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本文概述了LB超薄抗蚀层用于光刻研究的历史及现状,指出:发展实用化的LB超薄抗蚀层技术对于微电子工业中深亚微米乃至纳米水平的微细加工具有重要的意义。 相似文献
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一、引言1992年为了建立一条3μmr技术的试验线,双极事业部引进了两台PE-340HT投影光刻机,于1993年4月安装调试完毕,投入使用。由于3Pm试验线为正胶工艺,品种少,也不能形成大生产。为提高设备的利用率,同期着手将PE-340HT投影光刻机应用于负胶SPin工艺的大生产中,以克服接触式光刻图形尺寸均匀性差、缺陷多的缺点,从而提高采用负胶工艺的产品、尤其是象二片机之类的高要求产品的工艺一致性。二、设备简介PE-340HT是美国Perkin-Elm。r公司80年代初的产品,处理圆片最大尺寸为4英寸,当时广泛用于64K存贮器的生产,为标准… 相似文献
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一、引言在采用光刻的微细加工工艺中,抗蚀剂与衬底之间的粘附性是影响加工精度的重要因素。以前为了提高粘附性,对抗蚀剂涂复前的清洗、干燥、显影后的烘焙条件等进行了详细的研究。在这里,以多晶硅、二氧化硅为主,有意地控制这些表面性质的所谓改变表面性质技术应用于光刻当中,从界面化学的角度,发表了对粘附性研究的结果。 相似文献
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李若庆 《电子工业专用设备》2003,32(5):53-58
介绍了气囊系统的功能、结构及减振原理,着重指出了“动态捷径”及重心移动对曝光系统所产生的影响,详细描述了气囊控制环如何保持位置受控并对动态捷径进行监控,从而可消除振动特别是动态捷径及重心移动对系统所造成的不利影响。 相似文献
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《电子技术与软件工程》2016,(22)
近些年来,伴随着我国芯片集成水平的高度提升,其对光刻技术的要求也不断提高,在二十世纪末,科学界一致坚信光刻技术的的最低分辨率是0.5,但是伴随着扫描技术、分辨率增强技术水平的提升与抗蚀剂等技术的应用,当下光刻技术分辨率已经降低至0.1,甚至能够低于0.1,虽然还是存在较多人对光刻技术的发展前景并不看好,但是其依旧凭借着不断钻研的精神,屡屡打破确定的分辨率极限,因此,本文主要针对当下光刻技术在微电子设备的实际应用与相关的发展前景进行深入的分析,希望能为我国光刻技术水平的提升具有一定的帮助。 相似文献
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引言随着电子工业的发展,人们将印刷工业中制造印刷版的技术加以改进,移植到半导体的生产中成为光刻技术。光刻的目的就是在被加工物的表面上刻出与照相图案完全一致的几何图形或零件。我们将此技术加以改进用于微波器件的制造工艺中,用来制造微型零件或用机械加工及电加工方法难以制造的零件。 相似文献
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NA1.35浸没式光刻照明系统是超大规模集成电路的核心设备,为了实现从ArF激光器发出的光束经过一系列模块传输后到达掩模面的能量满足光刻曝光系统的要求,需要在系统中引入非球面透镜,以减少镜片数量,提高能量利用率。为解决现在非球面透镜具有的加工难度和控制精度不足的缺陷,设计出一种优化控制保证非球面加工和检测的方法。在光学系统设计中优化非球面的形状,保证非球面度,满足非球面变化率在可加工和检测的范围内,并控制非球面拐点的产生。照明系统中镜片数量最多的模块是耦合镜组,通过非球面的优化,镜片数量从12片减少到9片,系统能量利用率提高近25%。此外,提高了系统像质NA一致性,像方远心度,弥散斑直径和畸变,满足了曝光光学系统对掩模面的能量要求,故该非球面控制技术具有良好的可加工性和可检测性。 相似文献
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在构建未来的宽带综合业务数字网中,SDH和ATM是两大关键技术,本文介绍了SDH传送网的基本特点,ATM的基本概念;指出SDH是B-ISDN的传输主干网,讨论了SDH和ATM互通的必要性及其实现。 相似文献
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本文介绍了卟啉分子L-B膜在激光场作用下产生的非线性光学二次谐波效应以及利用这一效应探测卟啉分子取向特征的结果。这一实验结果为光学二次谐渡作为表面探测新手段提供了又一依据。 相似文献
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依照惯例,集成电路器件中的最小线宽每隔六年缩小一倍,由实验技术转变为常规生产工艺一般需要十年。下一个十年看来也不会违背这个规律,目前的圆片产品最小线宽大约为1微米,每个芯片上的几何图形数也有相应的增长。正在投入生产的1兆比特数据随机存取器在最复杂的膜层上,每个芯片有几百万个图形。4兆比特的随机存取器也即将生产出来。印刷这些图形不仅要求准确,而且必须快速。 相似文献