注硅InP的包封与无包封热退火

半绝缘InP单晶离子注入硅后,进行了包封与无包封热退火研究。结果表明:用SiO_2膜作包封层的注Si~+InP样品在热退火温度达580℃时开始龟裂,而退火温度高达750℃才能开始激活。用磷硅玻璃作盖片的无包封热退火,在720～750℃范围样品表面光亮,激活率为30～95％,霍耳迁移率最高可达1900cm~2/V·s,薄层电阻最低可达203Ω/□。实验中采用高纯氩气作为保护气体,比传统使用的氢气安全、简便。     

Si^＋,As^＋双离子注放半绝缘GaAs的无包封快速热退火技术的研究

本文采用清华大学ＱＳＷ－３０７５快速热处理设备对Ｓｉ＾＋，Ａｓ＾＋双离子注入半绝缘ＧａＡｓ进行了快速热退火研究。结果表明，在适当条件下退火，注入杂质有高的激活效率，并且杂几乎没有因高温退火引起的扩散再分布，保留了原有的注入分布。在加热位置降温可消除注入晶片滑移的产生。     

Si~＋、As~＋双离子注入半绝缘GaAs的无包封快速热退火技术的研究

本文采用清华大学ＱＳＷ—３０７５快速热处理设备对Ｓｔ~＋、Ａｓ~＋双离子注入半绝缘ＧａＡｓ进行了快速热退火（ＲＴＡ）研究。结果表明，在适当条件下（９６０℃，３～５Ｓ）退火，注入杂质有高的激活效率，并且杂质几乎没有因高温退火引起的扩散再分布，保留了原有的注入分布。在加热位置降温可消除注入晶片滑移的产生。     

半绝缘InP长单晶的生长

通过对高压液封直拉法InP单晶生长过程的几个关键因素的分析,设计了合适的热场系统,有效地降低了孪晶产生的几率.在自己设计制造的高压单晶炉内首先将铟和磷进行合成,然后采用坩埚随动技术等重复生长了直径为50mm,长190mm和直径80～100mm,长150mm的半绝缘InP单晶.     

半绝缘InP的铁能级研究

本文用光致发光光谱及光激电流瞬态谱研究了掺铁半绝缘InP中的铁能级,发现被测样品可分成两类,它们分别存在着 FeI(Fe~3+/Fe~+)和 Fell(Fe~(4+)/Fe~(3+))两种不同的铁能级.这可能是由于它们分别对应于浅施主和浅受主补偿的InP半绝缘材料,亦说明有争议的Fe~(4+)是在有些半绝缘InP 中存在的     

半绝缘InP长单晶的生长

通过对高压液封直拉法InP单晶生长过程的几个关键因素的分析,设计了合适的热场系统,有效地降低了孪晶产生的几率.在自己设计制造的高压单晶炉内首先将铟和磷进行合成,然后采用坩埚随动技术等重复生长了直径为50mm,长190mm和直径80～100mm,长150mm的半绝缘InP单晶.     

注硅不掺杂半绝缘GaAs中的深能级缺陷

用DLTS法对经两步快速热退火(RTA)后的注硅不掺杂SI-GaAs中的缺陷进行了研究。确定了激活层中存在着两个电子陷阱组(以主能级ET1、ET2标记)及其电学参数的深度分布。在体内,ET1=Ec0.53eV,n=2.310-16cm2;ET2=Ec0.81eV,m=9.710-13cm2;密度典型值为NT1=8.01016cm-3,NT2=3.81016cm-3;表面附近,ET1=Ec0.45eV,NT1=1.91016cm-3;ET2=Ec0.71eV,NT2=1.21016cm-3,分别以[AsiVAs,AsGa]和[VAsAsiVGaAsGa]等作为ET1和ET2的缺陷构型解释了它们在RTA过程中的行为。     

生长出掺Fe半绝缘InP单晶

<正>我组在高压单晶炉里用液封合成与生长单晶的工艺,前不久拉制出了掺Fe半绝缘InP单晶.单晶重约180克.由于所用工艺方法的特点是合成时间短,磷蒸汽与石英容器壁的接触面积小,故容器沾污少.未掺杂晶体的净电子浓度N_D-N_A≤5×10(15)cm~(-3),液氮迁移率μ_(77k)≥25000cm~2/V·s.只需加入180～200ppm的Fe于熔体中就可获得半绝缘性能的InP单     

硼离子注入半绝缘InP和N型InP的电特性研究

本文研究了硼注入绝缘ＩｎＰ和Ｎ型ＩｎＰ的电性质．硼注入是在１００ｋｅＶ能量下，剂量从１e１２到１e１６ｃｍ－２范围内进行．注入后的退火在纯氮气的保护下由１００℃到７００℃范围变化．硼注入半绝缘ＩｎＰ的结果表明，硼注入诱导形成载流子分布．硼注入Ｎ型ＩｎＰ后形成高阻绝缘层，其电阻率随退火温度变化出现两个峰值．本文还讨论了硼注入层电性能变化的机理．     

半绝缘InP的铁掺杂激活与电学补偿

比较了掺Fe和非掺退火半绝缘(SI)InP材料中Fe杂质的分布,掺杂激活机理以及Fe原子与点缺陷的相互作用.原生掺Fe SI-InP中Fe的替位激活主要通过填隙-跳跃机制,但Fe原子易在位错周围聚集,与空位形成复合体缺陷,占据填隙位等,从而降低Fe的激活效率.在FeP2气氛下退火非掺InP获得的SI-InP材料中,Fe原子的激活主要通过扩散过程的"踢出-替位"机制.退火前材料中存在的In空位使Fe原子通过扩散充分占据In位,同时抑制了材料中深能级缺陷的形成.因此,这种SI-InP材料的Fe激活效率高、电学性能好.     

半绝缘InP的铁掺杂激活与电学补偿

比较了掺Fe和非掺退火半绝缘(SI)InP材料中Fe杂质的分布,掺杂激活机理以及Fe原子与点缺陷的相互作用.原生掺Fe SI-InP中Fe的替位激活主要通过填隙-跳跃机制,但Fe原子易在位错周围聚集,与空位形成复合体缺陷,占据填隙位等,从而降低Fe的激活效率.在FeP2气氛下退火非掺InP获得的SI-InP材料中,Fe原子的激活主要通过扩散过程的"踢出-替位"机制.退火前材料中存在的In空位使Fe原子通过扩散充分占据In位,同时抑制了材料中深能级缺陷的形成.因此,这种SI-InP材料的Fe激活效率高、电学性能好.     

脉冲电子束退火装置及其对注砷硅的退火结果

<正> 目前,离子注入技术虽已相当广泛地用于半导体器件的科研和生产中,然而离子注入造成的晶格损伤的恢复和注入杂质的高效率激活方法却还留下一些有待研究的课题.其中,脉冲电子束退火就是当前颇受重视的方法之一.     

注砷硅快速热退火过程研究

本文研究砷注入硅后以高频感应石墨作辐射热源的快速热退火过程.实验结果表明,快速热退火过程可分为二个阶段:第一阶段为固相外延再生长.第二阶段为高温消除损伤.     

高浓度注砷硅的红外瞬态辐照退火

用高温石墨作为红外辐射源,对高浓度的注砷硅进行了瞬态(13 秒)辐照,达到非常好的退火效果.对于10~(16)cm~(-2)剂量的注砷硅可达到100％的电激活,且损伤恢复比热退火(1100℃,30分)情况要好,引起的注入原子的再分布比常规的高温热退火要小得多.用本方法退火的注砷硅PN结具有良好的电特性。因此,在 VLSI工艺中它是一种很有应用前景的离子注入退火技术.     

半绝缘砷化镓单晶的整锭热退火

本文报道了整锭热退火对IEC-SI-GaAs单晶特性的影响.研究发现,在950℃温度和5小时条件下,对SI-GaAs单晶整锭热退火后,单晶的电阻率、迁移率、霍尔浓度、位错密度和电子陷阱El2浓度的分布均匀性有所改善,并且El2浓度和迁移率平均值经热退火后有所提高.     

半绝缘砷化镓EPR谱的异常退火特性

中子辐照的水平生长出绝缘GaAs(样品A)、原生的和塑性形变的直法拉制半绝缘GaAs(样品C和D),都给出一组四线谱,但在不同的样品中呈现不同的退火特性:样品A经125℃三小时退火后,EPR谱有部分光猝灭效应,加长退火时间,光猝灭效应消失,表现出异常的退火特性;而样品C和D,则无光猝灭效应.     

钒注入制备半绝缘SiC的退火效应

对钒离子注入P型和n型4H-SiC制备半绝缘层的方法和特性进行了研究.注入层电阻率随退火温度的升高而增加,经过1 650℃退火后,钒注入p型和n型SiC的电阻率分别为1.6×1010Ω·cm和7.6×106Ω·cm.借助原子力显微镜对样品表面形貌进行分析,发现碳保护膜可以有效减小高温退火产生的表面粗糙,抑制沟槽的形成.二次离子质谱分析结果表明退火没有导致明显的钒在SiC中的再扩散.即使经过1 650℃高温退火,也没有发现钒离子向SiC表面外扩散的现象.