新核素^239Pa的分离和鉴别

用５０ＭｅＶ／ｕ１８Ｏ离子照射厚天然铀靶，用ＨＰＧｅ探测器测量化学分离后的Ｐａ样品源，观察到了２３９Ｐａ的β－衰变子体２３９Ｕ的７４．６６ｋｅＶγ射线的生长和衰变，首次鉴定了新丰中子核素２３９Ｐａ，并确定了２３９Ｐａ的半衰期为（１０６±３０）ｍｉｎ。     

碘化汞探测器的研制进展

使用片状法生长ＨｇＩ２单晶片制砀２０ｍｍ２×０．４ｍｍ探测器在常温下对５９．５ｋｅＶγ射线和５．９ｋｅＶＸ射线的能量分辨率分别为１．９ｋｅＶ和９００ｅＶ。已用于Ｃｕ、Ｐｂ、Ｚｎ等矿样分析，取得了新结果。     

新重丰中子核素^239Pa的观测

以５０ＭｅＶ／ｕ丰中子炮弹＾１８Ｏ轰击天然铀靶，通过奇异的多核子转移反应产生了＾２３９Ｐａ用放射化学分离方法从复杂的反应产物中分离出Ｐａ活性，借助于＾２３９Ｐａ及其子体＾２３９Ｕ衰变的观察，鉴别了新重丰中子核素＾２３９Ｐａ，并测定其半期为１０６±３０ｍｉｎｌ同时，还发现了能量为５２２．０，５６２．０，６３８．５，６８１．０ｋｅＶ的＾２３９Ｐａ的四条衰变γ射线。     

压水动力反应堆燃料元件安全性的监测与分析

为了对１座压水型动力反应堆作燃料元件破损的现场监测，计算了一些裂变产物的主要γ光子用７６．２ｍｍ×７６．２ｍｍＮａｌ探测器测量时产生的光电峰相对计数率随反应堆启动不同时间的变化，并作了监测中的干扰因素分析。计算和分析结果表明：在元件安全性监测中，最适合选择的γ光子能量是２２０．９ｋｅＶ（８９Ｋｒ）、４０２．７ｋｅＶ（８７Ｋｒ）、１９６．３ｋｅＶ（８８Ｋｒ）、５２９．８ｋｅＶ（１３３Ｉ）和８１ｋｅＶ（１３３ｘｅ）。在监测中存在的主要干扰因素是高能γ射线产生的湮没辐射、ｗａｌ探测器周围ｐｂ屏蔽上产生的７５ｋｅＶＸ射线及由１９Ｏ和１６Ｎ产生的γ射线。在１座反应堆２次事故排除的元件安全性监测中，分析方法成功地得到了应用。     

乏燃料后处理溶液中U,Pu的^57Co原激发K—XRF分析

自制一套＾３７Ｃｏ源激发与Ｋ系Ｘ射线荧光（Ｋ－ＸＲＦ）分析系统，用＾３７Ｃｏ的ｋｅＶγ射线激发工艺溶液中Ｕ，Ｐｕ的Ｋ系Ｘ射线荧光，用ＨＰＧｅ探测器－多道微机分析系统进行测量，并以１２２ｋｅＶγ射线康昔顿散射线为内标，建立强度比－浓度校正曲线，快速同地测定了ＰＷＲ乏燃料后处理工艺溶液中Ｕ，Ｐｕ浓度，测定范围为０．５－２００ｇ／Ｌ，精密度为５．０％－１．５％。方法适于ＰＷＲ乏燃料后处理工艺中，Ｕ，Ｐｕ     

乏燃料后处理溶液中U、Pu的~(57)Co源激发K-XRF分析

自制一套５７Ｃｏ源激发Ｋ系Ｘ射线荧光（Ｋ－ＸＲＦ）分析系统。用５７Ｃｏ的１２２ｋｅＶγ射线激发工艺溶液中Ｕ、Ｐｕ的Ｋ系Ｘ射线荧光，用ＨＰＧｅ探测器－多道微机分析系统进行测量，并以１２２ｋｅＶγ射线康普顿散射线为内标，建立强度比－浓度校正曲线，快速无损地测定ＰＷＲ乏燃料后处理工艺溶液中Ｕ、Ｐｕ浓度。测定范围为０．５—２００ｇ／Ｌ，精密度为５．０％—１．５％。方法适于ＰＷＲ乏燃料后处理工艺中Ｕ、Ｐｕ浓度的快速控制分析或在线分析。在同时应用５７Ｃｏ透射源的情况下，精密度达０．５％，方法适于核燃料衡算分析。     

元件破损实时监测与分析中裂变产物光子能量的选择

计算了不同裂变产物的主要γ光子对φ７６．２ｍｍ×７６．２ｍｍ ＮａＩ探测器光电峰的相对探测效率。结果表明，在燃料元件破损监测中，光电效应计数率最高的几种光子能量与核素是８１ｋｅＶ（＾１３３Ｘｅ）、１９６．３ｋｅＶ（＾８８Ｋｒ）、２２０．９ｋｅＶ（＾８９Ｋｒ）、２４９．８ｋｅＶ（＾１３５Ｘｅ）、４０２．６ｋｅＶ（＾８７Ｋｒ）和５２９．８ｋｅＶ（＾１３３Ｉ）。由于活化产物γ辐射的干扰，监测用γ光子的能     

探测器校准用的6130keV单能γ源

通过混合＾２３８Ｐｕα辐射体和＾１３Ｃ制得单能６１３０ｋｅＶ高能γ射线校准源，测量了ＨＰＧｅ探测器效率、标准源的中子发射率、γ射线能谱及其发射率，讨论了不同投料比和工艺。     

20keV～17MeV中子能谱测量

基于质子反冲方法，建立了一套宽能区，高效率的中子谱仪系统，分别用三支充不同气压氢和甲烷的球形正经计数管和一个有机闪烁探没器分段测量２０ｋｅＶ～１７ＭｅＶ的中子能谱，为了去除γ射线本底，对两种探测器分别采用了两种不同的脉冲形状别技术，谱仪直接测量的是中子在探测器中产生的反冲质脉冲幅度谱，通过解决矩阵方程的方法得到中子谱，解谱中所用的各个探测器的中子响应矩阵均蒙特－卡洛方法计算得到，谱仪在全能区的中子     

丰中子核素238Th的分离和鉴别

用６０ＭｅＶ／ｕ＾１８Ｏ离子轰击天然铀靶,通过多核子转移反应产生重丰中子新核素＾２３８Ｔｈ。采用放射化学分离方法从铀和反应产物中分离钍,用ＨＰＧｅ探测器做γ单谱时间序列谱测量,在测得的Ｔｈ样品的γ谱中观察到了＾２３８Ｔｈ衰变子体＾２３８Ｐａ的１０６０．５ｋｅＶγ射线的生长和衰变。从而鉴别了新丰中子核素＾２３８Ｔｈ,并确定其半衰期为（９．４±２．０）ｍｉｎ。     

锗γ谱仪^110mAg符合相加修正因子测量

通过在ＨＰＧｅ探测器表面及距探头２８ｃｍ处分别测量形状相同的＾１１０ｍＡｇ（６５７．８ｋｅＶ）和＾１３７Ｃｓ（６６１．６ｋｅＶ）体源的全能峰妆计数率,可在避开源活度,发射几度和自吸收修正等条件下,测得在探测器表面测量＾１１０ｍＡｇ６５７．８ｋｅＶγ射线的符合相加修正因子Ｆ０;本文介绍了此测量方法的原理和测量结果。     

大面积Si（Li）探测器

测量了不同温度条件下面积为４９ｍｍ×４９ｍｍ、厚３．５ｍｍ的Ｓｉ（Ｌｉ）探测器的Ｉ－Ｖ特性。Ｓｉ（Ｌｉ）－Ｅ－１和Ｅ－２探测器对＾２３８Ｐｕ５．４９９ＭｅＶ α粒子的能量分辨率例如为５４．４ｋｅＶ和５７．０９ｋｅＶ。     

造钚率实验中γ射线自吸收修正研究

造钚率实验研究中需要测量贫化铀活化片发射的277.6 keVγ射线,活化片对此γ射线具有一定自吸收作用,需要对其进行修正。用面源法和体源法开展了自吸收理论的蒙德卡罗模拟计算,结果显示:探测距离为9 cm时,两种方法的偏差小于1.3%。用243Am面源、贫化铀活化片和HPGe探测器开展了277.6 keVγ射线自吸收实验研究,得到了不同厚度贫化铀活化片对277.6 keVγ射线自吸因子,实验结果与理论模拟偏差小于2.5%。     

碘化汞半导体探测器的能量分辨率

介绍了ＨｇＩ２晶体的生长方法及探测器制备技术，讨论了ＨｇＩ２半导体探测器的能量分辨率，测得ＨｇＩ２探测器在室温玻地＾５５Ｆｅ５．９ｋｅＶ和＾２４１Ａｍ５９．５ｋｅＶＡ射线的能量分辨率分别为１．３ｋｅＶ和３．４ｋｅＶ。     

一台自行组建的低本底Ge（Li）－NaI（T1）反符合γ谱仪

本文报道自行组建的一台Ｇｅ（Ｌｉ）－ＮａＩ（Ｔｌ）反符合γ谱仪的结构和性能。主探测器是φ６１．５ｍｍ×５６．０ｍｍ的同轴Ｇｅ（Ｌｉ）探测器（灵敏体积为１５０ｃｍ￣３），由φ８８．９ｍｍ×７６．２ｍｍ的圆柱形ＮａＩ（Ｔｌ）晶体和外、内径×高为２５４ｍｍ、８８．９ｍｍ×３０５ｍｍ的环形ＮａＩ（Ｔｌ）晶体构成井型反符合探测器，主要的物质屏蔽层是１００ｍｍ铅＋１５ｍｍ钢＋５ｍｍ铜。Ｇｅ（Ｌｉ）探测器对￣（６０）Ｃｏ１３３３ｋｅＶ能量的分辨率为２．４ｋｅＶ，峰康比为４４，相对探测效率为２４％。在反符合屏蔽条件下，谱仪在康普顿坪（３５８—３８２ｋｅＶ）和康普顿端（４６０—４８４ｋｅＶ）的抑制因子分别为５．Ｏ和５．４；康普顿区积分（５０—５９５ｋｅＶ）抑制因子３．６，峰康比（￣（１３７）Ｃｓ点源）为４９４。在１００—２０００ｋｅＶ能区屏蔽室内、外的积分本底比为１：１３１。加反符合和不加反符合条件下的积分本底抑制因子为３．５，加反符合后的积分本底为１７．２ｃｐｍ。当测量时间１０００ｍｉｎ、置信度９５％时，￣（１３７）Ｃｓ的最低可探测活度（判断限）为５．８ｍＢｑ．２４小时内，￣（２４１）Ａｍ、￣（１３７）Ｃｓ和￣（６０）Ｃｏ     

用于核态寿命测量的X—γ—γ定时符合系统

由两只ＢａＦ２闪烁探测器和一只高纯锗探测器组成的延迟符合系统适用于电子俘获衰变和Ｅ０跃迁生成的ｎｓ和ｐｓ量级激发态寿命测量。快符合涉及特征Ｘ射线和相应的级联衰变γ射线测量，系统具有元素和级联选择的优点。该系统对放射性核素１５２￣Ｅｕ进行测量，除得到Ｘ－γ－γ瞬发时间谱的半高全宽度外，还分别得到１２１．７８ｋｅＶ和３６６．４８ｋｅＶ能级的半寿命分别为１．３９５±０．０３５ｎｓ和４８±１０ｐｓ。结果表明该系统适用于Ｚ≥６２的电子俘获衰变研究。     

材料自散射对低能γ射线厚度测量精度的影响

本文根据γ射线与物持发生Ｒａｙｌｅｉｇｈ散射和康普顿散射的基本规律，用蒙特卡罗法计算了散射γ射线对探测器计数或沉积能量的影响，从使用低能Ｘ，γ射线（＾３４１Ａｍ５９．６ｋｅＶ）测量钢带厚度的角度，分析了散射对测量结果精度的影响，计算了与实验进行了比较。     

峰面积比法测量绝对热中子注量率

介绍了利用γ谱仪测量绝对中子注量率的方法。在已知中子场中照射金（Ａｕ）箔和铕（Ｅｕ）箔，利用γ谱仪分别测量＾１９８Ａｕ和＾１５２Ｅｕ的４１１ｋｅＶγ峰面积，根据两者的峰面积之比和已知中子场的约对中子注量率，求得＾１５２Ｅｕ的４１１ｋｅＶγ峰面积对应的中子注量率。在待测中子场中，照射金箔，利用γ谱仪测量其４１１ｋｅＶγ峰面积和刻度过的＾１５２Ｅｕ的４１１ｋｅＶγ峰面积，根据两者之比和已求得的＾１５２     

HPGe低本底反康普顿γ谱仪

本文报道了以ＨＰＧｅ为主探测器的低本底反康普顿γ谱仪，该谱仪以环形和圆柱形ＮａＩ（ＴＩ）组成阱型反符合屏蔽探测器，以钢，铅及不锈钢等材料组成复合结构屏蔽室。对＾４０Ｃｏ１３３２．５ｋｅＶγ射线，ＨＰＧｅ主探测器能量分辨率为１．８６ｋｅＶ，相对效率为３８％，在阱型反符合屏蔽条件下，谱仪对＾１３７Ｃｓ点状薄膜源测得康普顿抑制系数为４．４；峰康比为８７０：１；５０￣２０００ｋｅＶ能区内每ｍｉｎ积分本底为     

平面型HpGe谱仪的效率刻度及对^210Pb的测量方法

本文报道了用半经验公式法对φ４３．８ｍｍ×５ｍｍ平面型ＨｐＧｅ谱仪在低能γ和ｘ射线１４—６３ｋｅＶ能区对环境样品的全能峰效率刻度方法和结果。用制备的煤、矸石、土壤和煤灰等介质中的￣（２１４）Ａｍ、Ｕ－Ｒａ平衡源进行了验证，在士５．５％以内和参考值相符合。本文还报道了一种简单的该谱仪对环境样品中￣（２１０）ｐｂ的刻度和测量方法，测量了矸石样品中的￣（２１０）ｐｂ和￣（２３８）Ｕ的含量，其结果和半经验公式法的测量结果在士７．５％以内符合。