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设计了一套适用于二种工艺(离子注入隔离工艺和半绝缘衬底自隔离工艺)的背栅效应测试版图,用选择离子注入形成有源层和欧姆接触区,在非掺杂的半绝缘GaAs衬底上制备GaAsMESFETs器件.研究了这二种不同工艺制备的MESFETs器件的背栅效应以及不同距离背栅电极的背栅效应大小.结果表明,采用离子注入隔离工艺制备的MESFETs器件的背栅效应要比采用半绝缘衬底自隔离工艺制备MESFETs器件的背栅效应小,背栅效应的大小与距离近似成反比,采用隔离注入的背栅阈值电压随距离变化的趋势比采用衬底自隔离的更大. 相似文献
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为配合2000门GaAs超高速门列及GaAs超高速分频器等2英寸GaAs工艺技术研究,开展了2英寸GaAs快速热退火技术研究,做出了阈值电压为0~0.2V,跨导大于100mS/mm的E型GaAsMESFET和夹断电压为-0.4~-0.6V,跨导大于100mS/mm的低阈值D型GaAsMESFET。 相似文献
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傅炜 《固体电子学研究与进展》1994,14(1):22-27
利用GaAsMESFET功率特性的线性化模型,求出GaAsMESFET近似最佳功率负载阻抗,为利用谐波平衡法计算提供初值。然后,使用自行研制的谐波平衡分析软件包,进行GaAsMESFET大信号模型参数的提取和非线性电路模拟计算。将两只总栅宽为9.6mm的GaAsMESFET管芯,利用内匹配功率合成技术,在C波段(5.5~5.8GHZ)制成1dB压缩功率大于8W,典型功率增益9dB的GaAsMESFET内匹配功率管。 相似文献
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叶禹康 《固体电子学研究与进展》1994,14(3):272-276
叙述了外内向功率波复数比的测量方法,给出了散射参数测量的交互换位双信号测量线方法。用此方法测量了双栅GaAsMESFET适用散射参数,并用它设计S波段混合集成双栅GaAsMESFET可控增益放大器。测试结果与设计吻合。 相似文献
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本文基于自举反馈原理提出了一种新型的全部电耗尽型GaAsMESFET构成的单电源GaAsMESFET直接耦合逻辑FET单元电路.该单元电路比已有的各种GaAs数字集成电路单元电路有明显优点,是GaAs数字集成电路领域有前景的新型逻辑单元电路. 相似文献
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曲兰欣 《固体电子学研究与进展》1995,(4)
新结构高性能In_(0.3)Ga_(0.7)As/In_(0.29)Al_(0.71)As/GaAsHEMT研究证明,InGaAsHEMT的结构优于GaAsMESFET和习用的AlGaAs/GaAsHEMT。在GaAs上制备的赝配结构HEMT(PM-HE... 相似文献
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本文描述了Al/n-GaAs肖特基接触的正向脉冲退化效应,探讨了当肖特基二极管承受正向电流冲击时,势垒高度ΦB升高,直接影响Al栅MESFETs的特性,导致Al/n-GaAs IC失效的机理。 相似文献
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针对GaAsMESFET在微波频率的应用中的射频过驱动导致高栅电流密度现象,设计了TiAl栅和TiPtAu栅GaAs MESFET的高温正向大电流试验,通过对试验数据和试验样品的扫描电镜静态电压衬度像以及试验中的失效样品进行分析,确定了栅寄生并联电阻的经是导致器件的跨导gm、栅反向漏电流Is、夹断电压Vp等特性退化,甚至导致器件烧毁失效的主要原因。 相似文献
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新颖的微波器件材料──InGaAs/GaAs异质结构彭正夫,张允,龚朝阳,高翔,孙娟,吴鹏(南京电子器件研究所210016)一、引言众所周知,GaAsMESFET器件的微波特性主要由沟道中的电子饱和速度和栅长决定.由于InGaAs的电子饱和速度比Ga... 相似文献
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高温正向大电流下TiAl、TiPtAu栅GaAs MESFET的栅退化机理及其对器件特性的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
针对GaAs MESFET在微波频率的应用中的射频过驱动导致高栅电流密度现象,设计了Tial栅和TiPtAu栅GaAs MESFET的高温正向大电流试验,通过对试验数据和试验样品的扫描电镜静态电压衬度像以及试验中的失效样品进行分析,确定了栅寄生并联电阻的退化是导致器件的跨导gm、栅反向漏电流Is、夹断电压Vp等特性退化,甚至导致器件烧毁失效的主要原因。 相似文献
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高温存储试验后某种GaAs MESFET的栅-漏极正向和反向漏电流增大。为分析失效机理,测定了试验前后栅-漏极低电压正向电流随温度的变化,定性估计了试验前后复合-产生中心浓度的变化,确定肖待基势垒触有源层的复合-产生中心浓度的增加是两种漏电流增大的原因,为高温下GaAs MESFET的肖特基势垒接触存在栅金属下沉和扩散提供了证据. 相似文献
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在建立的理论模型基础之上,定量地分析了EL2能级对GaAs MESFET夹断电压的影响,指出位于本征费米能级以下的EL2能级是影响GaAs MESFET夹断电压大小的主要因素,EL2能级对GaAs MESFET夹断电压的影响程度与EL2能给的缺陷密度呈线性关系。 相似文献
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GaAs MESFET的压力敏感特性 总被引:1,自引:0,他引:1
本文研究了GaAs MESFET对应力的敏感特性,分析了敏感原理。对GaAs MESFET用作力学量传感器的可能性进行了讨论。 相似文献
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GaAs MESFET栅极漏电流退化机理分析 总被引:2,自引:2,他引:0
高温存储试验后某种GaAs MESFET的栅-漏极正向和反向漏电流增大。为分析失效机理,测定了试验前后栅-漏极低压正向电流随温度的变化,定性估计了试验前后复合-产生中心浓度的变化,确定肖特基势垒接触有源层的复合-产生中心浓度增加是两种漏电流增大的原因,为高温下GaAs MESFET的肖特基势垒接触存在栅金属下沉和扩散提供了证据。 相似文献