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相似文献
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1.
第三代移动通信系统中的软件无线电技术   总被引:7,自引:0,他引:7  
软件无线电技术是 90年代新技术之一 ,它已与第三代移动通信系统紧密的结合起来。第三代移动通信系统的研究推动了软件无线电技术的发展 ,而软件无线电技术又促使第三代移动通信系统更加灵活的实现。本文分析了软件无线电技术在第三代移动通信系统中的应用 ,并总结归纳了由于第三代移动通信系统的推动作用 ,软件无线电系统呈现出的一些新的发展趋势。  相似文献   

2.
软件无线电在第三代移动通信系统中的应用与新进展   总被引:8,自引:1,他引:8  
第三代移动通信系统的研究推动了软件无线电技术的发展,而软件无线电技术又促使第三代移动通信系统更加灵活地实现。本文分析了软件无线电技术在第三代移动通信系统中的应用。并总结归纳了由于第三代移动通信系统的推动作用,抚线电系统呈现出的一些新的发展趋势。  相似文献   

3.
软件无线电技术在第三代移动通信中的新进展   总被引:1,自引:1,他引:0  
第三代移动通信的研究推动了软件无线电技术的发展,软件无线电技术也促使第三代移动通信系统更加灵活地实现。文章总结了实现软件无线电的几种体系结构,分析了各自的特点,详细论述了软件无线电在第三代移动通信中的应用及其发展趋势。  相似文献   

4.
李一兵  吕威  叶方 《信息技术》2002,(10):12-13,18
讨论了第三代移动通信系中的一个主要的问题--多通信体制兼容问题,分析了软件无线电在第三代移动通信系统中的应用,并在研究软件无线电技术的基础上,提出了一种基于软件无线电技术实现第三代移动通信系统中多通信体制兼容的结构模型。  相似文献   

5.
基于软件无线电技术的第三代移动通信系统结构   总被引:6,自引:0,他引:6  
在研究软件无线电技术的基础上,本文提出了基于软件无线电技术,用于第三代移动通信系统的一种多模操作体系结构,讨论了在此基础上实现灵活的第三代移动通信系统应注意的问题。  相似文献   

6.
钱峻  章坚武 《电讯技术》1999,39(4):59-62
本文首先回顾第三代移动通信系统的研究动态,并着重对我国提出的S-CDMA系统进行分析比较。得出软件无线电技术是确立我国第三代移动通信系统的关键技术之一。本文还提到S-CDMA采用软件无线电后新开辟的测向定位功能。  相似文献   

7.
随着第三代移动通信标准的不断完善和相关系统及设备的逐渐成型,个别移动通信研发、生产企业或电信运营商向地方政府或地方主管部门提出了进行第三代移动通信技术试验的申请。为保证我国第三代移动通信产业和运营业的有序发展,现将有关事项通知如下:一、凡涉及第三代移动通信系统的频率规划、分配和指配,均由信息产业部集中统一管理,各省、自治区、直辖市无线电管理机构不得擅自审批。二、信息产业部已就第三代移动通信系统核心频率的清理工作进行了部署,并正在统筹考虑第三代移动通信系统核心频段和扩展发段的频率规划。三、电信运营…  相似文献   

8.
软件无线电是未来无线通信的核心技术之一,本文因循软件无线电的发展历史,对软件无线电的定义、结构、关键技术及其在第三代移动通信中的应用与优势进行了讨论,并对其未来发展趋势进行了展望。  相似文献   

9.
曹原 《江西通信科技》2000,(4):16-18,35
软件无线电技术以其强大的灵活性而成为未来无线通信发展的方向;主要以CDMA技术为基础和第三代移动通信系统是当前研究的热门和关键技术,本文就如何用软件无线电的体系结构实现第三代移动通信系统经给予了探讨。  相似文献   

10.
软件无线电技术在3G中的应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
介绍了软件无线电技术的基本原理,根据软件无线电的核心思想,提出了该技术在第三代移动通信系统中的运用思路。  相似文献   

11.
采用第一性原理计算,研究了有机金属卤化物钙钛矿CH3NH3PbI3和CH3NH3MnI3的电子结构、磁性和光吸收。CH3NH3PbI3和CH3NH3MnI3都是具有直接带隙半导体,CH3NH3MnI3磁基态为G型反铁磁序(G-AFM)。CH3NH3MnI3在G-AFM状态下的带隙值为1.668 eV;当系统处于FM态时,多数自旋通道的带隙为0.696 eV,少数自旋通道的带隙为2.148 eV。结果表明,具有FM态的CH3NH3MnI3的光激发电子将迅速熔化局域磁序。最后计算了CH3NH3PbI3和CH3NH3MnI3的光学特性,结果表明具有铁磁态的CH3NH3MnI3(FM)表现出较强的红外光吸收。  相似文献   

12.
研究了利用太赫兹时间分辨系统研究有机卤化物钙钛矿薄膜(CH_3NH_3PbI_3 and CH_3NH_3PbI_(3-x)Cl_x)的皮秒尺度的超快太赫兹调制特性.在光激发作用下出现了太赫兹透射波的瞬时下降.相比于CH_3NH_3PbI_3薄膜,在光激发作用下CH_3NH_3PbI_(3-x)Cl_x薄膜展现了更高的调制深度(10%).通过测算材料的电导率及载流子浓度,其调制机理为瞬态光激发载流子浓度上升.实验结果表明,CH_3NH_3PbI_(3-x)Cl_x薄膜可作为一种高效超快太赫兹调制器件.  相似文献   

13.
Er3+/Ce3+co-doped tellurite-based glasses with composition of TeO 2-Zn O-Na2O are prepared by high-temperature melt-quenching technique.Effects of Ce2O3 content on the 1.53μm band fluorescence spectra and fluorescence lifetime of Er3+are measured and investigated.It is found that the tellurite glass containing Ce2O3 with molar concentration of 0.25%exhibits an increment of 13%in 1.53μm fluorescence intensity and an increment of 15%in the 4I13/2 level lifetime.The results indicate that the prepared tellurite-based glass with a suitable Er3+/Ce3+codoping concentration is an excellent gain medium applied for broadband Er3+-doped fiber amplifier(EDFA)pumped with a980 nm laser diode.  相似文献   

14.
液晶材料与3D显示   总被引:2,自引:8,他引:2  
介绍了3D显示的基本原理,重点介绍了目前3D显示的主流技术类型,包含了眼镜式3D技术以及裸眼式3D技术,其中眼镜式3D技术包含色差式3D技术、偏光式3D技术和主动快门式3D技术;裸眼式3D技术包含视差屏障式3D技术、柱状透镜式3D技术、指向光源式3D技术和多层显示式3D技术。阐述了各种3D显示技术的基本实现原理和应用领域、并对涉及液晶显示的几种3D技术的优缺点进行了对比。结合液晶材料的特点与3D液晶显示的实际要求,阐述了3D液晶面板对液晶材料快速响应方面的要求,以及液晶透镜对液晶材料光学各向异性参数的要求。  相似文献   

15.
秦菲  王进贤  董相廷  于文生  刘桂霞 《中国激光》2012,39(6):606002-149
采用静电纺丝技术制备了聚乙烯吡咯烷酮PVP/[Y(NO3)3+Al(NO3)3+Eu(NO3)3]复合纤维,将其进行热处理,得到了YAlO3:Eu3+发光纳米纤维。采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、荧光光谱等技术对样品进行了表征。PVP/[Y(NO3)3+Al(NO3)3+Eu(NO3)3]复合纤维经1200℃焙烧2h后,获得了YAlO3:Eu3+纳米纤维,属于正交晶系,空间群为Pnma。用Shapiro-Wilk方法检验了纤维直径分布情况,在95%的置信度下,纤维直径属于正态分布。PVP/[Y(NO3)3+Al(NO3)3+Eu(NO3)3]复合纤维表面光滑,纤维分散性较好,有很好的长径比,尺寸均一,平均直径为(152.9±26.0)nm;YAlO3:Eu3+纳米纤维的平均直径为(106.7±20.2)nm。在234nm的紫外光激发下,YAlO3:Eu3+纳米纤维的主要发射峰位于590nm和609nm处,分别属于Eu3+的5 D0→7F1跃迁和5 D0→7F2跃迁,Eu3+掺杂离子浓度对YAlO3:Eu3+发射峰的峰型与位置均没有影响,当Eu3+掺杂离子浓度为5%时,YAlO3:Eu3+纳米纤维发光最强。  相似文献   

16.
PMMN-PZT四元系压电陶瓷材料的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
研究了铌镁酸铅铌锰酸铅锆钛酸铅(PMMN-PZT)四元系统压电陶瓷材料的配方、工艺条件及对各项性能指标的影响。在相界附近研究了四种不同配方的PMMN-PZT压电陶瓷,通过SEM观察、性能测试、居里温度表征等手段,确定了较佳的配方组成、材料的烧结温度及极化制度。研究表明:所得PMMN-PZT压电陶瓷的较佳组成为0.06Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.06Pb(Mn1/3Nb2/3)O3-0.44PbZrO3-0.44PbTiO3+0.2%质量分数的CeO2,适宜的烧结温度为1200,极化电场为3000V/mm,极化温度为150。所制备的压电陶瓷的相对介电常数33T/0为1100;介质损耗tg为0.004;压电常数d33为290?0-12C/N,g33为28.0?0-3Vm/N;机电耦合系数kP为0.55;机械品质因数Qm为1200。  相似文献   

17.
BaTiO3基无铅高压陶瓷电容器材料性能的研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
采用BaTiO3基料,加入SrTiO3、CaCO3、Bi2O3·3TiO2等添加剂制备无铅高压陶瓷电容器材料,研究了添加剂对材料性能的影响,得到了介电常数可调、综合性能较佳的材料。结果表明,在BaTiO3中加入30%SrTiO3、10%CaCO3,并外加3%Bi2O3·3TiO2时(均为摩尔数分数),其εr为3802、tgδ为4.2×10-3、Eb为9.2MV/m;而当在BaTiO3中加入40%SrTiO3、15%CaCO3,并外加4%Bi2O3·3TiO2时,其εr为2089、tgδ为6×10-4、Eb为16.9MV/m。  相似文献   

18.
An interpolation kernel is required in a wide variety of signal processing applications such as image interpolation and timing adjustment in digital communications. This article presents a general-form interpolation kernel called 3-3-3 interpolation kernel and derives its frequency response in a closed-form by using a simple derivation method. This closed-form formula is preliminary to designing various 3-3-3 interpolation kernels subject to a set of design constraints. The 3-3-3 interpolation kernel is formed through utilising the third-degree piecewise polynomials, and it is an even-symmetric function. Thus, it will suffice to consider only its right-hand side when deriving its frequency response. Since the right-hand side of the interpolation kernel contains three piecewise polynomials of the third degree, i.e. the degrees of the three piecewise polynomials are (3,3,3), we call it the 3-3-3 interpolation kernel. Once the general-form frequency-response formula is derived, we can systematically formulate the design of various 3-3-3 interpolation kernels subject to a set of design constraints, which are targeted for different interpolation applications. Therefore, the closed-form frequency-response expression is preliminary to the optimal design of various 3-3-3 interpolation kernels. We will use an example to show the optimal design of a 3-3-3 interpolation kernel based on the closed-form frequency-response expression.  相似文献   

19.
采用溶胶-凝胶法与静电纺丝技术相结合制备了PVA/[Gd(NO3)3+Yb(NO3)3+Er(NO3)3]复合纳米纤维,将其进行热处理,得到Gd2O3:Yb3+,Er3+上转换纳米纤维.采用XRD、SEM、TG-DTA、FTIR和荧光光谱对样品进行了表征.结果表明:复合纳米纤维为无定型,Gd2O3:Yb3+,Er3+上转换纳米纤维属于体心立方晶系,空间群为Ia3.复合纳米纤维的平均直径约为140nm,经过600℃焙烧后,获得了直径约60nm的Gd2O3:Yb3+,Er3+上转换纳米纤维.当焙烧温度高于600℃时,复合纳米纤维中水分、有机物和硝酸盐分解挥发完毕,样品不再失重,总失重率为81%.复合纳米纤维的红外光谱与纯PVA的红外光谱一致,600℃以上时,生成了Gd2O3:Yb3+,Er3+上转换纳米纤维.该纤维在980nm激光激发下发射出中心波长为522nm、560nm的绿色和659nm的红色上转换荧光,对应于Er3+离子的2H11/2/4S3/2→4Il5/2跃迁和4F9/2→4Il5/2跃迁.在Gd2O3:Yb3+,Er3+上转换纳米纤维形成过程中,PVA分子起到了导向模板作用.PVA/[Gd(NO3)3+Yb(NO3)3+Er(NO3)3]复合纳米纤维在热处理过程中,PVA分解挥发,稀土硝酸盐分解并氧化生成Gd2O3:Yb3+,Er3+纳米颗粒,这些纳米颗粒相互联结起来形成了Gd2O3:Yb3+,Er3+上转换纳米纤维.  相似文献   

20.
研究了BaZrO3、MnCO3对Ba(Zn1/3Nb2/3)O3(BZN)系统结构和介电性能的影响。表明BaZrO3及Mn-CO3均能有效降低系统的烧结温度。系统中加入过多的BaZrO3(BZ)会降低介电常数,增大介质损耗,并使容量温度系数负向发展;加入微量MnCO3对系统的介电性能影响不大。系统中加入的x(BaZrO3)=4%会生成较多的第二相BaNb2O6、BaZrO3摩尔分数增加至8%时,第二相消失。这是由于过多BZ的加入会在烧结温度到达前生成较多液相,促进烧结的同时也阻碍了ZnO的挥发,从而抑制了第二相的生成。向96%BZN-4%BZ中加入r(MnCO3)=0.5%,也会抑制第二相的生成,这可能是由于Mn2+占据了B′位Zn2+挥发后留下的空位,形成固溶体,没有形成富Nb液相区,从而抑制了第二相的生成。  相似文献   

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