含Eu^3＋红色窄带发射的电压变色的有机电致发光

本文研究了含有稀土有机配合物的有机电致发光（ＯＥＬ）器件，这种器件在改变驱动电压时可获得不同的ＯＥＬ发射颜色，其中红色分类自Ｅｕ（１１１）离子的特征发射，在正向偏压的１０，１５和２０Ｖ时可分别获得红，绿和黄色的ＯＥＬ发射。     

有机薄膜电致发光器件的结构

有机薄膜电致发光现象及其广阔的应用前景，激发了人们的研究兴趣。本文介绍了器件结构的研究现状。     

含Eu~(3+)红色窄带发射的电压变色有机电致发光

本文研究了含有稀土有机配合物的有机电致发光（ＯＥＬ）器件。这种器件在改变驱动电压时可获得不同的ＯＥＬ发射颜色，其中红色成分来自Ｅｕ（１１１）离子的特征发射。在正向偏压为１０，１５和２０Ｖ时可分别获得红，绿和黄色的ＯＥＬ发射。     

不同空穴注入电极对有机薄膜电致发光性能的影响

成功地制备了用铝掺杂的氧化锌（ＡＺＯ）透明导电膜作阳极的有机薄膜电致发光器件，并对单层和双层结构的ＡＺＯ器件以及以两种不同ＩＴＯ作阳极器件的电致发光光谱，电流电压特性，亮度电压特性以及电致发光量子效率进行了详细的比较分析和讨论。     

有机薄膜的电致发光

合成了发光色素荧光黄，制备了以荧光黄为发光材料的有机薄膜电致发光器件，测定了它的电光性质，得到了在直流驱动电压６Ｖ下的绿色发光，并探讨了荧光黄的发光机理。     

有机电致发光材料

有机电致发光是近年来国际上的一个研究热点,有机电致发光器件具有低压驱动,高亮度,高效率以及能实现大面积彩色显示等优点,在介绍有机电致发光器件的结构和发光原理的基础上,重点介绍了目前用于有机电致发光的各类有机小分子材料和高分子材料。     

有机电致发光器件的效率及寿命

有机电致发光器件的效率取决于电子和空穴的有效注入和复合.电极材料和有机材料的稳定性以及电极/有机层之间的界面处的相互作用是制约有机电致发光器件寿命的主要因素.     

柔性有机薄膜电致发光显示材料及器件

有机薄膜电致发光显示器件(OLED)近年来得到了迅猛发展,是未来全固体平板式彩色显示器的重要候选者,其最大优势之一是可以制作成柔性显示器件。本文综述了柔性有机电致发光材料及器件的发展概况、工作原理与优缺点,目前制作此类器件中存在的困难及解决这些困难的有效措施。     

有机电致发光器件的研究进展

有机电致发光器件(OELD)具有驱动电压低,功耗小,亮度高,响应速度快等优点,由其制作有机发光显示器件已被视为下一代最理想的显示技术.在简要介绍OELD器件结构、发光机理和制备工艺的基础上系统阐述了有机发光材料、OELD显示器件及驱动技术的研究进展,最后展望了该领域目前存在的问题及可能的解决方向.     

高效稳定性有机黄光电致发光器件

主要通过红绿磷光材料R-4B和GIr1掺杂的方法,制备了黄光OLED器件,器件结构为ITO/MoO3(X)/NPB(40nm)/TCTA(10nm)/CBP:GIr1 14%:R-4B2%(30nm)/BCP(10nm)/Alq3(40nm)/LiF(1nm)/Al(100nm),TCTA和BCP分别为电子和空穴阻挡材料,同时结合TCTA和BCP对载流子的高效阻挡作用,研究了MoO3对器件效率和稳定性的影响。发现当增加MoO3的厚度为90nm时,在较大的电压范围内,器件都具有较高的效率和色坐标稳定性。在电流密度为7.13mA/cm2时,器件达到最高电流效率29.2cd/A,亮度为2081cd/m2;电流密度为151.7mA/cm2时,获得最高亮度为24430cd/m2,电流效率为16.0cd/A;器件色坐标稳定性较好,当电压为5、10、15V时,色坐标分别为(0.5020,0.4812)、(0.4862,0.4962)、(0.4786,0.5027)。器件性能的改善主要归因于载流子注入与传输的平衡以及阻挡层对发光区域的有效限定。     

薄膜应力的研究进展

薄膜应力对薄膜性能具有重要的影响。主要介绍了薄膜应力形成机理和应力实验的研究进展,并探讨了薄膜应力研究的发展趋势。通过选择适当的工艺条件以及表面处理可以改变薄膜的应力分布,提高薄膜的性能。     

用电共沉积方法制备InGaAs薄膜

用电共沉积方法制备出4种InGaAs薄膜,用能谱析仪分析了薄膜成分,用分光光度计和单色仪测量薄膜的透射率。结果表明,InxGa1-xAs薄膜为多晶结构,晶粒尺寸约为0.25μm,晶粒细致、均匀,其V－I特性是线性的,随着Ga含量的减少,发光波长增大。InGaAs薄膜的发射光波长为1.3-1.5μm。     

减压法制备TIO2薄膜的研究

主要研究了减压法制备 Ｔ Ｉ Ｏ２ 薄膜过程中氧气及水的变化对薄膜沉积率的影响; 对 Ｔ Ｉ Ｏ２ 薄膜生长反应动力学进行了研究。为制备优制 Ｔ Ｉ Ｏ２ 薄膜奠定了基础。     

AZO透明导电薄膜的制备技术及应用进展

概述了国内外AZO透明导电薄膜的多种制备技术和开发应用进展。详细介绍了磁控溅射、溶胶-凝胶、脉冲激光沉积、真空蒸镀、化学气相沉积等工艺在AZO薄膜制备中的研究现状,并且在对AZO膜与ITO膜性能比较的基础上,指出AZO薄膜的产业化前景好。     

影响TiO2薄膜表面形貌的因素

通过电子显微镜的观察,得到了TiO2表面形貌的分布、大小、形状等,并就影响TiO2薄膜表面形貌的主要因素,如温度、基片种类、退火温度等进行了研究.实验得出在350～600℃温度制备的薄膜表面粒子分布均匀、大小一致.     

ZnSe薄膜的增强吸收光双稳

报道了用常压ＭＯＣＶＤ生长的ＺｎＳｅ薄膜的光学非线性。在７７Ｋ下用纳秒脉冲激光观测到ＺｎＳｅ薄膜的增强吸收光双稳特征，非线性机理可能是由激子Ｃｏｕｌｏｍｂ相互作用屏蔽引起的。     

化学法合成Fe3O4薄膜

研究了用化学法在α－Ａｌ２Ｐ３基片上合成多晶Ｆｅ３Ｏ４基薄膜的原理及工艺，探讨了Ｆｅ＾２＋浓度、溶液的ｐＨ值、温度及阴离子种类等因素对合成膜的影响，分析了膜的组成、结构和导电性。     

以陶瓷厚膜为绝缘层的电致发光器件研究

研制了以四元系组分ＰＭＮ－ＰＴ－ＰＦＮ－ＰＣＷ陶瓷厚膜为绝缘层的电致发光器件，对陶瓷厚膜的制备条件和制得的厚膜与器件的发光性能的关系进行主详细的研究。特别对基片要求和印刷烧制等工艺进行了探讨。