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使用磁控溅射法在石英基底上制备钼掺杂氧化锌薄膜.扫描电镜结果表明薄膜由晶粒大小为40~ 80 nm范围内的颗粒组成,薄膜具有六方纤锌矿型结构且沿c轴择优取向生长.在可见光范围(400~760 nm)内所有薄膜的平均光透射率超过90%.退火薄膜的光致发光(PL)光谱表明,退火处理对发光峰的位置有很大影响,随着退火温度的增加,发光峰位置从380 nm红移至400nm或从470 nm红移至525 nm.此外,钼掺杂对退火薄膜PL光谱的强度影响很大.我们认为,薄膜中缺陷浓度的变化是导致发光峰红移的主要原因,讨论了PL谱中不同的可见光的发光机制. 相似文献
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以Al(NO3)3.9H2O、La(NO3)3.6H2O为氧化剂,C2H5NO2为还原剂,采用溶液燃烧法制备镧掺杂γ-Al2O3粉体,利用X射线衍射、X射线光电子能谱、透射电镜等分析手段对产物进行表征,考察煅烧温度、煅烧时间、反应物配比对产物的影响。结果表明,采用溶液燃烧法可以一步制备出镧掺杂γ-Al2O3复合粉体;煅烧温度、煅烧时间、反应物配比都对产物有一定的影响,La元素的加入可以提高γ-Al2O3的相变温度,热稳定性提高到950℃;产物中没有La2O3的存在,其中La元素以La3+存在于γ-Al2O3晶体间隙,并不能取代晶格中Al3+的位置。 相似文献
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本文提出了一种制备ZnO纳米碟的简单方法-空气气氛条件下,在坩埚中直接蒸发Zn粉,通过控制Zn源的质量和蒸发温度,在硅(100)衬底上获得了直径为微米量级和厚度几百纳米的ZnO碟.XRD谱表明样品为纯相的纤锌矿结构ZnO,扫描电子显微镜(SEM)照片给出了样品的形貌,证明其尺寸与锌蒸发温度密切相关.室温光致发光谱中存在... 相似文献
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为进一步了解离子注入过程对纳米晶体发光响应的损伤效果,研究了注入氢离子和氦离子对氧化锌纳米晶体光致发光(PL)特性的影响.首先在二氧化硅衬底上制备了直径为4 nm和9 nm的氧化锌纳米晶体薄膜,接着在室温下向生成的薄膜中注入氢离子和氦离子,并研究其PL响应变化.结果表明,与未注入离子的纳米晶体相比,注入氦离子导致缺陷PL发光增加,而当注入氢离子之后,缺陷发光大幅降低,表明氢原子对注入损伤有钝化作用.比较近谱带边沿(NBE)与缺陷发光之比发现,较大颗粒的纳米晶体其近谱带边沿与缺陷发光比在注入氢离子后增大,而在注入氦离子后降低.该规律同样适用于较小颗粒的纳米晶体,但其近谱带边沿与缺陷发光比在注入氢离子之后的增幅比大颗粒晶体的小得多. 相似文献
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氧化锌纳米结构的电化学控制制备及其光致发光性能 总被引:1,自引:0,他引:1
利用电化学沉积法, 通过调节电解液浓度、时间、温度等因素, 在氧化铟锡(ITO)导电玻璃上制备了形貌不同的氧化锌(ZnO)纳米薄膜. 通过X射线衍射、扫描电镜、透射电镜、光致发光谱等测试手段对不同形貌的ZnO纳米薄膜进行了表征和研究. 研究表明, 在高于阈值电压的情况下氧化锌薄膜迅速生成, 微观形貌主要受电解质溶液的浓度影响, 随着电解质浓度的升高可分别获得胞芽状、棒状、片层状结构, 结合晶体生长理论探讨了不同形貌ZnO薄膜的成因. 室温光致发光谱显示片状的ZnO纳米薄膜在近带边有较强的宽化激发峰, 而可见区的发光峰受到明显抑制, 这一结构有望应用于光电器件、传感器等领域. 相似文献
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以酒石酸为燃料,硝酸锌为氧化剂,采用溶液燃烧法制备了Pd(0~7%(原子分数))掺杂纳米Zn O。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和荧光光谱仪对产物了进行表征,重点讨论了掺杂对Zn O气敏性能的影响。结果表明,在330℃测试条件下,纯Zn O和7%(原子分数)Pd掺杂Zn O气敏元件对体积分数为5.0×10-5的乙醇气体灵敏度分别为21.4和11.2;元件对5.0×10-5丙酮气体的灵敏度分别为2.0和8.8。Pd掺杂显著提高了元件对乙醇和丙酮气体的选择性。 相似文献
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以硝酸锌、硝酸铋、氯化钾和氢氧化钠为原料,利用简单的水浴法在低温下合成了Bi、Zn物质的量比分别为0∶1、1∶1、1∶2、1∶3、1∶4、1∶0的BiOCl/ZnO异质结构复合物。采用X射线粉末衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、紫外可见光谱(UV-Vis)、能谱(EDS)、紫外可见漫反射光谱(UV-Vis DRS)等一系列手段对所制备的光催化剂进行了表征。以氙灯为光源,RhB(罗丹明B)为光催化反应降解模型,进行光催化活性测试,考察了复合ZnO对BiOCl光催化剂反应活性和稳定性的影响。研究结果表明,异质结型BiOCl/ZnO复合光催化剂的光催化性能明显优于纯ZnO和纯BiOCl。当Bi、Zn物质的量比为1∶1时,光催化活性最佳,同时该催化剂在循环使用中具有很好的稳定性。 相似文献
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