对卫星抗辐射加固保证大纲的探讨

大纲提出我国卫星工程抗辐射加固设计技术要求及考核内容。对极轨卫星的空间辐射环境提出了极轨卫星抗辐射加固设计根据。对总体抗辐射加固设计、单机抗辐射加固要求及考核、线路抗辐射加固设计要求（包括软、硬件要求）、元器件选择和考核以及抗充放电设计要求和考核作了初步规定，为卫星工程近期抗辐射加固提出具体的框架。     

单粒子效应模拟实验研究

单粒子效应是卫星抗辐射加固研究的主要对象之一。文章重点介绍了所建立的模拟实验测量系统、装置和研究方法，提出了二次翻转问题及其修正公式，以及器件的高能质子和１４ＭｅＶ中子单粒子效应的规律相似性，指出今后需重点研究的问题是高能质子及其与１４ＭｅＶ中子等效研究，及对单粒子效应的评估。     

HI—13串列加速器上卫星器件空间辐射效应模拟研究简况

简要叙述了卫星器件及样机的空间辐射效应的实验模拟研究的起源,以及在HI－13串列加速器上已进行的有关研究工作和方法。分析了现有设备的局限性,简述了串列加速器国家实验室升级工程要点。     

生理浓度的活性氧对抗辐射菌的影响

本研究探讨了生理状态下抗辐射菌(Deinococcusradiodurans,DR)内活性氧(Reactiveoxygenspecies,ROS)的释放;生理状态下释放的ROS在DR增殖中的作用;以及受不同剂量照射下ROS的释放及其作用的改变。受电离辐射后DR的O2释放随着剂量的升高而增加,并在700Gy时达到最高值,当剂量超过1kGy.-时O2释放即迅速下降,加入二亚苯基碘(Diphenyleneiodonium,DPI)后,O2释放显著降低,且照射.-.-后O2的释放均未超过对照组。.-受照后DR的增殖率随剂量的增大而上升,剂量为1kGy时增殖率达到最高点,而剂量超过1kGy时增殖率迅速下降;达3kGy时增殖率低…     

我国抗辐射电子学发展的回顾与展望

本文扼要地介绍抗辐射电子学的主要内容,并回顾了这门新科学在我国的发展概况。由于电子器件及系统对于核或空间辐射以及核电磁脉冲十分敏感,它们必须进行加固以保证在空间及强辐射环境中能生存和正常工作,因此逐渐形成了抗辐射电子学这门新的核电子学分支。     

CMOS图像传感器单粒子效应及加固技术研究进展

互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)图像传感器(CMOS Image Sensor,CIS)在空间应用时会受到单个粒子辐照影响,这通常会导致CIS采集图像出现异常,严重时会导致器件功能失效。本文从不同粒子的角度:重离子、质子、电子和中子,从CIS容易发生的单粒子效应类型:单粒子瞬态(Single Event Transient,SET)、单粒子翻转(Single Event Upset,SEU)、单粒子闩锁(Single Event Latchup,SEL)、单粒子功能中断(Single Event Functional Interrupt,SEFI)等方面综述了CIS单粒子效应研究进展。简要介绍了CIS单粒子效应加固技术研究进展。分析总结了目前CIS单粒子效应及加固技术中亟待解决的问题,为今后深入开展相关研究提供理论参考。     

抗辐射加固高压NMOS器件的单粒子烧毁效应研究

由于施加高栅极工作电压,使得器件容易发生重离子辐射损伤效应,其中,重大的重离子辐射损伤效应是单粒子栅穿效应（SEGR）和单粒子烧毁效应（SEB）。本文介绍了抗辐射加固高压SOI NMOS器件的单粒子烧毁效应。基于抗辐射加固版图和p型离子注入工艺,对高压器件进行抗辐射加固,提高器件的抗单粒子烧毁能力,并根据电路中器件的电特性规范,设计和选择关键器件参数。通过仿真和实验结果研究了单粒子烧毁效应。实验结果表明,抗辐射加固器件在单粒子辐照情况下,实现了24 V的高漏极工作电压,线性能量传输（LET）阈值为835 MeV·cm2/mg。     

X射线剂量增强环境下电子系统辐射效应和加固

本文研究在Ｘ射线剂量增强环境下电子系统的薄弱性及应采取的加固方法，给出了组成电子系统各类器件和集成电路剂量增强系数，从实验结果出发，指出最佳的屏蔽Ｘ射线的方法。     

关于核电厂可靠性保证大纲的核安全审查探讨

核电厂可靠性保证大纲对于提升设备的可靠性、可用率、可维修性和经济性具有重要作用。在设计阶段,对于风险重要的SSCs进行分析、归类,确定合理可行的可靠性参数指标,并在每一个阶段制定严格的质量控制措施,整体SSCs的累积可靠性会大幅提高,从而电厂的安全性和经济性会不断改善。通过分析当前国内外的可靠性法规要求,结合最新的研究成果和技术见解,整理提出了设计可靠性保证大纲的构成要素,并就大纲的审查问题进行了分析探讨,提出了一些建议措施供监管部门和设计单位参考。      

54HCT244高速CMOS电路交流特性辐照退化研究

本文研究了国产高速CMOS电路54HCT244八缓冲斜器/线驱动器在^60C0辐照下，交流特性退化与总剂量、剂量率、辐照偏置和工艺条件的关系。研究表明，在低剂量率辐照下，延迟时间TPHL退化比高剂量率辐照下严重，且对加固电路，这一交流特性退化的剂量串效应更为明显。辐照偏置对延迟时间退化具有强烈的影响，4．5V和0V二种偏置状态将分别导致电路的TPLH和TPHL产生较早而明显地退化。     

PMOS总剂量监测技术的卫星应用

利用PMOS剂量计技术,研制出国产PMOS剂量仪,随“实践五号”科学实验卫星升空,入轨后对卫星内部进行了电离辐射总剂量监测。取得了卫星内部的总剂量深度分布结果。介绍了PMOS剂量仪的原理技术和飞行结果。与国外同类监测设备在轨结果进行对比,介绍并讨论了该技术的研究发展方向和我国的空间应用展望。     

抗辐射菌lexA基因对受γ射线照射和MMC作用的大肠杆菌敏感性的影响

研究抗辐射菌lexA基因在大肠杆菌细胞中的表达对其γ射线辐射抗性和丝裂霉素(MMC)敏感性的影响。应用电穿孔技术将携带有抗辐射菌lexA基因的重组质粒PZA172转入大肠杆菌JM109，其启动子为lacZ，用异丙基-硫代-β—D半乳糖苷(IPTG)诱导，(十二烷基磺酸纳)聚炳烯酰胺凝胶电泳(SDS-PAGE)凝胶电泳检测LexA蛋白的表达。经受不同剂量γ射线照射和不同浓度的MMC作用，平板菌落计数，绘制存活曲线。抗辐射菌lexA基因在大肠杆菌细胞中，经IPTG诱导能稳定地表达，lexA基因的显著表达降低了大肠杆菌经γ射线照射和MMC作用后的存活率。抗辐射菌lexA基因在大肠杆菌中的显著表达降低了大肠杆菌对γ射线和MMC的抗性，其作用机理还有待于进一步的研究。     

功率MOS、IGBT单粒子烧毁、栅穿效应模拟实验研究

建立了利用^252Gf裂片源,模拟空间重离子引起的单粒子烧毁、栅穿效应的实验方法和测试装置,开展了功率MOS器件、IGBT的单粒子烧毁、栅穿效应的模拟试验研究,给出了被试器件单粒子烧毁、栅穿效应的损伤阈值,以及随器件偏置的变化规律。     

蜂花粉对受照大鼠抗辐射效应的研究

研究了口服蜂花粉对受照大鼠外周血白细胞（ＰＷＢＣ）数，血清超氧化物歧化酶总活力（Ｔ－ＳＯＤ），血清过氧化脂质（ＬＰＯ）终产物丙二醛（ＭＤＡ）和过氧化值（ＰＯＶ）的影响。结果表明“蜂花粉具有良好的抗辐射损伤的功能，即服食花粉组的ＰＷＢＣ数和Ｔ－ＳＯＤ明显高于对照的正常组和单放组。花粉线的ＭＤＡ和ＰＯＶ显著低于对照的正常组和单放组。提示蜂花粉的抗放射要理可能是由于蜂花粉能提高机体的造血重建力，提高体内     

MOS器件加固技术的理论研究

对具有侧向寄生晶体管的NMOSFET进行二维数值模拟 ,探讨了掺杂浓度、辐照偏压以及鸟嘴形状 3个关键参数对于器件抗总剂量辐射加固性能的影响。分析得出 ,增加鸟嘴和场氧区下的掺杂浓度、降低辐照栅电压、减小鸟嘴斜率均将有助于降低寄生泄漏电流 ,提高抗辐射能力。     

抗辐射加固与非加固工艺制备Si/SiO_2电离辐照的XPS深度剖析

采用氩离子刻蚀XPS分析方法对抗辐射加固与非加固工艺制备的Si/SiO_2系统进行电离辐照深度剖析。实验结果表明:在辐照剂量及偏置电场相同条件下辐照,非加固样品的界面区比加固样品界面区宽;同一工艺生长的SiO_2,衬底杂质浓度低的样品其界面区窄于衬底杂质浓度高的样品;辐照样品的Si过渡态密度最高位滞后于未辐照样品的;同时,加固样品Si过渡态及剩余氧的密度最高位出现慢于非加固样品的;衬底杂质浓度高的样品其Si过渡态及剩余氧的密度最高位的出现快于衬底杂质浓度低的样品的;此外含剩余氧的过渡层要比含Si过渡态的过渡层薄。最后根据实验结果,对Si/SiO_2三层模型进行了修正。     

卫星舱内空间带电粒子计数率的动态变化研究

在我国１９９６年的返回式卫星舱内，搭载了２台Ｇ－Ｍ计数管型辐射测量仪，取得了卫星飞行期间（１５ｄ）舱内带电粒子计数率动态变化的数据。每台仪器的４万多个计数率数据中，８０％以上的计数率小于１５０／ｍｉｎ，大于５００／ｍｉｎ的仅占２％以下，最大计数率达６×１０＾３／ｍｉｎ。计数率随飞行时间呈周期性变化，周期约为４５ｍｉｎ，除每日出现４￣５组大计数率数据外，一般的变化幅度是０￣２００／ｍｉｎ。南大西洋异     

螺旋藻多糖对^60Coγ射线照射小鼠的免疫学作用

螺旋藻经以８０℃热水提取，Ｓｅｖａｇ法去蛋白，Ｓｅｐｈａｄｅｘ Ｇ－１００柱层析，所得的多糖物质地改善辐射小鼠机体免疫功能，具有一定抗辐射作用，实验结果表明：螺旋藻多糖能提高受５Ｇｙ γ射线照射小鼠的脾重量、脾淋巴细胞数和脾淋巴细胞转化功能。     

利用蒙特卡罗方法对63Ni电池的抗辐射研究

63Ni电池是中国原子能科学研究院同位素研究所开发的一种新产品。此产品具有尺寸薄,寿命长的显著特点,该电池的结构示意图如图1所示。