超纯水与大规模集成电路

进入70年代以来,大规模集成电路飞速发展,特别是N沟MOS电路发展更快。国外1972年研制出N沟MOS4千位动态随机存贮器(4KRAM),相当于一万多个元件;1976年研制出16KRAM,相当于三万七千个元件;1978年又发展到64KRAM,约13—14万个元件;1980年美国、日本已研制出256KRAM样管,大约50万个元件。目前,我国已研制出16KRAM。随着大规模和超大规模集成电路的发展,集成度越来越高,线条越来越细,其成品率随集成度的增加成指数关系下降,因     

高纯度炭黑

本发明与高纯度炭黑有关。该炭黑适合用于在要求避免杂质(特别是金属杂质)的半导体领域制造例如IC(集成电路)、LSI(大规模集成电路)等半导体器件过程中光刻时形成防反射膜。     

微型计算机及其应用

一、微型计算机的组成通常把在一片或几片芯片上集成具有计算机中央处理单元功能的大规模集成电路称为微处理机.而用微处理机及用大规模集成电路实现的存贮器、输入输出接口组装成的计算机称为微型计算机.如果依器件来划分,     

发展化学化工中的计算机软件

1 从计算机启蒙到进入计算机时代电子计算机从二次大战后出现到现在不过几十年,但是从硬件的发展看,已经跨越了几个时代。起初是电子管,后来是晶体管、集成电路、大规模集成电路、超大规模集成电路。     

变频调速技术在工厂设计和技术改造中的应用

变频调速技术具有显著的节能效果、优良的软起动特性和连续无级的调速性能。近年来．随着电子技术及大规模集成电路的发展．功率半导体器件生产工艺的改进及生产成本的降低．变频器的价格也随之降低，使变频调速技术在工业领域的使用越来越多。在这种大趋势影响下．变频器在水泥行业的应用范围也日趋扩大。     

汽车电子技术的发展前景

汽车电子化是建立在电子学的发展基础之上，从真空管、晶体管、集成电路、大规模集成电路到超大规模集成电路的技术进步，出现了计算机等各种电子装置，汽车电子化也随着发展，汽车电子装置占整车造价的1/3，高级轿车有的就装几十个微控器、上百个传感器。电子化的程度成为衡量汽车档次的主要标志。     

硅材料及其加工用金刚石工具的发展综述

电子信息产业的基础产业是集成电路(IC)产业,目前95%以上半导体器件和99%以上的集成电路(IC)是用硅材料制作的。随着我国半导体工业集成电路(IC)业的快速发展,硅材料加工用金刚石工具具有非常大的市场。文章从硅材料及其用金刚石工具与加工技术的发展现状与趋势进行了简要综述。指出了硅材料生产及其加工在半导体与集成电路生产中具有的重大作用与地位。     

集成电路平均传输延迟时间的两种测试方法

随着集成电路技术的迅速发展,目前在石油化工生产过程和科研中所用的电子计算机,测量、分析和控制仪表,已逐步采用集成电路。但由于眼前尚缺乏各种性能的集成电路测试仪可供选用。另者,由于集成电路的发展非常迅速,新型元件不断出现,旧产     

总体分散型控制系统的冗余技术和无中断控制

七十年代开始,世界控制技术发展到了一个新的阶段,这就是随着微处理机的兴起,使计算机和仪表行业产生了类似第二次工业革命的变革。大规模集成电路的发展是元件制造工艺和技术的重要突破,它不仅提高了元件的集成度,缩减了元件的体积和价格,也进一步提高了运算速度和可靠性。数     

BT树脂——新的电子材料

<正> 随着集成电路从小规模集成电路,经过中规模集成电路、大规模集成电路,向超大规模集成电路发展。印刷线路板也正在向多层印刷线路板发展。工业用电子机器倾向于采用10～15层印刷线路板。随着电子计算机的发展,为了实现高速运算和储存大容量化,急待开发高度集中化元件,使用多层铜层压板。一般使用多层铜层压板,必须具备以下条件:(1)尺寸稳定性好;(2)耐热、阻燃,在高温对铜的粘合     

日本开发出高导热的氮化铝陶瓷

日本东芝综合研究所开发出了组装超大规模集成电路所不可缺少的高性能陶瓷片-氮化铝陶瓷基片，其导热性能可提高50％以上，能高效地逸散大型元件如大规模集成电路的热量。     

国外电子束、X射线、离子束用抗蚀剂发展近况

光致抗蚀剂是进行微细图形加工、制造微电子器件和印刷线路板的一种关键化学品。微电子技术在当前新技术革命中占有特殊的重要位置,以集成电路为核心的微电子器件正不断向高集成化和高速化方向发展,因此,对微细图形加工技术的要求愈来愈高。如国外在六十年代主要生产中小规模集成电路,加工尺寸控制为几百微米,七十年代主要生产1—16K位存贮器的大规模集成电路(LSI)加工线宽已要求5微米左右,     

国外消息

国外测温技术新动向第六届国际温度测试年会于1981年在华盛顿召开,这次会议对热电偶、电阻温度计,热敏电阻及半导体测温元件的稳定性、特性、新产品等都作了详细介绍。一、半导体测温元件随着半导体电子学和集成电路技术的迅速发展,各种各样的半导体测温元件不断出现。如三极管、组合三极管、集成电路等。三极管测温元件是基于三极管基极—发射极电压随温度而变化的原理工作的。这种元件已商品化,不仅有较好的线性度,而且     

环氧树脂包封材料“CEL”

<正>1.技术的背景和市场动向 为保护晶体管、集成电路,大规模集成电路等的半导体元件免受来自外部的湿气,尘埃、冲击、振动等的不良影响,使得元件有电气绝缘性,能够发散内部的热量,通常采用金属或陶瓷的气密性包封或者环氧树脂的树脂包封。现在生产效率高及成本低的传     

上海微系统所发现锗基石墨烯取向生长物理机制北大核心

近期,中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室SOI材料与器件课题组在锗基石墨!烯的取向生长机制方面取得进展。课题组研究人员发现衬底表面原子台阶对于石墨烯取向生长的重要性,并且与华东!!师范大学合作借助于第一性原理DFT理论计算分析得到石墨烯单晶畴在（110）晶面的锗衬底上取向生长的物理机理,为获得晶圆级的单晶石墨烯材料奠定了实验与理论基础,有助于推动石墨烯材料真正应用于大规模集成电路技术。     

单晶CVD金刚石作为功能材料的应用

阐述单晶CVD金刚石的发展、特性及应用.分析了单晶CVD金刚石在工业与技术应用方面的优越性.目前其重要应用领域主要包括:半导体器件;微波技术;监测器件与检测系统;光纤通讯以及光信息存储技术等.     

上海微系统所发现锗基石墨烯取向生长物理机制

正近期,中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室SOI材料与器件课题组在锗基石墨!烯的取向生长机制方面取得进展。课题组研究人员发现衬底表面原子台阶对于石墨烯取向生长的重要性,并且与华东!!师范大学合作借助于第一性原理DFT理论计算分析得到石墨烯单晶畴在(110)晶面的锗衬底上取向生长的物理机理,为获得晶圆级的单晶石墨烯材料奠定了实验与理论基础,有助于推动石墨烯材料真正应用于大规模集成电路技术。     

上海科技信息

上海焦化厂煤化所研制由铂感温元件和大规模集成电路组成的PDTM-1型高精度数字温度计获得成功,已于7月份通过化工局鉴定。该温度计测试范围为-50℃～150℃,精度≤0.05％,灵敏度达0.01℃,适合精细化工生产特点,技术上达到国内先进水平。它具有灵敏度高,稳定性好,显示清晰以及可远距离读数等优良性能。     

我国环氧模塑料起步晚发展快

我国环氧模塑料业起步较晚，从80年代中后期才开始生产，当时年产量仅几十吨。随着大规模和超大规模集成电路、特大规模集成电路的发展，主要用于微电子封装的我国环氧模塑料业进入了快速增长时期，目前年产量已突破1万吨，占全球产量15万吨的7％左右。     

减少直拉硅单晶中微缺陷的工艺探讨

在毛主席革命路线指引下,我国半导体材料工业从无到有,获得了迅猛的发展。无位错硅单晶已经大规模生产,并且质量不断提高。然而,随着电子技术在各行各业的广泛应用,半导体器件不断发展,对硅单晶的质量提出了更高的要求。 在生产实践中发现无位错硅单晶中存在一种微缺陷,当微缺陷密度高并形成花纹分布