成果,该参考流程中增加了Synopsys Eclypse低功耗解决方案及IC Compiler Zroute布线技术。为设计人员解决更精细工艺节点中遇到的低功耗和可制造性设计（DFM）等问题提供更多的可用资源。     

中芯国际和新思科技携手推出Reference Flow4．0

全球领先的半导体设计、验证和制造软件及知识产权（IP）供应商新思科技公司与中国内地最大的芯片代工企业中芯国际集成电路制造有限公司日前宣布,将携手推出全新的65纳米RTL-to-GDSII参考设计流程4．0（Reference Flow 4．0）。作为新思科技专业化服务部与中芯国际共同开发的成果,该参考流程中增加了Synopsys Eclypse ^TM低功耗解决方案及IC Compiler Zroute布线技术,     

中芯国际和新思科技扩展40nm低功耗Reference Flow5．0

全球领先的半导体设计、验证和制造软件及知识产权（IP）供应商新思科技公司,与世界领先半导体代工企业之一中芯国际集成电路制造有限公司今日宣布：从即日起推出其40nmRTL—to—GDSII参考设计流程的5．0版本。此款经过生产验证的流程借助Synopsys的完整工具套件,将多样化的自动化低功耗和高性能功能整合在其中,给中芯国际的客户带来了目前芯片设计所需要的差异化性能和功耗结果。     

中芯国际和新思科技扩展40nm低功耗Reference Flow 5．0

新思科技公司与中芯国际宣布,推出其40纳米RTL—to—GDSII参考设计流程的5．0版本。此款经过生产验证的流程借助Synopsys的完整工具套件,将多样化的自动化低功耗和高性能功能整合在其中,给中芯国际的客户带来了目前芯片设计所需要的差异化性能和功耗结果。     

新思科技与中芯国际携手推出增强型90纳采参考流程，以降低集成电路的设计和测试成本

中芯国际集成电路制造有限公司日前宣布,共同推出一个支持层次化设计及多电压设计的增强型90纳米RTL-to-GDsII参考设计流程。该流程受益于当前最先进的逻辑综合、可测性设计（DFT）和可制造性设计（DFM）技术,其主要特性包括：Design Compiler TM Ultra产品的拓扑综合（topographical synthesis）     

中芯国际和Cadence共同推出用于65nm的低功耗解决方案Reference Flow 4．0

电子设计企业Cadence设计系统公司宣布推出一款全面的低功耗设计流程,面向基于中芯国际65nm工艺的设计工程师。该流程以Cadence低功耗解决方案为基础,通过使用一个单一．全面的设计平台,可以更加快速地实现尖端、低功耗半导体产品的设计。     

新思科技借助纳米低功耗性能

新思科技公司与世界领先的半导体代工企业之一中芯国际集成电路制造有限公司（”中芯国际”,纽约证交所股票代码：SMI,香港联合交易所股票代码：981）日前宣布：从即日起推出其40nmRTL-to-GDSII参考设计流程5．0版本。此款经过生产验证的流程借助Synopsys的完整工具套件,将多样化的自动化低功耗和高性能功能整合在其中,给中芯国际的客户带来了目前芯片设计所需要的差异化性能和功耗结果。     

中芯国际与安捷伦科技合作建立RFIC测试联合实验室

全球最大的芯片代工厂之一-中芯国际集成电路制造有限公司与全球最大的测试测量公司安捷伦科技共同宣布合作建立“中芯国际-安捷伦科技RFIC联合实验室”，旨在为中国的无线通信射频集成电路及其模块和移动通讯终端产品的研发、设计、流片、测试提供强有力的技术保障。该实验室的建立有助于提高RFIC设计公司的设计能力，缩短设计流片周期，提高芯片的一次性成功率，确保RFIC公司的产品可以尽快成功上市。[第一段]     

新思携手中芯国际推65／40nm的SoC设计解决方案

新思科技有限公司和中芯国际集成电路制造有限公司近日宣布已正式提供用于中芯国际先进65-nm工艺的系统级芯片（SoC）综合设计解决方案。该解决方案将Synopsys丰富的DesignWare接口、模拟IP产品组合和其它基础性IP,     

中芯国际和灿芯半导体携手合作

<正>中芯国际集成电路制造有限公司11月15日宣布即将投资灿芯半导体——一家上海ASIC设计以及Turnkey服务公司。该协议允许灿芯为客户提供基于中芯国际领先的代工制造和IP技术的完整的设计以及制造方案。具体的增值服务包括:特定应用架构和RTL设计,领先的物理设计,以及包括测试和包装等完整的产品化服务。该合作整合了IC设     

中芯国际荣获高通公司供应商奖

中国内地规模最大、技术最先进的集成电路晶圆代工企业中芯国际集成电路制造有限公司,日前宣布荣获来自客户高通公司的）“10亿颗产品里程碑奖”,授奖仪式在中芯国际上海总部举行。     

中芯国际荣获高通公司供应商奖

中芯国际集成电路制造有限公司,中国内地规模最大、技术最先进的集成电路晶圆代工企业,近日宣布,荣获来自客户高通公司的．“10亿颗产品里程碑奖”,授奖仪式在中芯国际上海总部举行。     

中芯国际与Dolphin联手提供0．35μmEEPROM微处理器内核

中芯国际集成电路制造有限公司与Dolphin公司进一步合作，共同提供卓越的Flip8051虚拟核心微处理器内核(Virtual Components Microprocessor Core)，该内核率先针对中芯国际0．35μmEEPROM工艺进行订制优化。此外，中芯国际的客户还将受益于Dolphin公司的混合信号模拟工具SMASH，     

中芯国际推出多元化eNVM技术平台

为客户提供更低成本,更佳性能和更灵活的设计,中芯国际集成电路制造有限公司,中国内地规模最大、技术最先进的集成电路晶圆代工企业,宣布推出多元化嵌入式非挥发性记忆体（eNVM）平台。     

中芯国际与联合科技在成都合资建立芯片封测公司

中芯国际集成电路制造有限公司日前宣布与联合科技(股份有限)公司达成协议，以合资方式在中国成都建立芯片封装及测试服务公司。     

中芯国际和灿芯半导体携手合作提供集成电路整合性生产服务

中芯国际集成电路制造有限公司日前宣布即将投资灿芯半导体,一家上海ASIC设计以及Turnkey服务公司。该协议允许灿芯为客户提供基于中芯国际领先的代工制造和IP技术的完整的设计以及制造方案。具体的增值服务包括：特定应用架构和RTL设计,领先的物理设计,以及包括测试和包装等完整的产品化服务。     

中芯和安格科技宣布USB 3．0 digniPHY IP

中芯国际集成电路制造有限公司以及安格科技股份有限公司,一个新兴的、推动消费电子设备和计算机外部设备USB3．0装置端市场的高速SerDes IP供应商,日前共同宣布,安格科技的USB3．0digniPHY已可在中芯国际的0．13μm工艺技术使用。     

中芯国际宣布委任新非执行董事 重新指派非执行董事为替任董事

中芯国际集成电路制造有限公司于1月30日宣布于2009年1月23日起委任周杰先生为该公司的非执行董事以及重新指派非执行董事汪正纲先生为周先生的替任董事。     

中芯国际获特许SAIFUN NROM技术

中芯国际集成电路制造有限公司（中芯国际）以及SAIFUN半导体日前共同发布公告，中芯国际已经在其以闪存为基础的产品上获特许使用SAIFUNNROM技术。     

中芯国际2006年技术研讨会在上海召开

<正>中芯国际集成电路制造有限公司(SMIC)于9月8日在上海举行了中芯国际2006年技术研讨会。本次研讨会吸引了三百多位来自全球各地的客户、芯片设计工程师、技术合作伙伴与供应商等的参与。