电解法制备四甲基氢氧化铵的研究

本文介绍了了用电解法制备四甲基氢氧化铵的新工艺，产品质量较氧化银法老工艺有较大提高。该法在国内处于领先地位。     

四甲基氢氧化铵的制备与提纯综述

介绍了四甲基氢氧化铵(TMAH)的各种制备方法，尤其对电解-电渗析制备高纯度TMAH以及其中的杂质离子的含量分析方法进行了详细介绍。对目前国内外市场需求进行了综合分析，指出了目前该领域遇到的挑战和机遇。介绍了作者在TMAH合成和提纯方面取得的进展。     

四甲基氢氧化铵的制备与检测

介绍了四甲基氢氧化铵的制备与检测方法.四甲基氢氧化铵的制备主要采用电解的方法,电解的原料有四甲基氯化铵和四甲基碳酸氢铵,两种原料在制备四甲基氢氧化铵的过程中各有优缺点,提纯原料的过程中也采用了不同的理念.四甲基氢氧化铵的检测项目主要是根据四甲基氢氧化铵的应用场合并结合具体的应用工艺,对所确定的检测指标及确认的数值范围进...     

四甲基氢氧化铵制备方法及应用

总结了几种制备四甲基氢氧化铵的方法,比较了各种方法的优缺点,介绍了其在不同领域的应用情况.认为离子膜电解法工艺设备简单、三废排放少,得到的产品纯度高,能够满足电子领域的需求,是较理想的制备方法,可取代氧化银法得到广泛的应用.     

废旧离子膜用于电解法制备四甲基氢氧化铵

ffff度旧离子膜经处理后，用于电解法制备四甲基氢氧化铵，经筛选，选择了合适的离子膜，电解得到的产品迭到产品质量指标，可降低四甲基氢氧化铵的生产成本。     

四甲基氢氧化铵的提纯实验研究

通过单因素实验考察了四甲基氢氧化铵的电解工艺。以钛基镀铱板为阳极,不锈钢为阴极,在电解槽中恒电流密度电解提纯四甲基氢氧化铵,主要考察了电解工艺中离子交换膜种类、原料浓度、电解温度和电流密度对电流效率的影响。当采用上海上化水处理厂3361为阳离子交换膜,在原料室四甲基氢氧化铵浓度25%、电解液温度50℃、电流密度8 ASD(A/dm2)时,电流效率可达66.74%,产品中金属离子杂质总含量从25×10-6降至0.8×10-6,氯离子浓度从0.65×10-6降至0.01×10-6。采用等离子体发射光谱仪(ICP-AES)、分光光度计对产品四甲基氢氧化铵进行表征。     

双极膜电去离子过程制备四甲基氢氧化铵

采用酸室填充离子交换树脂的双极膜电去离子(BMEDI)装置,以四甲基氯化铵(TMAC)为原料制备四甲基氢氧化铵(TMAH).研究了树脂体积比、电流密度和原料浓度对TMAH制备过程的影响,并对2种不同的均相阴膜进行了对比考察.结果表明,在电流密度40 mA·cm-2,原料TMAC浓度0.1 mol·L-1的条件下,TMAH转化率可达91.2%.电流密度提高,TMAH转化率和过程能耗随之增大,在更高的原料浓度下可获得更高的电流效率,酸室填充100%阴树脂效果较好.此外,与JAM-10膜相比,UTX-UIF-A膜的面电阻较小,取得了更佳的试验效果.     

四甲基氢氧化铵三水结晶化合物的制备与表征

以四甲基氢氧化铵五水结晶化合物[(CH3)4NOH.5H2O]为原料,通过异丙醇有机溶剂共煮沸脱水法,制备了四甲基氢氧化铵三水结晶化合物[(CH3)4NOH.3H2O]。并对四甲基氢氧化铵三水结晶化合物进行了酸碱滴定,差热/热重联机(DTA/TGA),气相色谱等定性及定量分析和表征。     

四甲基氢氧化铵应用于单晶硅高效制绒

以十二烷基硫酸钠(sodium dodecyl sulfate,SDS)或Na2SiO3作为表面活性剂,用四甲基氢氧化铵(tetramethylammonium hydroxide,TMAH)/异丙醇(isopropyl alcohol,IPA)作为腐蚀剂代替传统的NaOH/IPA腐蚀剂制备单晶硅绒面.研究去除硅表面的...     

比浊法检测液态氢氧化钠中氯离子含量

采用氯化银比浊法直接检测高纯氢氧化钠中氯离子,实验条件为:检测波长440nm,线性范围0～8ug/mL,实验平行测定结果的绝对差值小于0.0005%,符合国标[1]的要求,加标回收率为96.5%～102.9%。结果表明,实验方法具有准确、简便的特点,可以满足用户的日常检测需求。     

熔盐电解法制备元素硼粉

介绍了熔盐电解法制备元素硼粉的方法,讨论并比较了各体系的长处与不足.     

化学共沉淀法制备氢氧化铝镁溶胶的研究

对铝镁氢氧化物溶胶制备的反应条件进行了研究,结果表明：溶胶的最佳pH值范围为9．0—9．2。溶胶中铝镁摩尔比随混合溶液中铝镁摩尔比的增加而增加,但总是低于混合溶液中的配比;随着混合溶液中铝镁摩尔比的增加溶胶的固体含量降低,产率下降。     

Preparation of Titanium Nitride Films from Amide Precursors Synthesized by Electrolysis

A TiN precursor solution was synthesized by galvanostatic electrolysis of Ti metal and isopropylamine at a current density of 50 mA·cm⁻² at room temperature. TiN films were prepared by dip-coating of the precursor solution on a Si wafer, followed by two-stage heat treatment at 400°C and a fixed temperature of 800–1200°C in flowing N₂, N₂/NH₃, or NH₃ gas. The TiN films were characterized by XRD, chemical analysis, XPS, and electrical resistivity measurements. The TiN films were composed of uniform grains 20 to 200 nm in size with thicknesses ranging from 300 to 400 nm at temperatures of 800–1200°C. The effect of the heat treatment atmosphere (N₂ and NH₃) on the impurity content, crystallinity, particle size, and electrical resistivity is discussed.     

纤维状氢氧化镁的制备

以氯化镁和氨水为原料制得碱式氯化镁前驱物,通过控制反应条件以化学沉淀法与水热法结合制备纤维状Mg(OH)2,在最适宜的反应条件下得长度约为150μm,长径比大于30的纤维状氢氧化镁。     

高分散氢氧化镁粉体的制备

以六水氯化镁为原料,氢氧化钠和氨水为沉淀剂,乙醇和水的溶液为溶剂,聚乙二醇为分散剂,采用直接沉淀法合成出氢氧化镁粉体;通过X-射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）和红外光谱（FT—IR）等对产物进行表征与检测,研究了沉淀剂、溶剂和分散剂等因素对产物晶粒大小和分散性的影响,制备出分散性高、粒度分布窄、平均粒径约为2μm的氢氧化镁粉体。     

直接沉淀法制备超细氢氧化镁的实验研究

设计了以内水为主要原料的直接沉淀法生产超细氢氧化镁的工艺。首先考察了分散剂的种类和用量对产品性能的影响。在此基础上,系统研究了反应温度和反应时间对产品的收率、纯度、粒径及颗粒形态等影响,获得了直接沉淀法制备超细氢氧化镁的较佳反应条件。     

四甲基氟化铵氟代脱硝合成含氟芳香族化合物

四甲基氟化铵作为芳香族硝基化合物氟化脱硝试剂，用于合成氟芳香族化合物，具有反应条件温和，产物收率高，副反应少的优点。