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利用共沉淀法和低分子有机溶剂分散获得了SZP、CZP以及KZP粉体,粒径0.8-1.5μm,制得了SZP、CZP和KZP陶瓷。研究了其力学性能添加剂用量、烧结温度、烧结时间的关系。最佳工艺条件为:添加剂MgO用量1wt%-3wt%;烧结温度1200-1300℃;烧结时间1-2h,CZP、SZP有KZP的抗压强度分别达到了157.4MPa、164.8MPa和105.6MPa。 相似文献
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本文研究了工艺因素(烧结温度、添加剂组成和含量)对SiC_w一AIN复合材料的影响。结果表明:1850℃是较合适的复合材料烧结温度,复合材料力学性能与添加剂组成和含量有密切关系。Y_2O_3与SiO_2在烧结中起的作用不同,Y_2O_3与AIN表面的Al_2O_3形成液相,是一种良好的烧结添加剂,而SiO_2由于与AIN形成27RSialon多形体,反而阻碍材料致密化。在添加8wt%左右Y_2O_3时。复合材料力学性能最佳,抗折强度σ520MPa,断裂韧性K_(lc)=4.98MPa·m ̄(1/2) 相似文献
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超临界CO_2萃取桂花和茉莉花浸膏的研究 总被引:14,自引:0,他引:14
用超临界CO2对桂花、茉莉花进行了萃取研究,考察萃取时间、温度、压力对浸膏得率和质量的影响。桂花萃取最佳工艺条件为:压力12~16MPa,温度308~318K,时间15~2h,浸膏得率0251%;茉莉花萃取最佳工艺条件为:压力12~15MPa,温度308~323K,时间1~15h,浸膏得率为0240%。 相似文献
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KSZP陶瓷的烧结和力学性能 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了KZr2P3(KZP)-SrZr4P6O24(SZP)系统陶瓷(KSZP)的显微结构和力学性能,添加MgO作为烧结助剂,使材料力学性能得到显著的改善,抗弯强度达到123MPa,断裂韧性为2.1MPa.m^1/2弹性模量达110GPa,Vickers硬度为4.5GPa。 相似文献
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本文研究了GPSZrO2-Si3N4复合材料的烧结性能、相组成、显微结构和力学性能。ZrO2-Si3N4复合材料在1770~1800℃,氮气压力分别为1MPa,2MPa,3MPa下烧成,获得相对密度>95%烧结体。实验结果表明:少量的工业ZrO2对氮化硅有助烧作用,增大氮气压力有利于改善氮化硅陶瓷材料的烧结性能和力学性能;ZrO2可提高氮化硅基体的断裂韧性,在3MPa下烧成条件下,添加15%ZrO2的Si3N4复合材料断裂韧性可达8.08MPa.m1/2,与基体相比提高21.5%,第二相粒子增韧和微裂纹增韧为主要增韧机理。 相似文献
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晶须表面涂层对SiCw/TZP陶瓷复合材料力学性能和界面结构的影响 总被引:3,自引:3,他引:3
研究了在SiC晶须表面涂覆10~100nm厚的氧化铝或莫来石对15%(vol)SiCw/2.5Y-TZP陶瓷复合材料力学性能的影响。结果表明:涂层可显改善复合材料的力学性能,其中涂覆莫来石效果最佳,室温σ1=1450MPa,K1c=17MPa·m^1/2,1000℃下σf=520MPa,比无涂层的复合材料力学性能分别提高了80%,100%和45%。SEM,TEM和HREM观察表明:SiCw表面涂 相似文献
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聚苯乙烯超临界流体脱挥研究 总被引:5,自引:0,他引:5
经实验研究,确定了聚苯乙烯超临界流体脱挥的优化操作条件:温度为343K,压力为18MPa,CO2与PS的投料比为2.0~3.0LCO2/h·gPS。在该条件下脱挥3h,可使聚苯乙烯中的挥分含量从1%降至0.2% 相似文献
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常压烧结莫来石/氧化锆/碳化硅复相陶瓷的研究 总被引:2,自引:1,他引:2
本文对莫来石/氧化锆/碳化硅复相陶瓷进行了N2气氛中常压烧结的研究。实验结果表明:SiC粒子添加量≤20vol%,材料均可致密烧结并可获得均匀的微观结构。SiC粒子的加入使材料人力学性能较莫来石/氧化锆陶瓷有明显的提高,并在SiC含量为10vol%时达到峰值,室温强度和断裂韧性分别为601MPa和5.8MPa^C2,接近热压材料。 相似文献