钛酸锶钡改性掺杂的研究进展

介绍了国内外近几年钛酸锶钡(Strontium Barium Titanate,BST)在掺杂改性方面的研究现状及各种掺杂对BST介电性能的影响,重点讨论了不等价掺杂及掺杂量对漏电流和介电损耗的影响,论述了材料组成、显微结构与介电性能之间的关系.最后提出了关于掺杂改性方面存在的问题.     

钛酸锶掺杂改性研究进展

钛酸锶SrTiO3(STO)具有优良的铁电、介电性能,在可调谐微波器件、动态随机存储器、红外探测器阵列等方面具有良好的应用前景。综述了近年来STO掺杂改性研究所取得的进展,对施主掺杂和受主掺杂进行了较详细的评述,并对目前STO掺杂研究的几个前沿问题进行了详细的讨论。     

铁电钛酸锶钡薄膜的最新研究进展

铁电钛酸锶钡(BaxSrl-xTiO3)是一种拥有十分优越铁电／介电性能的材料，在可调谐微波器件及动态存储器件方面具有很好的应用前景．本文概括介绍了BaxSr1-x-TiO3薄膜的研究意义、基本结构、制备方法、各种性能特征及其表征方法与应用展望，并对当前BaxSr1-xTiO3薄膜研究中的几个重要前沿问题进行了详细讨论．     

应用于DRAMs的钛酸锶钡薄膜的研究进展

随着DRAMs存储密度的增加,传统材料已不再适用于将来的DRAMs技术的发展.在目前研究的新型替代材料中,钛酸锶钡以其优越的介电性能越来越引起人们的关注.介绍了随DRAMs的发展趋势,钛酸锶钡薄膜的研究进展,包括其制备方法、研究状况及影响其介电性能的因素,并提出了下一步研究工作中需要解决的几个问题.     

钛酸锶钡(BST)薄膜的介电性能机理研究进展

钛酸锶钡 (BST)薄膜是一种重要的铁电薄膜 ,应用广泛 ,是高新技术研究的前沿和热点之一。简要介绍BST薄膜的制备方法和应用 ,重点讨论BST薄膜的极化、电压非线性、漏电流的机理、表征及影响因素 ,并综述了铁电薄膜的疲劳机制和消除疲劳措施等方面的研究进展 ,提出了研究中需要解决的一些问题     

钛酸锶钡(BST)薄膜的组成、结构与性能研究进展

钛酸锶钡 (BST)薄膜是一种重要的铁电薄膜 ,应用广泛 ,是高新技术研究的前沿和热点之一。简要介绍了BST薄膜的制备方法和应用 ,对此薄膜的基片、电极、晶界、界面、热处理、膜厚及组成、结构、性能等方面作了重点讨论 ,提出了研究中需要解决的一些问题     

氧化硼掺杂钛酸锶钡梯度陶瓷致密化及介电性

研究了氧化硼(B2O3)掺杂量及烧结温度对钛酸锶钡(Ba1-xSrxTiO3，x=0～0．4)致密化行为及其微观组织的影响，确定了不同成分钛酸锶钡中氧化硼掺杂量．随后，采用一系列Ba1-xSrxTiO3掺杂粉体，烧结制备了钛酸锶钡梯度陶瓷，并测试了其介电性能．结果表明，钛酸锶钡掺杂适量氧化硼明显降低烧结温度，在1300℃即可烧结致密化，比未掺杂相同成分的钛酸锶钡陶瓷烧结温度至少降低100℃；烧结后各成分单层陶瓷与梯度陶瓷介电性能随温度的变化表明，梯度组成陶瓷的居里峰温度区间显著展宽，大大降低了该温区的介温系数，可望提高该系列陶瓷元器件精度及稳定性。     

钛酸锶钡（BST）薄膜的介电性能机理研究进展

钛酸锶钡(BST)薄膜是一种重要的铁电薄膜，应用广泛，是高新技术研究的前沿和热点之一。简要介绍BST薄膜的制备方法和应用，重点讨论BST薄膜的极化、电压非线性、漏电流的机理、表征及影响因素，并综述了铁电薄膜的疲劳机制和消除疲劳措施等方面的研究进展，提出了研究中需要解决的一些问题。     

钛酸锶钡（BST）薄膜的组成、结构与性能研究进展

钛酸锶钡(BST)薄膜是一种重要的铁电薄膜，应用广泛，是高新技术研究的前沿和热点之一。简要介绍了BST薄膜的制备方法和应用，对此薄膜的基片、电极、晶界、界面、热处理、膜厚及组成、结构、性能等方面作了重点讨论，提出了研究中需要解决的一些问题。     

钛酸锶钡薄膜C-V曲线不对称现象研究

采用射频（RF）磁控溅射在Pt／Ti／SiO2／Si（100）衬底上制备了Ba0.6Sr0.4TiO3（BST）薄膜。通过研究BST薄膜的电容-偏压（C-V）特性曲线发现,溅射过程中的离子注入引起底电极／铁电薄膜界面处产生了过渡层,从而导致C-V曲线不对称。最后我们通过改进溅射工艺对这一机理进行了实验验证。     

铁电薄膜移相器研究进展

铁电薄膜移相器响应速度快、成本低、功耗和体积小,是一种模拟移相器,非常适合应用于相控阵天线特别是共形阵天线.介绍了4种主要的铁电薄膜移相器的结构、原理、性能和特点,指出分布型和全通网络型铁电薄膜移相器具有良好的发展前景,并进一步总结了国内外研究现状和存在的问题,提出了今后的研究方向.     

BST薄膜的研究现状与发展趋势

综述了(Ba1-xSrx)TiO3(BST)薄膜材料的研究现状，包括薄膜的制备技术、电极材料的选择、组分与掺杂对电学及介电性能的影响，分析了与薄膜相关的缺陷和可靠性现象，并对未来可能的进展作了简单的描述。     

p型ZnO薄膜的研究进展

ZnO材料以其优良的光电特性和相对低廉的成本而倍受人们的青睐,但是要获得高质量的p型ZnO薄膜难度极大,这已成为阻碍ZnO基光电器件走向实用化的主要障碍。综述了p型ZnO薄膜掺杂面临的困难、p型ZnO掺杂理论进展及实现p型ZnO薄膜的各种掺杂方法,并对p型ZnO薄膜的各种制备工艺方法进行了概括和比较,最后指出了提高p型ZnO薄膜质量的努力方向。     

钙钛矿型铁电薄膜疲劳性能研究进展

钙钛矿型铁电薄膜由于在非易失存储器方面的应用而受到广泛研究,但疲劳问题是影响其应用的主要障碍。简要综述了近年来国外在钙钛矿型铁电薄膜疲劳机制和消除疲劳措施等方面的研究进展。     

改进Sol-Gel法制备Y掺杂BST薄膜表面结构及介电性能研究

通过在溶胶前驱液中添加聚乙烯吡咯烷酮和在底电极Pt上形成界面仔晶层,对溶胶凝胶(Sol-Gel)法进行了改进,并以此在Pt/Ti/SiO₂/Si上制备了钇(Y)掺杂和非掺杂的Ba_0.6Sr_0.4TiO₃ (BST)薄膜,研究了薄膜的表面结构和介电调谐性能. X射线光电子能谱表明,BST薄膜表面元素都以两种或三种化学态出现,一种对应钙钛矿结构,其余的对应非钙钛矿结构. 和非掺杂相比,除了Ti2p外,Y掺杂对Ba3d、Sr3d和O1s具有明显的影响,Ba、Sr和O原子在非钙钛矿结构中的含量分别由41%、33%和51%减少到26%、29%和40%. 扫描电镜和原子力显微镜表明,Y掺杂BST薄膜光滑致密、无裂纹和无缩孔. 40V偏压和100kHz频率下的电压－电容曲线表明,Y掺杂提高了薄膜的介电调谐性能,调谐率大于43%、损耗0.0216及优化因子20. 对Y掺杂改性机理也进行了讨论.     

BST铁电薄膜材料的研究现状及其进展

铁电钛酸锶钡(BaxSr1-x)TiO3是一种具有十分优越铁电/介电性能的材料,在可调微波器件及动态随机存储器件方面有很好的应用前景.介绍了钛酸锶钡薄膜材料的基本结构、制备技术、掺杂改性等方面的研究现状,并在性能改善的基础上,指出了该材料的未来发展方向.     

热处理对钛酸锶钡薄膜光学性能的影响

采用无水溶胶-凝胶技术制备了钛酸锶钡光学薄膜,系统研究了预处理和退火温度对钛酸锶钡薄膜的相结构、微观形貌和光性能的影响,优化了薄膜的光学性能,结果表明,膜的结构和形貌直接影响其光学性能。通过150℃预处理和850℃退火获得了晶化程度良好、表面形貌平整致密的钛酸锶钡薄膜。该膜在350-1000nm的最大光透过率为80．72％,在600-1000nm的折射率稳定在-1．93左右,消光系数最小,最小值为4x10-5。     

BST类铁电薄膜低温外延层状生长研究

利用激光分子束外延技术(LMBE)在SrTiO₃(100)单晶基片上外延生长SrTiO₃(STO)、BaTiO₃(BTO)、Ba_0.6Sr_0.4TiO₃(BST)铁电薄膜.通过反射高能电子衍射(RHEED)实时监测薄膜生长,并结合原子力显微镜(AFM)分析薄膜的生长模式,根据RHEED衍射强度振荡曲线及衍射图样的变化确定动态和静态控制最低晶化温度,发现STO、BTO、BST三种铁电薄膜可以分别在280、330、340℃的低温下实现外延层状生长.