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研究退火温度对薄膜相结构、表面化学组成、形貌及光学性能的影响.采用射频磁控溅射法在单晶硅片和石英玻璃片上负载TiO2薄膜,通过X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、X光电子能谱(XPS)和紫外可见光谱(UV-vis)对其进行表征.结果表明,常温制备400℃以下退火的TiO2薄膜为无定形结构,400℃以上退火的TiO2薄膜出现锐钛矿相,600℃以上退火的TiO2薄膜开始出现金红石相,退火温度在1000℃以上时样品已经完全转变为金红石相;高温退火薄膜的组成为TiOx;随着退火温度的升高,薄膜透射率下降,折射率和消光系数有所增加. 相似文献
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退火温度对纳米TiO2薄膜结构和亲水性的影响 总被引:7,自引:1,他引:7
采用射频磁控溅射方法制备出纳米二氧化钛(TiO2)薄膜,研究了不同退火温度对薄膜微观结构和超亲水性的影响.结果表明:退火温度升高,晶粒长大,孔隙率减小;常温制备300 ℃以下退火的TiO2薄膜为无定形结构,亲水性差;400 ℃~650 ℃退火的薄膜为锐钛矿结构,表现出超亲水性;800 ℃退火薄膜为金红石结构,亲水性有所下降. 相似文献
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退火温度对TiO2薄膜结构和表面形貌的影响 总被引:5,自引:0,他引:5
研究了退火温度对中频交流反应磁控溅射技术制备的TiO2薄膜结构和表面形貌的影响。利用X射线衍射 仪和原子力显微镜,检测了TiO2薄膜的晶体结构和表面形貌。实验结果显示:沉积态TiO2薄膜为非晶态;低温(700℃以下)退火后,TiO2薄膜出现锐钛矿相,晶粒长大不明显;高温退火(900℃以上)后,薄膜转变为金红石相,晶粒由柱状转变为棱状,并迅速长大至微米量级。 相似文献
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退火温度对TiO2薄膜结构和表面形貌的影响 总被引:3,自引:0,他引:3
研究了退火温度对中频交流反应磁控溅射技术制备的TiO2 薄膜结构和表面形貌的影响。利用X射线衍射仪和原子力显微镜 ,检测了TiO2 薄膜的晶体结构和表面形貌。实验结果显示 :沉积态TiO2 薄膜为非晶态 ;低温 (70 0℃以下 )退火后 ,TiO2 薄膜出现锐钛矿相 ,晶粒长大不明显 ;高温退火 (90 0℃以上 )后 ,薄膜转变为金红石相 ,晶粒由柱状转变为棱状 ,并迅速长大至微米量级 相似文献
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采用直流磁控溅射法在n+-Si上制备了TiO2薄膜,采用电子束蒸发镀膜仪在TiO2薄膜上沉积Au电极,获得了Au/TiO2/n+-Si结构的器件.研究了退火温度对薄膜结晶性能及器件电阻开关特性的影响.Au/TiO2/n+-Si结构的器件具有单极性电阻开关特性,置位(set)电压,复位(reset)电压、reset电流及功率的大小随退火温度的不同而不同,并基于灯丝理论对器件的电阻开关效应的工作机理进行了探讨.研究结果表明,500℃退火的器件具有良好的非易失性.器件高低阻态的阻值比大于103,其信息保持特性可达10年之久.在读写次数为100次时,器件仍具有电阻开关效应. 相似文献
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退火温度对磁控溅射SiC薄膜结构和光学性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
首先采用射频磁控溅射法在单晶Si(100)衬底上沉积制备了SiC薄膜,然后将所制备的薄膜试样分别在600,800和1 000℃氩气氛中退火120 min;采用X射线衍射仪和红外吸收光谱仪分析了薄膜的结构随退火温度的变化,采用荧光分光分度计研究了薄膜的发光性能随退火温度的变化。结果表明:室温制备的SiC薄膜为非晶态,经600℃退火后薄膜结晶,且随着退火温度的升高,薄膜的结晶程度越来越好,并且部分SiC结构发生了由α-SiC到β-SiC的转变;所制备的SiC薄膜在384和408 nm处有两个发光峰,且两峰的强度均随退火温度的升高逐渐变强,其中384nm处的峰源自于SiC的发光,408 nm处的峰源自于碳簇的发光。 相似文献
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采用磁控溅射的方法,在高真空条件下,沉积金属Fe到Si(100)衬底上,然后通过真空退火炉在不同温度条件下对样品进行热处理,直接形成了β-FeSi2薄膜.采用X射线衍射仪(XRD)对样品进行了晶体结构分析,利用卢瑟福背散射(RBS)对Fe-Si化合物的形成过程中的Fe原子和Si原子的互扩散机理进行了研究,利用扫描电镜(SEM)对样品表面的显微结构进行表征,结果表明,在900℃条件下退火能够得到质量很好的β-FeSi2薄膜,超过这一温度β相将开始向α相转化,到1000℃,β-FeSi2全部转化为α-FeSi2。 相似文献
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采用溶胶-凝胶法(sol-gel)在普通载玻片上制备了ZnO∶Al薄膜,在200~600℃下退火.利用XRD、紫外-可见光-近红外分光光度计和电阻测试仪等分析方法研究了不同退火温度对薄膜结构和光电性能的影响.结果表明,退火温度在300℃以上,薄膜开始结晶,400℃以上,薄膜出现明显结晶,且沿(002)方向择优取向,随着退火温度升高,(002)峰的强度逐渐增强,晶粒尺寸逐渐增加;薄膜在可见光范围内的透过率均>85%以上,退火温度高的薄膜在可见光范围内的透过率明显提高,光学带隙在3.32~3.54eV,且随着温度的升高而降低;薄膜的电阻率随退火温度的增高而有所降低,但是仍较高,在103俜cm量级. 相似文献
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采用溶胶-凝胶浸渍提拉法分别在氧化硅和石英衬底上制备TiO2薄膜,并以不同的退火温度保温30min。通过采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)及紫外-可见分光光度计,对TiO2薄膜的结构和光学性能进行了详细分析,并且进行了对甲基橙的降解实验。研究结果表明,随着退火温度的升高,薄膜的晶相由锐钛矿向金红石转变,转变温度在700~800℃之间。在该转变过程中,薄膜结晶程度良好,800℃时薄膜表面平整无开裂;随着热处理温度的升高,TiO2薄膜的吸收峰蓝移,紫外区吸收范围扩大。在800℃退火时,薄膜中所含锐钛矿TiO2为31.4%(质量分数)。此时薄膜表现出最高的甲基橙降解率。 相似文献
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HPC对二氧化钛薄膜微观结构影响的机理研究 总被引:12,自引:0,他引:12
用羟基纤维素(HPC)作为添加剂,用溶胶-凝胶法制备了二氧化钛薄膜,并研究了HPC对二氧化钛薄膜微观结构的影响机理.对二氧化钛凝胶的红外分析说明HPC通过锚固作用,吸附在二氧化钛胶体的表面,高分子之间的作用决定二氧化钛在溶胶中的分布,从而影响二氧化钛的微观结构.扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)的研究表明,在本实验研究范围内,HPC的加入量为4.5×10-3g/g时,HPC达到饱和吸附量,二氧化钛的颗粒尺寸最小,分散性也最好. 相似文献
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退火可以改善材料的微结构,增加其韧性和释放其内应力。采用双靶共溅技术制备了铪掺杂类金刚石薄膜(HfDLC)样品,并对样品进行了不同温度的退火处理,研究了薄膜退火前后的形貌、键合结构和硬度和摩擦性能等的变化。结果表明,Hf-DLC薄膜中Hf与C形成纳米晶HfC;在250℃条件下退火,薄膜仍比较稳定;300℃退火后,薄膜结构开始发生变化,表面颗粒增大、变得粗糙;退火温度达到350℃以上,薄膜的结晶性变好,HfC结构增加。薄膜的硬度随着退火温度的增加先略有减小而后增加,薄膜与基体间的结合得到改善,这是由于薄膜的结构随退火温度发生改变所致。 相似文献
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薄膜厚度和退火温度对纳米多晶硅薄膜特性影响 总被引:1,自引:0,他引:1
以高纯SiH4为气源,采用低压化学气相沉积方法在p型〈100〉晶向单晶硅上620℃制备纳米多晶硅薄膜,对不同薄膜厚度纳米多晶硅薄膜分别在700、800、900℃进行高温真空退火,通过X射线衍射(XRD)、Raman光谱(Raman)、场发射扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)研究薄膜厚度、退火温度对薄膜结晶取向、表面形貌等结构特性影响。结果表明,随薄膜厚度增加,薄膜取向显著且多晶特征明显,沉积薄膜多晶取向为〈111〉、〈220〉和〈311〉晶向,择优取向为〈111〉晶向,TO模强度减弱且加宽,晶粒大小增加;同一薄膜厚度,随真空退火温度升高,X射线衍射峰强度增强,TO模强度增强。 相似文献
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研究了真空退火对玻璃衬底上热蒸发沉积的LiF和CaF2 薄膜的结晶性能的影响。X射线衍射分析结果表明 ,在4 2 0℃温度下 ,随着退火时间的增长 ,LiF薄膜的结晶状况明显改善 ;在 4 6 0℃温度下 ,随着退火时间的增长 ,CaF2 薄膜的结晶状况越来越好 相似文献
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利用射频磁控溅射设备在玻璃基片上制备TiO2薄膜,采用AFM、UV-Vis分光光度、接触角测定仪等测试手段,研究基片温度对薄膜表面形貌、粗糙度和表面性能的影响.结果表明,随着基片温度增加,薄膜表面粗糙度增大,薄膜中颗粒由无定形态逐渐向定向排列的晶态转变,而薄膜结构、表面形貌和粗糙度的变化明显影响薄膜表面性能.最后,探讨了薄膜的生长机理. 相似文献