硅多条探测器的研制

描述了用微电子工艺技术成功研制硅多条探测器的制备工艺技术及测试结果。这种探测器的灵敏面积为50mm×20mm。P掺杂面被等分成相互平行的,长度为20mm,宽度为3mm的16硅条,相邻条之间的间距为140μm。当探测器工作在全耗尽偏压下,每一条的反向漏电流的典型值<2nA。对239Pu α粒子的能量分辨为0.5％~0.9％,相邻条之间的相互影响(crosstalk)为4％~8％。     

硅微条粒子探测器

本文介绍了硅微条粒子探测器的研究情况，侧重于器件的基本结构及其工作原理。     

平面工艺硅探测器的温度性能研究

平面工艺硅探测器有可能成为合适实际应用的Ｘ射线探测器。文章介绍了实验装置，系统地测量了－２０℃到＋５０℃温度范围内探测器的温度性能，并对结果进行了初步的分析。     

硅多条两维位置灵敏探测器的研制

描述了用平面工艺技术研制基于硅多条的两维位置灵敏探测器的制备工艺技术及性能测试初步结果.这种探测器的灵敏面积为50 mm×50 mm.P掺杂面被等分成相互平行的长度为50mm,宽度为3mm的16条,相邻条之间的间隔为100μm.硅条P掺杂层是一层均匀分布的电阻层,利用电荷分除法,可以得到入射粒子在该条上的位置(Y位置).当探测器工作在全耗尽偏压下时,大部分单条的反向漏电流＜30nA.对239Pu α粒子得到能量分辨率＜2.5%,位置分辨＜0.5 mm.     

硅多条阵列探测器多路电荷灵敏前置放大器研制

本文简要介绍了应用于阵列探测器特别是硅多条阵列探测器的高密度多路前置放大器和前端电子学的发展现状、工作原理、设计要求和设计思路.同时,介绍了一套新开发的用于硅多条探测器中的48路电荷灵敏前置放大器的电路设计和实际测量结果,它具有低成本、高密度、好于1%的能量分辨和良好的长期稳定性.     

硅微条探测器

硅微条探测器的位置分辨率可好于σ＝1．4μm，这是任何气体探测器和闪烁探测器很难作到的。主要介绍硅微条探测器的特点、结构、工作原理及其在近年来的发展和在高能物理、核医学等领域应用概况。     

双面硅条探测器的研制与测试

研制了双面硅条探测器。探测器灵敏面积为48mm×48mm,厚约300μm,结面和欧姆面的硅条互相垂直,均由相互平行、宽度相等的48条组成,每条宽0.9mm、间距0.1mm。对其电气特性(耗尽偏压、反向漏电流、条间电阻)和探测特性(上升时间、能量分辨、条间串扰)进行了测试。在偏压为-15V时,各条平均反向漏电流小于10nA。对于从结面入射的5.157 MeV的α粒子,前放信号上升时间约45ns,结面各条的能量分辨率约0.6%~0.7%,基本无条间串扰;欧姆面各条能量分辨率较差,存在条间串扰。     

硅条探测器前端ASIC芯片测试系统电路设计

介绍一种前端读出专用集成电路(ASIC,Application-Specific Integrated Circuit)芯片性能测试系统的电路设计与实现.该ASIC芯片可用于构成硅微条探测器、硅条、Si(Li)和CsI探测器的前端读出电子学系统.本文详细描述了测试系统的构成,主要电路设计,系统应用以及部分测试结果,并简要介绍了被测ASIC芯片的电路结构.     

Si-PIN硅条带探测器的电子学测试

采用电子学等效方法对所研制的Si-PIN条带探测器的基本性能进行测试。Si-PIN条带探测器是在—个硅基片上刻蚀多个条带探测器,常用于空间探测中的粒子方向测量。介绍了对Si-PIN条带探测器电子学等效测试方法和结果,重点探讨了条带之间的串扰问题。     

低能量沉积下位置灵敏硅探测器位置畸变的修正

介绍了一种低能量沉积下位置灵敏硅探测器位置畸变的修正方法,采用了与探测器中能量沉积相关的修正因子,f(Δ1,Δ2,E)调节可调参数Δ1和Δ2,对位置畸变进行了修正,得到了很好的修正效果。     

高分辨率HPGe探测器及其稳定性

半导体探测器具有良好的能量分辨率,在能谱分析中已引起人们广泛的兴趣。Si材料原子序数(Z=14)较小,探测能量大于30keV的射线时,其效率迅速下降,因此人们选用Ge(Li)探测器。但它在制造和使用中存在两个主要的问题,一是必需用Li离子补偿Ge材料,二是Li在Ge中固有的不稳定性,使器件严禁升高到室温,即使是偶然的一次,也会导致器件的补偿度毁坏。这两个缺点,在用高纯Ge材料制备的探测器(HPGe探测器)中是不存在的,     

双维位置灵敏探测器性能测试

对用于放射性次级束测量的大面积双维位置灵敏探测器（PSD）的性能进行了测试。通过选择实验中电子线路的脉冲成形时间,并改进数据处理方法,即主放大器的成形时间常数要大于6μs,而位置路的时间常数约为0．5－1μs,且在位置公式中使用能量信号作为公母,测试得到了较好的位置分辨和能量分辨及线性。结果表明,这一类型的PSD探测器可以用于低能放射性束流的测量。     

金硅面垒半导体探测器温度特性测量与补偿

金硅面垒半导体探测器多用于α粒子的探测,由它组成的α、β谱仪对环境温度的变化比较敏感,表现为α谱峰位的漂移,为了了解温度对金硅面垒半导体探测器的影响,对其进行了测试研究,以便提高系统的测量精度.     

用于硅多条阵列探测器的48路前置电荷灵敏放大器的研制

介绍了一套用于硅多条阵列探测器中的高密度多通道电荷灵敏放大器的研制和阵列探测器电子学的发展现状和工作原理,提出了设计原则和设计思路,特别介绍了一个新开发的用于硅多条探测器中的48路电荷灵敏前置放大器的设计和实际测量结果.它具有低成本、高密度的特点,好于1%的能量分辨和良好的长期稳定性.     

Effect of metal electrode on characteristics of gamma-irradiated silicon carbide detector

Silicon carbide (SiC) is a highly promising semiconductor neutron-detector material for harsh environments such as nuclear reactor cores and spent-fuel storage pools. In the present study, three 4H–SiC p–i–n diode detectors were fabricated as variations of those metal-electrode structures. The I–V characteristics and alpha-particle responses of the detectors were measured before and after gamma-ray exposure. The detector with a Ti/Au electrode showed the lowest change of leakage current after irradiation; none of the detectors showed any change in the charge-collection efficiency when a sufficient electric field was applied after gamma irradiation of up to 8.1 MGy.     

GaAs核辐射探测器研制的初步结果

介绍了厚度为300～800μm,有效面积为50-113mm^2的高阻GaAs单晶材料制备的核辐射GaAs探测器的研制工艺,测试结果。