300 mm晶圆线超纯水水质浅析

基于现代超纯水系统的若干实践,浅析现今超纯水水质的难点(TOC、SiO2、微粒的达标),述评300mm线水质要求上的现实性。     

8英寸线超纯水技术的若干特点

应小于等于0．25μm8英寸fab之需，介绍了实际工程的各项优越水质参数和高可靠、易运作等特点。讨论了水的回收技术、总有机碳（TOC）减低技术和安装，配管中的零污染的可能性。     

放大器互调失真的IP表示法

1 引言在线性放大电路的设计和调试过程中,放大器件的二阶、三阶互调引起的失真和干扰是影响电路性能优劣的重要因素。选择器件时总希望器件的非线性失真越小越好。目前工程上常常采用“交叉点”（Intercept Point,IP）表示法来表述器件的非线性程度。该方法既便于器件非线性参数的测量,也易于电路性能参数的计算。因此,IP参数表述原理及其运算方法,是高频通信系统设计研究人员的基础知识之一。2 IP的定义假定放大器件的工作特性可以表示为i ＝ f（u）,将该函数在其工作点u＝U0附近按泰勒级数展开i ＝ K0 ＋ K1（u－U0） ＋ K2…     

深亚微米生产线中的超纯水装置

本文依据深亚微米技术的要求，结合实例，扼要介绍这种世界的超纯水装置。讨论了TOC／DO或WC／Si低于1PPb和用水点无微粒的技术以及费用等项热点问题。     

IC工艺用超纯水系统的TOC实验研究

从运行管理角度,以实验方法考察了IC工艺用超纯水制造过程中TOC(总有机碳)的若干问题。通过在线测量一次纯水、二次纯水的TOC含量和相应的数据统计,评估了水平各异的两套超纯水制造系统中各主要装置对TOC的除去效率及其对TOC的影响。     

超纯水中的微粒与去除方法的探讨

一、前言 超纯水在大规模集成电路生产的研磨、抛光、外延、氧化、光刻、扩散等工序中,作为清除器件表面的金属离子沾污和加工过程中的尘埃沾污,保证器件应有的电学性能,提高可靠性等方面都有重要作用。 实验证明,超纯水的水质直接与产品的质量和成品率的提高相关联。对于大规模集成电路的清洗用超纯水,要求有更高的纯度。因为水分子是具有极性的分子,水越纯极性越大,清洗器件表面沾污的能力也就越强。其衡量标准主要有两项,一项是水的电阻率,一项是>0.5μ微粒子的含量。 目前上述标准都是从美国和日本等国家引用过来的。我国尚未制定电子工业用超纯水的     

亚微米生产线中的超纯水技术

本文以统计性的数据为依据，阐述了超纯水水质对器件的影响，列出亚微米ＣＭＯＳ线上的水质检测。围绕现代超纯水水质参数中总有机碳这一中心环节，讨论了降低该值的关键和相关问题换解决要点。     

深亚微米工艺用二次纯水系统

本文介绍了深亚微米工艺用二次超纯水系统主要工艺流程及其各部分的作用。比较了一次纯水电阻率,二次纯水电阻率及二次纯水 TOC 含量的相互关系。讨论了半导体集成电路制造工艺对超纯水的水质要求以及水中杂质对半导体工艺的影响。     

超纯水精处理系统与水质评价

以应 0 .5 μm技术之需而设的一套超纯水精处理系统为实例 ,介绍了其工艺流程及特点 ,给出各项水质参数的实测数据 ,进而评述≤ 0 .2 5 μm/ 8英寸线的水质评价项目及其限定值、分析手段和应具有的在线检测仪表。     

超纯水生产要点

从第一级过滤到使用点的管道系统,有许多因素决定硅片加工用水的质量。 就像生物本身离不开水一样,水对于半导体生产来说,是至关重要的。生物可以从水的有益成分中获得好处,而半导体生产需要的却是超纯水。 在所有的硅片加工处理过程中,每一块硅片的漂洗要消耗数百加仑的水,水与硅片间的接触使得水中的各种成份都有许多机会沾污硅片,从而造成半导体电路的缺陷,这是现今硅片加工过程中最讨厌的事。 半导体设备与材料协会推荐的超纯水指标,详细列举了目前半导体厂家最为关心的水的各种成份(见表1)。本文为了便于讨论,把这些成分分成以下五个大类: 1.溶解的离子; 2.二氧化硅; 3.细菌; 4.总有机(可氧化的)碳(TOC); 5.各种粒子。     

红光、绿光、蓝光、白光用高性能有机电子注入层和传输层

研制成功了一种新型提高有机电致发光器件效率、降低其功耗的新型电子注入层。本文讨论了这种新型电子注入层的性能及其与之相关的电子传输层的性能。与通常使用的LiF注入材料或Li掺杂的Alq3：BPhen电子传输层器件相比,使用新型电子注入层和电子传输层的性能更加优良。在20mA／cm2的电流密度下,红光器件的性能为：亮度为10．8cd／A,工作电压为3．9伏,色座标为（O．66,0．34）：绿光器件的性能为：亮度为18．4cd／A,工作电压为4．2伏,色座标为（0．29,0．62）;深蓝色器件的性能为：亮度为7．7cd／A,工作电压为3．70t,色座标为（0．14,0．13;蓝绿色器件的性能为：亮度为21．1cd／A,工作电压为3．8伏,色座标为（0．16,0．37）;白光器件的性能为：亮度为13．2cd／A,工作电压为3．80t,色座标为（0．34,0．34）。在同样的工作条件下,红光、深蓝色光和蓝绿光的外部量子效率分别为8．7％,6．6％和9．7％。迄今为止所报告单色发光器件中,这些器件是效率最高的器件。     

0.25μm结构多层布线互连的间隙填充技术

随着集成电路设计规则正在向0．25μm缩小，提出了改进窄间隙填充、局部平坦化的工艺技术的要求。各种间隙填充淀积和深腐蚀（etchbcck）技术，当图形尺寸缩小到0．35μm左右时。使电路成本和／或族性能受到了影响。直至最近。旋转涂复的硅氧烷（SOG）在0．8μm器件设计规则下．在狭窄的金属间隔（≤0．4μm）中开始观察到空穴时也已经达到了间隙填充的极限。但是，现在已有新的SOG系列（AlliedsignalAccuglassT－14）使间隙填充工艺适用于0．25μm设计规则。一、间隙尺寸金属一互间距随每个设计规则而变化（表1）。间隙尺寸与CVD-1五…     

光子集成带来新希望

光子集成电路（PIC）．可能成为解决建设大容量光网络成本问题的“新希望”。根据独立分析公司HeavyReading一篇谈到光子集成与未来光网络的新报告中指出,在现今PIC技术发展过程中．器件和系统制造商面临严峻的挑战．光子集成技术是网络运营商扩展网络以满足带宽增长．同时降低单位成本的新方法。     

超纯水的微生物污染

细菌能够通过微孔筒式过滤器!因而在生产中进行超纯水清洗时能与半导体器件相接触。用腐物寄生细菌(Saprophytic)在最佳生长温度25℃时对超纯水进行污染,人们发现,污染的增加与器件性能的下降有明显的关系。这一点在有细菌B_3时尤其明显。这种革兰氏阴性杆菌能在超纯水系统中存活并增殖。用细菌B_3的细胞悬浮液对器件BYX99N,即1200伏整流器进行处理,可明显降低它们的性能。     

安森美半导体高端视频应用运算放大器

安森美半导体（ON Semiconductor）拓展现有的高速、低功率运算放大器产品系列，推出七款专为快速增长的高清晰视频应用市场设计的新器件。这些运算放大器采用新技术，达到专业视频应用要求的超低失真性能水平。安森美半导体的NCS25xx高速运算放大器系列使设计人员能够实现前所未有的带宽、输出功率和噪声性能，而无须作出成本上的取舍。这些500兆赫（MHz）到1．4吉赫（GHz）器件使视频设计人员得到0．02％的差动增益和0．02度的差动相位性能，     

“微电子制造科学与技术”计划概观

“微电子制造科学与技术”计划概观刘英清摘编编者的话：半导体制造技术一直是电子工业高速发展的推动力。虽然，现今所用的器件按比例缩小技术还可继续使用到０．１μｍ特征尺寸的器件，但是，随着电路集成度的提高，及其性能和可靠性的进一步改善，产品的制造成本也在不...     

大注入下多晶硅发射极晶体管特性的一维模拟

利用Yih－FenyChyan等的PET大注入模型，并考虑了发射极串联电阻RTE和多晶硅／硅界面氧化层延迟时间τox对器件特性的影响，编制了程序。结合实例模拟了在大注入下具有发射区、基区指数掺杂分布的PET的电流增益和频率特性（fT人和fmax）。模拟结果表明，RCA器件（发射区的多晶硅／硅界面氧化层厚度δ=1．4um）的β值高于HF器件（δ=0），但HF器件的fTmax值高于RCA器件。     

纳米级集成电路与超纯水

阐述美国《国家半导体技术发展战略》中存储器的发展目标对其关键材料超纯水在水质和耗量降低上的要求。以我国8英寸/0.18微米和12英寸生产线和相关数据与其对照.表明在总有机碳、溶解氧等项水质参数巳可满足该发展要求，而在SiO2、微粒限定、检测技术以及超纯水耗量降低等方面尚有差距和问题，提出相应的解决方案，讨论了超纯水等项水资源消耗的降低途径。重申了水回收的意义，关注“功能水”和高效，省能的GDI（聚合型电去离子）装置将是有益的。     

磁性材料、超导材料和器件

TM27 94050132第六届磁流体国际会议学术论文综述/许孙曲(南方冶金学院)11磁性材料及器件一1994,25(l)一25一30 综合评述了磁流体的制作和性能研究以及磁流体技术在生物医学等领域的应用,介绍了磁流体液晶复合材料、磁流体的浑沌状态和表而奇异现象等一些新颖的研究工作.参2(北)TM27 94050133微波铁氧体双模新器件的推广及应用/潘永吉,魏克珠(北京无线电测量所)/j系统工程与电子技术一I1994,(4)一6~16 文章叙述了微波铁氧体双模新器件的原理和性能这些新器件在现代雷达技术和通信技术等微波高频设备中具有广泛的使用前途.图11表6参飞0(许)…     

灿芯半导体研发出基于中芯国际0．11微米和0.13微米工艺的USB2．0OTGPHY

灿芯半导体（上海）有限公司（以下简称“灿芯半导体”）日前宣布基于中芯国际集成电路制造有限公司（简称“中芯国际”）的0．11微米和0．13微米工艺平台成功开发了USB2．0物理层设计（PHY）,该设计为采用USB2．0的器件提供了尺寸更小、性能更好以及更经济的解决方案。