载带自动键合（TAB）引线技术

介绍了ＴＡＢ工艺，包括历史演变，基本的引线键合结构，载带及其制作，缓冲触突与势垒金属层的么及内引线和外引线键合。     

起步中的载带自动键合技术(TAB)

<正> 载带自动键合(TAB)是一种封装技术,该技术使用了一种覆有金属引线框架的聚酰亚胺带。裸露的芯片被键合到内引线框架上,而键合好的引线框架/管芯或是被单个地置于载体上或是被送到卷带上的定位/键合装置上。图1是一个装在典型的内引线框架上的单个载带自动键合的示意图。 TAB、带式封装、微封装和PILL封装的引线均不穿过电镀通孔(PTH),这一点与SMT相似。不同的是,SMT的典型间距在0.020～0.050in之间,而载带引线则在0.008～0.020in之间,属于精细间距技术(FPT)。     

铝带键合:小型功率器件互连新技术

随着半导体封装尺寸日益变小,普遍应用于大功率器件上的粗铝线键合技术不再是可行的选择.新近推出的铝带键合突破了封装尺寸的限制,实现了小功率器件封装中键合工艺的强度和性能优势.铝带键合提供了一个近乎完美的技术替代,且比现有技术更具吸引力.文中介绍了铝带键合工艺技术,着重关注其在小型分立器件中的应用.就SOL8和更小型无引脚...     

小尺寸、细间距焊盘键合的工艺研究

随着技术的进步,对混合电路的集成度要求越来越高,芯片的功能不断增加,尺寸却越来越小,从而导致焊盘在整个芯片中所占的面积比率明显上升,因此造成焊盘,以及焊盘间的间距减小,这就给正常的键合带来了困难。然而引线键合是厚膜工艺申的关键技术,它直接影响集成电路的可靠性和成品率。因此通过此项研究制定相应的工艺规范,使小尺寸、细间距焊盘的芯片可以顺利完成键合组装。     

超细间距引线键合第一键合点工艺参数优化试验研究

引线键合是应用时间最长、技术最为成熟且目前市场占有率最高的芯片连接技术,但应用于超细间距引线互连还有许多技术有待研究.目前除了需要不断提高键合机硬件性能外,开发满足超细间距引线键合要求且性能稳定的键合工艺十分必要.本文对超细间距引线键合第一键合点质量的影响因素进行了深入的分析.采用正交试验法对相关因素进行了研究试验,取得了相应的试验结果,为深入了解第一键合点质量的影响机理和规律提供了依据.     

硅片键合制备超稳高温压力传感器

一种可在极宽温区(-40℃至250℃)工作,并重复性和再生产性在全程范围好于±0.1%的高精度压阻式压力传感器研制成功.该芯片的制作基于为硅的微机械加工而开发的硅片键合形成SOI的技术.一可去除的N型硅片中注入P~+电阻图形并以退火处理.采用文献     

硅键合的实现及键合质量检测

通过大量实验并对硅高温键合的机理进行研究发现,键合高温处理温度和时间是实现良好键合的关键。通过对键合处理温度和时间的优化,已成功地实现了直径为1.5英寸硅片的大面积、均匀键合,键合体抗拉强度达100kg/cm~2,中间氧化层厚度在自然氧化层与2μm之间。通过预刻键合界面测试图形和分割解剖键合片,证实了红外热像技术检测键合界面空洞的可靠性,对键合不良区域的分辨率为2×2mm~2。     

Au丝键合改为Cu丝键合技术

现阶段Au丝作为内引线一直占着键合的主导地位,由于Cu丝具有优良的电性能和价格优势,随着键合技术的发展,以Cu丝代替Au丝作为键合用内引线已经成为必然,封装行业许多厂家正热衷于将原有的Au丝键合设备进行改造,但还存在这样那样的问题。以Au丝键合改为Cu丝键合的技术研究为出发点,首先介绍了键合技术的发展,然后通过工艺调整和设备改造,使得Cu丝作为内引线能够代替Au丝在该设备上使用,同时达到了节约生产成本,节约资金的目的。对改造过程中的气体流量、压力、功率、焊接时间等参数问题进行了详细地阐述,同时对芯片、键合劈刀等也做了相应调整,使得改造后的检测结果完全满足产品要求。大力推进以Cu丝替代Au丝键合技术,可节约生产成本,提高键合强度,增强导电率、导热率等,具有重要的经济技术效益,必将迎来封装业的又一次大变革。     

键合功率对银线键合质量的影响

铜线键合技术是半导体封装的关键技术之一,影响键合质量的因素有很多。本文基于热压超声键合的方法,对影响铜线键合质量的主要工艺参数——键合功率,进行DOE研究分析。通过对键合后的产品进行焊点剪切失效模式、拉伸失效模式以及弹坑实验分析,研究键合功率对键合质量的影响,进而确定合理的工艺参数,最终应用于大批量生产。     

键合参数对金铝键合可靠性的影响

金-铝（Au-Al）两种金属在焊接界面上产生不对称扩散,导致焊缝空洞形成与生长,最终形成脱键,是引线键合工艺中备受关注的失效模式之一。本文以超声时间和超声电流为变量,研究了键合参数对金铝键合可靠性的影响。采用金丝球焊,与带有铝焊盘的芯片作为键合试验样品,在300℃高温条件下进行2h（小时）到24h的烘烤试验。结果表明,在较短键合时间下键合完成的样品,与在较长键合时间下键合完成的样品相比较,发生键合脱键的时间更晚,键合强度衰减的更慢。     

自动楔焊键合第一键合点跟部损伤控制

在自动楔焊键合中,要提高键合引线的抗拉强度,最重要的一点就是要减小第一键合点跟部的损伤。文章简述了自动楔焊键合的工艺过程,分析了在自动楔焊过程中造成第一键合点跟部损伤的主要原因：劈刀本身结构会对键合引线造成一定的摩擦损伤,劈刀在键合第一点后垂直上升所产生的应力会对第一键合点根部造成损伤,键合引线在拉弧过程中也会造成键合引线摩擦受损,送线系统的张力也会对第一键合点根部造成一定的损伤。文中还讨论了如何尽量减小摩擦和应力对第一键合点跟部所造成的损伤。     

键合拉力测试点对键合拉力的影响分析

随着现代封装技术的高速发展,对于封装产品质量的检测要求越来越严格,而键合拉力测试是封装产品质量检测中的重要一项,而在相关标准上并未对键合拉力测试点及键合线弧度对测量结果所产生的影响给出明确的规定。基于此,文章介绍了测量点位置、引线弧度、测量速度等因素对引线键合拉力测试准确性的影响。然后通过客观的分析提出了科学合理的键合强度测试的方法,为客观准确的测量键合拉力奠定了基础。     

样品键合:键合工艺的研究与检查

硅片直接键合是一种为传感器工艺提供广泛应用范围的新技术.它仅需基本的标准硅加工设备,它的基本工艺是把两个氧化的样片在室温下键合,然后高温退火,可得到隐埋氧化层.加上掺杂和薄的外延淀积可以得到多种腐蚀自停止层.结合各向异性及优向腐蚀技术,则使膜片生产、在硅氢化中冷却沟道的生产和微机械器件的生产等各种各样的应用更加灵活.     

直接键合硅片界面键合能的理论分析

直接键合硅片界面的键合能依赖于界面成键的密度,是退火温度和时间的函数,界面反应激活能决定着成键的行为．硅片键合能随退火温度分两步增加,这种现象被归因于界面反应存在两种不同的激活能．将硅本征氧化层与硅热氧化层两种键合界面在退火过程中的行为进行了理论分析与比较．硅本征氧化层的键合能随温度的增加要比热氧化层界面的大．键合能的饱和时间与激活能密切相关．     

结构与键合

经验告诉人们,飞近固体表面的原子或分子总是存在着潜在的吸引力,因此有一定的几率为固体表面所吸收;这就产生了叫做“吸附”的现象。在寻常的环境条件(大气压,300K,氧、氮、水蒸汽和碳氩化合物等)里,所有固体表面都覆盖着吸附质层,并经常可以检测出多层的。吸附质层的实地存在,影响了化学、机械和电子学的表面特性。附着、润滑、化学腐蚀点和光导性等正是许多宏观表面。     

低温键合技术

低温键合技术避免了杂质的互扩散、导质材料间的热应力以及孔洞和缺陷的产生，它利用了两个十分贴近的清洁表面具有极大的范畴华力吸附作用，实现了不受晶格失配和热失配的限制的异质材料表面的结合，本文讨论了低温键合技术的理论基础和发展趋势。     

直接键合硅片界面键合能的理论分析

直接键合硅片界面的键合能依赖于界面成键的密度 ,是退火温度和时间的函数 ,界面反应激活能决定着成键的行为 .硅片键合能随退火温度分两步增加 ,这种现象被归因于界面反应存在两种不同的激活能 .将硅本征氧化层与硅热氧化层两种键合界面在退火过程中的行为进行了理论分析与比较 .硅本征氧化层的键合能随温度的增加要比热氧化层界面的大 .键合能的饱和时间与激活能密切相关     

SOI键合系统

HDPMW系列是一款LCD数字面板表，可以从压力、温度、流量、级别和其他传输量中接受4．20mA的输入信号。它带有高对比度的LCD显示屏，该显示屏可以选择红色、琥珀色或绿色显示信号。该仪表的特征是用户可选择华氏度、摄氏度、psi或者百分比这些不同的工程单位。该仪表还具有场可选的小数点位置和可调整的零位及跨度。