高效成品吸声材料的应用

体育馆的建声多年来是声学界比较棘手的问题之一,主要是因为体育馆的容积比较大,尤其是近几年在馆内普遍采用网架结构,使人均容积变得更大;同时供声学装修的面积有限,这给体育馆建筑声学的设计和吸声材料的选用带来一定难度。面对这些问题,笔者结合海军工程大学体育馆的声学装修工程作初步探讨。     

pDCH聚合物纤维在传感器中的应用

介绍了pDCH聚合物纤维的结构、制作方法、力学性能,综述了该纤维与环氧树脂复合成复合材料的应力转移效果等问题的研究现状,提出并论述了它同时作为增强纤维材料和传感材料使用的可行性。     

扫描电镜在剑麻纤维质量分级中的应用

剑麻是我国华南地区重要的热带经济作物 ,它的用途一直以来主要是用于制造各种绳索和绳纱等。但随着人们生活水平的提高 ,这些老产品已不能满足现代人的需要。目前 ,剑麻制造商正在利用剑麻纤维化学改性后制成各种迎合现代人需求的墙壁、地板、天花板等装饰材料 ,而不同的纤维细胞长度在一定程度上影响产品的质量 ,纤维的微观结构在决定产品工艺操作和质量上也有一定的作用 ,一般来说 ,纤维单位细胞的长宽比 (长度 /宽度 )较大 ,则强度也较大 ,即纤维单位细胞的形态可表明它们是否适合于制造各种装饰材料 [1]。所以对剑麻纤维细胞的微观分级…     

铝纤维及其在汽车工业中的应用

铝纤维的用途越来越广，尤其引人注目的是，它在汽车工业领域找到了新的用途，本文将作介绍。     

AutoCAD在厚膜版图设计中的应用

主要介绍了AutoCAD在厚膜版图设计中的应用，并在此基础上简要阐述了使用AutoCAD设计厚膜版图的一些方法。     

MCM在厚膜混合集成电路中的应用

本文结合厚膜混合集成电路的设计、制造工艺，介绍了MCM技术的应用，详细说明了如何针对MCM的特点进行厚膜混合集成电路的设计，阐述了设计要求、材料的特点及工艺的控制方法。     

LB绝缘膜在微电子技术中的应用

本文研究了半导体技术中绝缘介质膜的发展趋势和LB绝缘膜/半导体结构的最新进展。在有机/无机兼容的前提下,阐述了LB绝缘膜在微电子领域中最有吸引力的方向。     

吸声无纺布在金属穿孔板中的应用

金属穿孔板是现代公共建筑中一种新型的室内装饰材料，它还可以作为吸声材料的护面材料，广泛用于机场候机楼、地铁车站、会议厅、宾馆大堂、展览馆、影剧院、体育馆等公共建筑。文中介绍SoundTex吸声无纺布的材料特性并对其与金属穿孔板复合后的吸声特性进行了实验研究。     

厚膜光刻工艺在PDP中的应用

简要介绍了表面放电型ACPDP制作工艺中电极、障壁和荧光粉的厚膜光刻技术,并对这些工艺中所存在的一些问题进行分析和讨论。     

AIN膜及其在半导体光电器件中的应用

本文报道溅射AlN膜及其应用于半导体光电器件的实验研究结果。测定了不同条件下溅射的AlN膜厚度、淀积速率、折射率和击穿电场强度。首次用AlN膜做器件的端面保护和减反射膜以及表面钝化膜均获得成功。几种常用介质膜的实验数据对比分析表明AlN膜在半导体光电器件领域将有广阔应用前景。     

以陶瓷厚膜为绝缘层的绿色薄膜电致发光器件

首次报道了采用高介电常数的陶瓷厚膜作绝缘层、ＺｎＳ∶Ｅｒ作发光层的绿色薄膜电致发光器件（ＣＴＦＥＬ）。器件结构为陶瓷基片／内电极／陶瓷厚膜／发光层（ＺｎＳ∶Ｅｒ）／透明电极（ＺｎＯ∶Ａｌ）。发光层是用电子束蒸发制备的,透明电极是采用溅射法制备的。器件在市电频率驱动下发出明亮的绿光,研究了器件的亮度－电压和效率－电压等特性。     

基于AM-OLED基板的拓展多晶硅薄膜功能层的研究

在有源寻址有机发光二极管（active matrix organic light emitting diode, AM-OLED）显示基板中,将电学功能层--薄膜晶体管（thin film transistor, TFT) 有源层材料p型掺杂金属诱导晶化（metal induced crystallized, MIC）多晶硅（p+-MIC poly-Si）薄膜的版图适当延伸,来充当OLED的阳极,由于它具有低方块电阻、高功函数的电学特性和半反半透、低吸收率的光学特性,与OLED的金属铝阴极形成了微腔器件,成功地形成了显示基板上的多晶硅薄膜的光学功能层. 对这一功能层的厚度进行了优化,比较了不同厚度下TFT器件的电学特性和OLED的光学特性. 当其厚度为40nm时为最佳厚度,此时,TFT器件场迁移率、阈值电压、亚阈值幅摆、电流开关比和栅压诱导漏极漏电等性能为最佳,且红光微腔式OLED (microcavity-OLED, MOLED）的出光强度增大,光谱窄化,电流效率与功率效率均有所提高. 这不仅使器件的性能有所提高,而且大大地简化了AM-OLED基板的制备流程.     

基于AM-OLED基板的拓展多晶硅薄膜功能层的研究

在有源寻址有机发光二极管(active matrix organic light emitting diode,AM-OLED)显示基板中,将电学功能层--薄膜晶体管(thin film transistor,TFT)有源层材料p型掺杂金属诱导晶化(metal induced crystallized,MIC)多品硅(p+-MIC poly-Si)薄膜的版图适当延伸,来充当OLED的阳极,由于它具有低方块电阻、高功函数的电学特性和半反半透、低吸收率的光学特性.与OLED的金属铝阴极形成了微腔器件,成功地形成了显示基板上的多晶硅薄膜的光学功能层.对这一功能层的厚度进行了优化,比较了不同厚度下TFT器件的电学特性和OLED的光学特性.当其厚度为40nm时为最佳厚度,此时,TFT器件场迁移率、阈值电压、亚阈值幅摆、电流开关比和栅压诱导漏极漏电等性能为最佳,且红光微腔式OLED(microcavity-OLED,MOLED)的出光强度增大,光谱窄化,电流效率与功率效率均有所提高.这不仅使器件的性能有所提高,而且大大地简化了AM-OLED基板的制备流程.     

ZnS：Mn交流薄膜电致发光陶瓷灯

报道了一种直接用５０Ｈｚ，２００Ｖ市电驱动的ＺｎＳ：Ｍｎ薄膜电致发光器件，使用高介电常数，低损耗的反铁电陶瓷片作为器件的绝缘层，同时也作为器件的基片，它具有功耗低，亮度较高，呈薄片状国经，性能稳定，寿命长耐压高，使用安全可靠等优点，是新一代的节能型中等亮度的平面显示器件。     

基于AlN膜钝化层的高功率垂直腔面发射激光器

高功率垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)内部的自生热是影响器件功能的重要因素,为改善器件的散热性能,采用AlN膜做钝化层研制了基于AlN膜钝化层的980 nm高功率VCSEL器件。对高功率VCSEL进行模拟仿真与理论分析表明,采用AlN膜钝化层可以改善器件内部的温度分布,降低器件的热阻,提高器件的散热能力;采用相同的外延片与工艺实验制备了出光孔径同为200μm的AlN膜钝化层和传统的SiO2膜钝化层的高功率VCSEL器件;对两种不同的钝化层的器件性能进行了实验对比测试,结果表明AlN膜钝化层的高功率VCSEL器件室温下的最大输出功率可达470 mW,比同温度下SiO2膜钝化层的高功率VCSEL器件的最大输出功率高140 mW。AlN膜钝化层的高功率VCSEL在外界温度80℃时,仍能正常激射,具有良好的温度适应性与光电性能。     

相图--解释金属化层稳定性和薄膜反应的热力学方法

介绍了计算相图的起因与发展 ,综述了利用 Gibbs生成自由能数据绘制简化的三元、四元相图的热力学方法 ,尤其是确定相图中直达连线的思想方法 ,最后给出了利用相图来解释金属化层稳定性和薄膜反应的应用实例。     

p-Si TFT栅绝缘层用SiN薄膜的研究

以NH3和SiH4为反应源气体,采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法在多晶硅(p-Si)衬底上沉积了一系列SiN薄膜,并利用椭圆偏振测厚仪、超高电阻-微电流计、C-V测试仪对所沉积的薄膜作了相关性能测试.系统分析了沉积温度和射频功率对SiN薄膜的相对介电常数、电学性能及界面特性的影响.分析表明,沉积温度和射频功率主要是通过影响SiN薄膜中的Si/N比影响薄膜的性能,在制备高质量的p-Si TFT栅绝缘层用SiN薄膜方面具有重要的参考价值.     

原子层沉积超薄氮化铝薄膜的椭圆偏振光谱法表征

采用原子层沉积(ALD)工艺在硅衬底上生长了35 nm以下不同厚度的超薄氮化铝(AlN)晶态薄膜。利用椭圆偏振光谱法在波长275~900 nm内测量并拟合薄膜的厚度及折射率和消光系数等光学参数。利用原子力显微镜(AFM)表征AlN晶粒尺寸随生长循环次数的变化,计算得到薄膜表面粗糙度并用于辅助椭偏模型拟合。针对ALD工艺特点建立合适的椭偏模型,可获得AlN超薄膜的生长速率为0.0535 nm/cycle,AlN超薄膜的折射率随着生长循环次数的增加而增大,并逐渐趋于稳定,薄膜厚度为6.88 nm时,其折射率为1.6535,薄膜厚度为33.01 nm时,其折射率为1.8731。该模型为超薄介质薄膜提供了稳定、可靠的椭圆偏振光谱法表征。     

双层细晶粒Glass／Al／BiGaDyIG薄膜的磁光性能

快速循环晶化Ａｌ／ＢｉＧａＤｙＩＧ双层膜的研究结果表明，由于晶粒细化及膜层间干涉增强效应，在０．１～１．３μｍ膜厚范围．其平均有效法拉第角比单层膜增加了０．２５°，且随循环次数增加而增大。同时．部分ＡＩ３＋离子在退火期间扩散进石榴石的八面体和四面体位，导致居里温度下降（１４０～１６１μ）。这些结果对提高石榴石磁光盘信噪比以及增大记录密度是极有意义的。     

退火温度对生长在TiO2缓冲层上的ZnO薄膜的影响

采用电子束蒸发技术在TiO2缓冲层上沉积了ZnO薄膜,研究了不同的退火温度对薄膜晶化质量及发光性质的影响.利用X射线衍射仪和扫描探针显微镜分析了薄膜样品的结构性质,利用荧光光谱仪研究了薄膜样品的光致发光性质.分析结果表明,退火处理后的ZnO薄膜都沿c轴择优牛长.在600℃下退火的样品具有最强的(002)衍射峰、最强的紫外发射和最弱的可见光发射,其晶粒大小均匀.紧密堆积.而对于在500和700℃下退火的样品,其可见光发射较强.这表明在600℃下退火的样品具有最好的晶化质量.