InGaAs（P）分别限制应变单量子阱激光器的优化设计

针对较常用的ＩｎＧａＡｓ（Ｐ）分别限制应变单量子阱激光器，给出了为得到最大净增益的优化设计参数。对于激射波长为１．５５μｍ的无应变激光器，最佳的光限制层波长为１．２４μｍ，厚度为１００ｎｍ。当阱材料引入压缩应变后．由于价带的有效状态密度减小，量子阱激光器的微分增益变大，阱深的增大对增大线性增益的效果更加明显．所以最佳光限制层的波长将变短，为１．２０μｍ     

980nm高功率应变量子阱阵列激光器的研制

利用分子束外延（MBE）方法研制出了高质量的InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱阵列激光器。其有源区采用分别限制单量子阱结构，激射波长在980nm左右，阵列器件由48个LD构成，在重复频率300Hz、脉冲宽度200μs的条件下，定温光功率输出达到20W，斜率效率1.1W/A，光电转换效率29％。     

GSMBE生长1.84um波长InGaAs／InGaAsP应变量子阱激光器

报道了GSMBE方法生长波长1.84um的InGaAs/InGaAsP/InP应变激光器,40um条宽、800um腔长的平面电极条形结构器件,室温下以脉冲方式激射,20℃下阈值电流密度为3.8kA/cm^2,外微分量子效率为9.3%。     

1.74μm压应变InGaAs/InGaAsP量子阱分布反馈激光器

制备了1.74μm脊波导结构压应变InGaAs/InGaAsP量子阱分布反馈激光器.采用低压金属有机化合物气相沉积法生长器件材料,应用应变缓冲层防止In的分凝.未镀膜的腔长为300μm的器件阈值电流为11.5mA,100mA时最大输出功率为14mW,边模抑制比为33.5dB.     

InGaAs／InP分别限制量子阱激光器的阱数优化设计和实验制备

根据对ＩｎＧａＡｓＰ－ＩｎＰ分别限制量子阱激光器结构的注入效率的分析和利用Ｘ射线衍射结ＩｎＧａＡｓＰ－ＩｎＰ２０个周期的多量子阱结构异质界面的研究，设计，制备了４个阱的ＩｎＧａＡｓＰ－ＩｎＰ分别限制量子阱激光器结构，利用质子轰击制得条形激光器，阈值电流为１００ｍＡ，直流室温连续工作，单面输出外微分子效率为３６％。     

GSGSMBE生长 1.84μm波长 InGaAs/InGaAsP应变量子阱激光器

报道了 GSMBE方法生长波长 1.84μm的 In Ga As/ In Ga As P/ In P应变量子阱激光器 . 40 μm条宽、 80 0 μm腔长的平面电极条形结构器件 ,室温下以脉冲方式激射 ,2 0℃下阈值电流密度为 3.8k A/ cm2 ,外微分量子效率为9.3%     

InGaAs/GaAs量子点类脊型激光器的激射特性

用MOCVD方法生长制备了多层InGaAs/GaAs量子点结构 ,并研制出量子点激光器。研究了多层量子点激光器阈值激射特性与量子点有源区结构之间的关系 ,结果表明激光器的阈值电流密度依赖于量子点的结构。通过采用多层量子点、对量子点层间进行耦合以及采用宽禁带AlGaAs作为量子点层势垒可以有效地降低激光器的阈值电流密度。获得了最低为 2 0A/cm2 的平均阈值电流密度。量子点激光器的激射波长也与有源区结构有关 ,随着量子点层数增加 ,激射峰向长波方向移动。     

InGaAsP/InGaP/GaAs SQW激光器的腔长对Jth和ηd的影响

利用LP-MOCVD生长InGaAsP/InGaP/GaAs SCH-SQW结构,制作了宽接触条形激光器,研究发现微分量子效率在中等腔长范围内有极大值;腔长较短时,阈值电流密度随腔长的变化而迅速变化.     

InGaAsP/GaAs单量子阱SCH半导体激光器的液相外延

利用一种改进的液相外延技术进行了ＧａＡｓ衬底上ＩｎＧａＡｓＰ材料的生长，１０Ｋ温度下光荧光半宽度（ＦＷＨＭ）为１４ｍｅＶ，获得了阈值电流密度为３００Ａ／ｃｍ２的ＳＣＨ多层结构外延片，宽台面激光器最大连续输出功率达到２．１Ｗ。     

Transient Thermal Analysis of Ridge Waveguide InAsP／InGaAsP MQW Lasers Operating in Pulse Driving Conditions

The transient thermal characteristics of the ridge waveguide InAsP/lnGaAsP MQW lasers, especially in various pulse driving conditions, have been simulated by using FEM. The temperature at the active core of the laser versus the time has been calculated as well as pulse width dependence of the apparent thermal resistance. The results show that the thermal characteristics of the lasers are related to both the thermal conductivity and the specific heat of the materials.     

InAs/GaAs多层堆垛量子点激光器的激射特性

利用固态源分子束外延技术，按S-K模式生长出五层堆垛InAs/GaAs量子点（QD）微结构材料. 用这种QD材料制成的激光器，内光学损耗为2.1cm-1，透明电流密度为15±10 A/cm2. 对于条宽100μm，腔长2.4mm的激光器（腔面未经镀膜处理），室温下基态激射的波长为108μm，阈值电流密度为144A/cm2，连续波光功率输出达2.67W（双面），外量子效率为63%，特征温度为320K. 研究了QD激光器翟激射特性，并对结果作了讨论.     

大功率InGaAsP/GaAs量子阱半导体激光器的直流和1/f噪声性质

对大功率InGaAsP/GaAs量子阱(QW)半导体激光器(LD)的直流(DC)特性和小注入下的低频噪声(LFN)特性进行了实验研究.DC检测发现,V-J和I dV/dI-I可以对LD的电流泄漏作出判断.LFN检测发现,小注入下的1/f低频电压噪声幅值Bv(I)∝I<'βv>.理论分析和老化实验均表明,电流指数βv与载流子输运和电流泄漏机制之间有很好的相关性,存在电流泄漏和无辐射复合的器件其|βv|较小,可靠性较差.     

LD条宽对激射波长影响的研究

报道了LD激射波长会随条宽发生明显变化.对有相同外延生长结构和制作工艺、不同条宽的960 nm LD的激射波长进行研究发现,条宽为130、100、75和50 μm的器件的激射波长依次变短.进一步分析认为,这是因为条宽变窄导致器件阈值电流密度、阈值载流子密度变大造成的.根据GaAs材料在不同注入载流子密度下的增益谱及器件条宽变化对阈值载流子密度的影响,可以对实验现象进行合理的解释,从而在器件研制中可通过改变条宽对器件的激射波长在一定范围内进行调节.     

p-i-n InP/InGaAs光电探测器的电流及电容特性研究

为了实现高灵敏度探测,红外探测器需要得到优化。利用Silvaco器件仿真工具研究了p--i--n型InP/In0.53Ga0.47As/In0.53Ga0.47As光电探测器的结构,并模拟了该结构中吸收层浓度和台阶宽度对暗电流以及结电容的影响。结果表明,随着吸收层掺杂浓度的逐渐增大,器件的暗电流逐渐减小,结电容逐渐增大。当台阶宽度变窄时,器件的暗电流随之减小,结电容也随之变小。最后研究了光强和频率对器件结电容的影响。在低光强下,器件的结电容基本不变;当光强增大到1 W/cm2时,器件的结电容迅速增大。器件的结电容随频率的升高而减小,其峰值由缺陷能级引起。     

Fabrication of 0.1 Micron MOSFETs and Their Characteristics

Two innovative techniques for manufacturing 0. 1 micron MOSFETs are described. One is SiO2-resist overetching method, in which an additional SiO2 layer is used to short the gate length; the other is dual-exposure method, according to which two overlapped masks are exposed in a single lithography. Both of them are easy to implement, without any special processing technologies required. The layout used in a real process is introduced. As a result, MOSFETs with minimal channel length of 0.12 micron are obtained. Also, the test results on characteristic are given. Finally, a conclusion is drawn that in 0.1 micron scale, both saturation currents and transconductorance of MOSFETs increase, while substrate currents decrease when channel length diminish.     

Effects of distance between wells on band structure and characteristics of InGaAs/InGaAsP strain-compensated multiple quantum well lasers

In terms of the multi-well energy representation technique, the effects of the distance between wells on the valence band structure and characteristics are analyzed for InGaAs/InGaAsP strain-compensated multiple quantum well lasers with zero net strain. The computed result shows that a coupling effect exists between the wells, causes an energy split, and affects the properties of the laser, such as the density of states, optical gain, differential gain, threshold wavelength, threshold carrier density and threshold current density. We find that when the distance between wells equals twice the thickness of the well, the effect of the distance between wells on the characteristics of the laser becomes weak. Therefore, for the practical design of lasers, it is reasonable to take the thickness of the barrier to be twice that of the well.