SU-8光刻胶氧刻蚀的研究

采用氧气反应离子刻蚀(RIE)SU-8光刻胶,以获得三维SU-8微结构(如斜面)。实验采用套刻、溅射、湿法腐蚀、电镀等技术实现光刻胶上镍掩膜图形化。分别研究氧气气压、射频(RF)功率、氧气流量对刻蚀速率的影响,并对实验结果进行了理论分析,在此基础上可进一步优化刻蚀工艺以获得更高的刻蚀速率。     

1120nm窄线宽掺镱光纤激光器

为了获得窄线宽、高功率、长波长(相对于1030nm~1080nm)的1120nm光纤激光器,采用普通单模掺镱光纤和一对光纤布喇格光栅构建了该光纤激光器的谐振腔,为保证抽运光的完全吸收和避免非线性效应,对有源光纤的最佳长度进行了理论分析和实验验证。结果表明,激光器的阈值抽运功率为40mW、注入抽运功率为265mW时,激光器输出信号光功率35mW,光光转换效率为13.2%,激光器中心波长为1120.9nm,输出激光的谱线宽度为0.03nm。这种激光器的获得是因为采用了高反射率耦合输出光纤布喇格光栅、短谐振腔结构和低功率运转状态。该激光器可作为种子光注入光纤放大器。     

东芝和NEC联合开发45nm CMOS工艺

随着半导体制作工艺的日益复杂、耗时的增加以及价格的益加昂贵，东芝公司和NEO电子公司宣布将要联合进行45nm的OMOS的逻辑加工工艺，共同负担成本预算并加速发展，同时提升LS1系统的性能和质量。两家公司将要开始讨论全面的联合研发，例如设计环境和产品开发，以及在联合完成制造时更有效地安排使用资金总额并提高产能利用率。工程师将在横滨的东芝的微电子发展中心合作进行CMOS加工工艺的开发，此工艺将可以在两家公司的制造工厂进行运用。通过这种合作关系，东芝和NEC改变以前那种单独研发的方式而改变成整体的加工工艺，分享最新研发的工艺。     

将彩屏进行到底 Sanyo SCP-550＆NEC N8

2001年的lO月，当中国台湾省的0KWAP公司推出我国第一款彩屏手机的时候，也许没有想到短短的1年，彩屏已经成为一个常见的功能出现在每个手机厂商的产品中。在彩屏步入平庸以后，如何推陈出新不仅是手机厂商考虑的问题，也成为了用户关心的方面。“将彩屏进行到底”是一个长久不变的方针，而彩屏的升级不仅是发色数以及分辨率的增加，如何让手机更加的多彩也成就了今天的双彩屏的出现。近期会出现国内市场的双彩屏手机包括GSH制式的NEC N8、三星SGH—T508、科健K528，CDMA制式的普天三洋SCP-550、东芝A5301T本刊测评室在第一时间拿到了目前已经成形的两款双彩屏产品NEC N8(以下简称N8)和普天三洋SCP-550(以下简称550)，希望借这两款产品能让用户一窥双彩屏手机的风采。     

45nm节点清洗／光刻胶去除的挑战

在今年四月份于德州奥斯汀举行的表面预处理与清洗会议（SurfacePreparationandClean—ingConference．SPCC）上，来自IMEC超级清洗工艺项目的项目经理PaulMetens列举了45和32nm节点所面临的清洗挑战。他认为最大的清洗挑战包括：在微粒去除和损伤之间取得平衡；尽可能地减小在前段工艺（FEOL）应用中光刻胶去除和清洗所造成的硅损失：金属栅叠层的电化腐蚀问题；     

193 nm浸没式光刻材料的研究进展

介绍了193 nm浸没式光刻技术的兴起和面临的挑战.在所涉及的材料方面,对第一代、第二代及第三代的浸没液体进行了介绍,对顶部涂料的类型及其应用进行了归纳概述.并对顶部涂料存在的问题进行了阐述.对光刻胶材料中涉及的产酸剂、主体树脂及光刻胶应用方面进行了综述,并重点描述了无须顶部涂层的光刻胶,最后对193 nm浸没式光刻材料发展趋势作了展望.     

微波用于抑制光刻胶纳米线条倒伏的研究

针对半导体工艺中去离子水的表面张力导致显影干燥过程中光刻胶纳米线条容易发生倒伏的问题,采用了微波干燥方法,以抑制光刻胶纳米线条倒伏。利用微波的热效应和非热效应,降低去离子水的表面张力,使光刻胶纳米线条上的去离子水均匀、快速地蒸发,有效抑制了光刻胶纳米线条的倒伏。与氮气干燥处理的传统方法相比,该方法能使高130 nm、宽15 nm的光刻胶纳米线条不发生倒伏,效果明显。这表明,该方法是可行和有效的。     

用于亚65nm刻蚀的含硅材料

随着景深和光刻胶薄膜厚度的不断减小，在未来光刻方案中所用的含硅材料应当提供抗刻蚀的选项。     

NEC电子和瑞萨合并成立世界第三大半导体公司

NEC电子公司、瑞萨科技公司、NEC公司、日立有限公司和三菱电机公司于2009年4月27日宣布,同意进行协商合并NEC电子和瑞萨的运营业务。     

用于全固态355 nm紫外激光器的三波长高反膜

为了提高激光损伤阈值,采用离子束辅助电子束成膜的方法制备具有355,532,1064 nm三个波长的高反膜.首先使用Lambda950型分光光度计对薄膜样品的光谱性能进行测试,然后验证不同的基底材料及不同的基底清洗工艺对薄膜激光损伤阈值的影响,最后在不同的工作真空度下对薄膜的弱吸收能力和激光损伤阈值等进行较为系统的研究,分析薄膜的弱吸收能力与激光损伤阈值之间的联系.结果 表明,三个波长下的反射率均满足全固态355 nm紫外激光器所要求的光学性能指标,当工作真空度增加到一定程度时,薄膜的激光损伤阈值与弱吸收值不再是对应的关系,而是存在一个最佳值,说明该高反膜可以用于全固态355 nm激光器中的反射镜.     

气体纯度和气压对电子束激励氩中 309nm光谱的影响

利用相对论电子束装置激励氩气,研究了气体纯度和气压对309 nm光谱的影响.309nm谱区曾被认为来源于杂质H2O,然而改变气体纯度的实验表明,增加气体的纯度,不仅没有使309rnll的光谱强度减弱,其强度反而明显增加.这与该谱区来源于杂质相矛盾.改变气压的实验表明,309nm的光谱强度随气压变化曲线在0.08MPa处存在极大值.并且当气压在0.1～0.2MPa变化时,光谱强度的变化很小.该实验结果表明,309nm光谱不是来源于氩准分子或离子准分子的跃迁.因为准分子或离子准分子的主要形成过程是三体碰撞过程,气压的升高对该反应有利.     

富士通、NTT DoCoMo和NEC联手成立智能机芯片公司

富士通、NTT DoCoMo公司和NEC公司近日共同成立了一个新的公司，主要生产智能手机的芯片，这一举动是为了削弱日本企业对外国产手机芯片的依赖。该合资公司将直接对抗世界上最大的的移动芯片制造商高通公司，在当前畅销的智能手机和平板电脑核心微晶片供货商中，确立日本公司的地位。     

窄线宽半导体激光器的驱动和温控设计

窄线宽半导体激光器日益广泛的应用对其驱动和温控电路提出了更高的要求。为获得窄线宽、稳定功率并实时可调的激光输出,利用ATLWS200MA103驱动模块和TECA1系列温控模块搭建半导体激光器的驱动和温控电路,对激光器输出的各项性能指标进行测试,验证了在该驱动下,激光器线宽可达到5kHz,光功率稳定性达到0.1%。并利用波导谐振腔进行扫频实验,得出驱动电流变化量与激光器中心频率变化量之间的关系表达式。     

UV-LIGA工艺中SU-8光刻胶的热溶胀性研究

对SU-8胶的热溶胀效应及其机理进行了研究,在现有微模具的UV-LIGA工艺的基础上,利用AN-SYS对SU-8胶的热溶胀性规律进行了仿真分析。通过SU-8胶模的溶胀实验,建立了热溶胀变形的速率模型,并计算了不同电铸时间下微模具的顶部线宽,计算结果与实验值基本吻合。仿真结果可用来优化掩模图形的设计及预测电铸后微模具的尺寸。     

DBR几何特性对其反射率和DBR激光器线宽的影响

对DBR几何参量不同的InGaAs-GaAs-AlGaAs DBR半导体激光器样品的输出线宽进行了测量和分析.样品激光器DBR光栅取不同的长度和蚀刻深度以考察其几何特性对耦合系数、反射率以及输出线宽的影响.线宽通过自差频测量系统测量得到.对实验结果与理论计算结果进行了对比.对测得的光学特性参数与几何特性参数之间的联系进行了分析.在此基础上讨论了DBR几何特性对激光器输出线宽的影响.研究结果为该类型DBR半导体激光器的制造提供了有用的信息.     

亚65 nm及以下节点的光刻技术

由于193 nm浸入式光刻技术的迅速发展,它被业界广泛认为是65 nm和45 nm节点首选光刻技术.配合双重曝光技术,193 nm浸入式光刻技术还可能扩展到32 nm节点,但是光刻成本会成倍增长,成品率会下降.随着ASML在2006年推出全球第一款EUV曝光设备,人们纷纷看好EUV技术应用到32 nm及以下节点,但是它仍需克服很多技术和经济上的挑战.对于22 nm节点,电子束直写是最可行,成本最低的候选方案,业界将在它与EUV技术之间做出抉择.