基于功率MOS线性高压放大器设计

为了实现时输出高压的线性控制,基于功率MOSFET的电学特性,运用NMOS功率管设计一种新结构的高压运算放大器,通过模拟仿真和实验测量结果表明,当输入电压为0～5V时,电路可实现0～50V的线性输出,并且通过加入PMOS功率管进一步改进电路,可得到正负高压的输出,模拟仿真为-140～＋140V,这表明所设计的电路线性度高,可以满足高压运放的要求,且制作成本低,对现代通信中的大功率驱动具有重要意义。     

一种大容性负载的压电陶瓷驱动电源设计

压电陶瓷作为微定位系统的动能器件,可达到纳米级的位移精度。针对位移驱动型压电陶瓷的大容性负载特点,基于PA92设计了一种高精度、大电流的动态驱动电源。通过电容超前反馈、隔离电阻结合反馈及相位补偿等方式提高了电源的稳定性。分析结果表明,该电源能有效应用于纳米级定位系统中,在大容性负载时具有良好的动态性能,输出电压精度可达0.5 mV。     

VHF高压双栅功率MOSFET的研制

采用硅栅结构的自对准离子注入工艺,研制成功了源漏击穿电压ＢＶＤＳ为１２０Ｖ、输出功率５．１Ｗ、功率增益８ｄＢ、跨导６５０ｍＳ、截止频率ｆＴ为２７０ＭＨｚ的高压双栅功率ＭＯＳＦＥＴ器件。介绍了器件结构参数和工艺参数的设计,给出了计算机数值分析结果。     

一种基于LTCC技术的新型功率放大器研制

将低温共烧陶瓷(LTCC)技术引入功率放大器的设计中,充分利用LTCC优势,将有源器件、无源器件、电气布线、微波链路全部集成在LTCC的多层结构中,真正意义上实现了功放的小型化、一体化设计,极大地提高了功放的可靠性。测试结果表明,基于该技术的两路放大器合成效率可达80%。     

适合多媒体计算机使用的音频功率放大器

适合多媒体计算机使用的音频功率放大器电子工业部第三研究所李洹随着计算机应用的日益普及，多媒体技术也迅速发展起来。目前人们对计算机性能的要求也更高了，特别是某些软件带有各种声效功能以及利用计算机播放ＶＣＤ等功能，因此也要求计算机具有性能优良的声卡，以满...     

基于线性电源的高压放大器

介绍基于线性电源的高压放大器的实现，他具有宽范围的电压输出、波形质量好的特点，降低了对器件耐压的要求，可用于实现压电陶瓷驱动器、高电压扫描电源以及高压功率源等应用。     

一种驱动大容性负载的三级运算放大器

提出了一种低功耗、高增益、可驱动大容性负载的三级运算放大器。通过采用共源共栅密勒补偿技术和工作在亚阈值区域的跨导提升运算放大器,以低的功耗成本显著减小了补偿电容。通过将负载有关的非主极点推向更高的频率,达到了改善带宽和稳定性的目的。该运算放大器采用UMC 28 nm HLP CMOS工艺进行设计和验证。结果表明,当驱动高达10 nF的容性负载时,总补偿电容仅为440 fF。在1.05 V电源电压下,该运算放大器消耗52 μA 的电流,单位增益带宽为4.84 MHz,增益大于100 dB。     

基于功率MOSFET的慢升快降型高压脉冲信号源

利用MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）导通过程中某一时段输出电流和门电压成比例的特点来获得前沿缓慢而后沿陡降的高压脉冲信号,通过栅极电阻降低脉冲前沿的上升速度;通过低驱动内阻对栅极电容电荷的快速泄放提高脉冲后沿的下降速度。在50Ω负载下脉冲的最大幅度为800V,下降沿约为15ns。     

基于PA85的新型压电陶瓷驱动电源

压电陶瓷驱动电源是压电陶瓷微位移器应用中关键部件。PA85是一种高压、高精度的MOSFET运算放大器。文章介绍了一种基于PA85的新型压电陶瓷驱动电源，详细介绍了电源复合放大电路部分的设计原理和并对其稳定性进行了分析。该电源具有精度高，驱动能力强，结构简单，稳定性好的特点。     

针对容性压电负载的桥式功率放大电路的设计

功率放大电路负责驱动容性压电负载,是整个压电执行器的关键部件.根据某驱动电源中的功率放大电路作为设计对象,通过采用桥式电路结构,从而提高了整体性能;通过研究放大器的共模输入电压范围,从而设定了非对称电源;通过分析波形,从而设定了电压增益;通过采用过压保护和限制电流,增强了电路的安全性;通过计算热工,设置了散热方式;通过使用方波测试法,测定了电路的稳定性.实验结果显示,该方法能实现双极性输出,以至于性能上的提高胜过了成本和复杂性的增加.     

适合宽范围电容负载的三级运放

结合精确度和稳定性的要求提出了一种适合宽范围电容负载的CMOS运放.在多径嵌套式密勒补偿结构中加入一个抑制电容得到适合各种电容负载的稳定性.为了证实稳定性的提高对该结构进行了理论分析并计算得出数学表达式.基于这种新的频率补偿结构,利用CMOS 0.7μm工艺模型设计了样品芯片.测试结果表明:该运放可以驱动从100pF到100μF负载电容,直流增益为90dB,最小相位裕度为26°;该运放在100pF负载情况下单位增益带宽为1MHz,使用抑制电容仅为18pF.     

适合宽范围电容负载的三级运放

结合精确度和稳定性的要求提出了一种适合宽范围电容负载的CMOS运放.在多径嵌套式密勒补偿结构中加入一个抑制电容得到适合各种电容负载的稳定性.为了证实稳定性的提高对该结构进行了理论分析并计算得出数学表达式.基于这种新的频率补偿结构,利用CMOS 0.7μm工艺模型设计了样品芯片.测试结果表明:该运放可以驱动从100pF到100μF负载电容,直流增益为90dB,最小相位裕度为26°;该运放在100pF负载情况下单位增益带宽为1MHz,使用抑制电容仅为18pF.     

一种压电陶瓷执行器动态驱动电源

针对压电陶瓷执行器呈现强容性负载的特性,该文研究了基于误差放大原理的压电陶瓷执行器动态驱动电源,提出采用高压运算放大器结合准互补对称功率放大电路构成的输出级以提高驱动电源的输出电压范围的方法和采用多组准互补对称功率放大电路构成的输出级并联以提高输出峰值功率的方法。通过对实际电路的测试表明,采用上述方法开发的压电陶瓷执行器动态驱动电源不仅输出功率达270 W,且具有良好的静态性能。     

多单元压电陶瓷类变形镜高压驱动电源

针对变形镜压电陶瓷类驱动器单元数多的特点,设计一种高带宽适合扩展成多通道输出的压电陶瓷驱动电源,它利用光耦分相隔离从源极驱动功率NMOS管,简化了电路结构并保证了功率带宽。该驱动电源驱动100 nF容性负载时,可实现单端到地-300~＋300 V双极性高压输出,电压增益35.5 dB,信号不失真情况下,小信号响应频率达10 kHz,大信号响应频率2 kHz,瞬时充放电电流可达400 mA。实验表明该驱动电源的性能能够满足变形镜驱动的要求且电路结构简单。     

高压功率MOSFET结终端保护技术及其组合优化设计

场板与场限环是用来提高功率MOSFET抗电压击穿能力的常用结终端保护技术,文章将分别介绍场板与场限环结终端保护技术各自的特点和耐压敏感参数,通过场板和场限环的互补组合来优化设计一款高耐压的VDMOS器件结构,最后采用ATHENA(工艺模拟)和ATLAS(器件模拟)工具来仿真验证优化设计的结果。     

针对容性负载的线性功率放大电路的稳定性设计

针对容性负载,从线性功率放大电路稳定性设计的角度,以某压电执行器为研究对象,通过分析相关的设计指标,选择出适用的功率运算放大器;运用噪声增益和反馈零点这两种相位补法,提高了电路的稳定性,避免了超调和振荡,通过理论计算、模型仿真、实物检测相结合的方式,逐步地验证了所做的稳定性设计是有效的、可行的。     

高压隔离高线性度光电耦合器

研制了一种高压隔离高线性度光电耦合器.采用混合集成技术,在6DIP陶瓷管座内成功制作出了高压隔离线性光电耦合器.叙述了该器件的工作原理、工作特性及设计考虑,并在在此基础上进行了实验,实验结果表明此器件具有结构简单、精度高、线性度好的优点.