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从征 《激光与光电子学进展》1999,(10)
显示和光动力治疗之类的应用都要求在短至650nm波长有几瓦输出功率。加州光谱二极管实验公司(SDL)的研究人员最近演示了他们认为是创记录的输出功率,在单片激光列阵上输出15W(637nm波长)和6W(626nm波长)连续波功率。在光纤耦合输出功率为3W时,光纤耦合的630nm波长激光条,寿命试验达到700小时而没有性能下降,光纤耦合是光动力治疗应用所优先选用的。器件设计成在两个磷化铝镓铟(AlGaInP)波导区之间夹有一个磷化镓铟(GaInP)应变量子阱激活区,波导区的p侧和n侧有AlInP包层… 相似文献
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从征 《激光与光电子学进展》2000,(2)
山本量子波动项目的研究人员已成功地发展了一种发射固定频率单光子的半导体器件。该组在斯坦福大学集成系统中心和 E.L.Ginzton实验室制作了该器件。器件由圆柱构成的规则列阵所覆盖的砷化镓铝组成 ,其中列阵的每一圆柱都可能是一个光子源 (图 1 )。单光子在每一圆柱底部附近的量子阱中产生。图 1 用扫描电子显微镜揭示的典型圆柱结构 ,它由蚀刻法制成 ,柱的直径约 2 0 0 nm,高度约 70 0 nm。结位于离柱顶 6 0 0 nm处。实验中 ,只对这些柱中的一根进行电气连接量子计算机、量子通信器件和高精度光电探测器全需要使用单光子光源。普通单… 相似文献
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多单元半导体激光器的高亮度光纤耦合输出 总被引:3,自引:0,他引:3
设计并研制了一种多单元半导体激光器的高亮度光纤耦合输出模块.激光器芯片采用分子束外延(MBE)方法生长的宽波导、双量子阱结构AlGaAs/GaAs激光器外延材料,激光器模块采用4只准直的单条形大功率半导体激光器,器件腔长为2 mm,发光区宽度为100μm,单条形器件的连续输出功率为5.0 W,每两只单条形器件的准直输出光束经过空间合束后再通过偏振合束,实现了多单元器件输出的高光束质量功率合成,采用简单的平凸透镜实现了合束光束与100μm芯径、数值孔径(NA)0.22石英光纤的高效耦合,耦合效率高达79%,输出功率达10.17 W,光纤端面功率密度达1.0×105W/cm2. 相似文献
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叙述第二代军用热象仪的进展及其在军事上的应用,着重介绍各种红外敏感材料制作的焦平面列阵,包括硅肖特基势垒器件,锑化铟电荷注入器件,碲镉汞混合式焦平面列阵,以及有发展前途的砷化镓砷铝镓多重量子阱单片式焦平面列阵。 相似文献
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数值模拟了结构参数(超辐射区腔长和脊宽,光放大区腔长和张角)对双注入区量子点超辐射发光管器件性能(光谱和功率等)的影响。结果表明,当器件超辐射区注入电流和放大区注入电流均固定时,随着超辐射区腔长的增加,输出光谱中激发态强度减弱,基态强度先增强后减弱;随着放大区腔长的增加,输出光谱中基态强度增加,激发态强度先增加后减弱。超辐射区脊宽越大,逆向光波耦合到超辐射区的耦合系数越大,输出光强度越小。放大区张角越大,逆向光波耦合到超辐射区的耦合系数越小,输出光强度越小。为设计和优化该类型器件结构提供一定的依据。 相似文献
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量子阱无序的窗口结构InGaAs/GaAs/AlGaAs量子阱激光器 总被引:3,自引:0,他引:3
对SiO2薄膜在快速热退火条件下引起的空位诱导InGaAs/GaAs应变量子阱无序和SrF2薄膜抑制其量子阱无序的方法进行了实验研究。并将这两种技术的结合(称为选择区域量子阱无序技术)应用于脊形波导InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器,研制出具有无吸收镜面的窗口结构脊形波导量子阱激光器。该结构3μm条宽激光器的最大输出功率为340mW,和没有窗口的同样结构的量子阱激光器相比,最大输出功率提高了36%。在100mW输出功率下,发射光谱中心波长为978nm,光谱半宽为1.2nm。平行和垂直方向远场发散角分别为7.2°和30° 相似文献
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量子线和量子箱激光器—下一代高性能半导体激光器 总被引:1,自引:0,他引:1
本文讨论了量子线和量子箱激光器的特性,如呈现非常低的阈值电流、展宽的调制带宽和窄的谱线宽度。还介绍了量子尺寸结构的制造工艺、尺寸起伏和非线性增益对激射特性的影响。最后给出量子微腔激光器的新概念。 相似文献
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杜戈果 《电气电子教学学报》2008,30(2):40-42
在“激光原理”课程的教学中,针对易混淆的量子效率、荧光效率、斜率效率等概念进行了诠释,并对不同文献中出现的相关概念进行了辨析。对掺铥光纤激光器中出现的量子效率大于100%的特殊情况进行了分析。有助于学生及同行对这些概念的理解和掌握。 相似文献
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OpticalPropertiesofMQWOpticalWaveguidesinElectroabsorptionMQWModulatorYiZhouYangYuYixinChen(InstituteofOptics&PhotonicsDepar... 相似文献
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根据发展历史的顺序,对量子阱垂直腔面发射激光器微腔物理进行了概述,其中包括垂直腔面发射激光器、腔量子电动力学和半导体微腔物理。给出半导体垂直腔面发射激光器及其微腔物理思想来源的详细图像。 相似文献
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We report a low-cost manufacturing approach for fabricating monolithic multi-wavelength sources for dense wavelength division multiplexing(DWDM)systems that offers high yield and eliminates crystal regrowth and selective area epitaxy steps that are essential in traditional fabrication methods.The source integrates an array of distributed feedback(DFB)lasers with a passive coupler and semiconductor optical amplifier(SOA).Ridge waveguide lasers with sampled Bragg side wall gratings have been integrated using quantum well intermixing to achieve a fully functional four-channel DWDM source with 0.8 nm wavelength spacing and residual errors<0.13 nm.The output power from the SOA is>10 mW per channel making the source suitable for use in passive optical networks(PONs).We have also investigated using multisection phase-shifted sampled gratings to both increase the effective grating coupling coefficient and precisely control the channel lasing wavelength spacing.An 8-channel DFB laser array with 100 GHz channel spacing was demonstrated using a sampled grating with twoπ-phase-shifted sections in each sampling period.The entire array was fabricated by only a single step of electron beam lithography. 相似文献