透过专利分析看电子设备冷却技术发展概况

目前电子设备中各种电子元件功率密度迅速增加,导致温度快速上升,故障数大大增加,使得冷却技术成为影响电子设备的发展的要素.通过对国内外电子设备冷却技术领域的专利文献进行分析,给出该领域申请量分布趋势,列出主要申请人的申请量分布图,分析现阶段电子设备冷却技术的发展概况,并为国内企业发展给出建议.     

电子元器件热电冷却技术研究进展

在深刻分析热电制冷机理的基础上,结合国内外学者对热电制冷技术用于电子元器件热管理的理论分析,从芯片整体表面散热和局部热点消除两方面,详细介绍了集成电路芯片热电冷却实验的国内外研究进展;对芯片热电冷却技术的数值模拟与热电制冷器(TEC)的选型优化进行了详细报道;指出国内缺乏芯片热电冷却的应用研究,在芯片散热的整体研究水平上与国外仍有差距.芯片热电冷却及其表面的热管理将是今后提高电子元器件散热性能的一个重要研究方向.     

193 nm浸液式光刻技术现状

概述了193nm浸液式光刻技术发展现状及技术路线,结合国际半导体技术发展指南(ITRS)和各公司在SPIE微光刻研讨会上宣布的最新研究成果,探讨了193nm浸液式光刻技术的发展趋势。     

电子管冷却技术发展概况

电子管冷却技术发展的特点,是不断的引进其他专业先进的科研生产成果。航行、宇航、火箭、原子能技术中的加压水热交换、沸水热交换、液态金属热载体的研究……,都在电子工业中有了应用,这种趋势仍在继续之中。电子工业本身在热交换领域中,比较有意义的有超蒸发冷却技术与高速水冷技术等方面的进展。热量总是自发地由高温物体传向低温物体。如果不散热,就会使高温物体温度越来越高。这样就会造成电子管受热零件材料放气,变形直到熔化或汽化,使电子管的工作遭到破坏。     

采用双扫描平台技术的ArF浸液式光刻

在193nm光刻中,已证明水是一种适于浸液式光刻的液体。浸液式光刻提出了一种可将传统的光学光刻拓展到45nm节点,甚至到32nm节点的潜能。另外,利用现有的透镜,浸液式光刻的选择提出了根据实际的数值孔径和特征图形可增大50%及更大的焦深范围。讨论了采用浸液式光刻获得的成像结果和套刻结果。采用一个0.75数值孔径的ArF透镜,我们用双扫描平台技术(TWINSCANTM)组装一台浸液式扫描光刻机的原理型样机。最初的浸液式曝光实验数据证明了焦深的增加较大,同时以高扫描速度保持了图像的对比度。在初期引入的生产型浸液式光刻中,将采用一个0.85数值孔径的ArF透镜。该系统的分辨率将以大于0.5μm的焦深有效地支持65nm节点半导体器件的加工。这种系统初始的成像技术数据证实有效的增大了其焦深范围。     

功率集成电路的发展概况

本文简要叙述高压集成电路、智能功率集成电路等功率集成电路的工艺、结构、特性以及它们的应用领域和应用实例。     

电子芯片冷却技术发展综述

从电子技术和电子芯片冷却技术发展背景出发，论述了微型电子芯片冷却技术的发展现状及前景．同时重点论述了微型换热器、微冷冻机、微流道热沉、微热管均热片和微型热声制冷模块技术，以及热声制冷模块的独有发展优势．指出要实现芯片冷却技术的协调发展，必须把冷却模块技术和芯片本身的发展综合考虑，才能有助于两者的协调发展．     

大功率器件的冷却措施

引言 大功率器件、模块或超大规模集成电路在工作过程中有较大的损耗,产生大量的热量使器件或模块的温度升高,若不采取冷却措施,器件的管芯的温度会超过硅片的结温温度（150℃左右）,管芯会因过热而烧毁。因此,大功率器件、模块、超大规模集成电路要根据其发热的情况采取各种不同的冷却措施以保证其安全工作。     

“面积放大”型扩散冷却CO2激光器的发展概况

“面积放大”型扩散冷却ＣＯ_２激光器的发展概况徐启阳，宋一新，王新兵，谢明杰（华中理工大学激光技术国家重点实验室）随着工业技术的不断发展，工业部门对ＣＯ２激光器所提出的技术要求也越来越高。其中源于８０年代、以扩散冷却为标志的“面积放大”型ＣＯ２激光器?..     

喷雾冷却技术及其在电子冷却领域的应用

喷雾冷却作为一种新型的冷却方式,在电子器件散热方面具有广阔的应用前景。本文介绍了喷雾特性、换热工质、喷射角度及高度、强化表面和纳米添加剂对喷雾冷却换热性能的影响。简述了常见的电子冷却技术以及喷雾冷却技术在电子冷却方面的应用前景。     

热电冷却的激光二极管

热电冷却组件现正被用来冷却与光纤元件联接的固体激光二极营并对其进行温度控制。数以千计的热电致冷装置已安装在长途透信、中继站、长波光探测器和特殊的集成电路中。它们能提高灵敏度，使激光输出稳定并达到最大值，还可延长激光器寿命。     

中型和大型计算机冷却技术的发展：IBM前景

本文按年代先后回顾了应用于 IBM 中型和大型主机计算机中的冷却技术的发展。叙述了组件冷却技术以及导致热传导模块的组件冷却技术的发展。讨论了气冷系统技术及其提高型——强迫气冷与气——液混合冷却形式。还将通过冷却盘和冷却配给设备的发展讨论水冷系统,最后以目前在 IBM 中直接浸液冷却应用的简洁描述作为全文的结束。     

纳米冷却技术

随着电子集成技术的迅速发展,电子器件的热流密度不断增加,对微尺度下电子冷却技术的要求也在不断提高。微电子领域是最早提出微尺度流动和传热问题的工程领域。在具有微尺度的微电子领域中,当空间和时间尺度微细化后,出现了很多与常规尺度下不同的物理现象。而随着微电子技术的发展,电子器件的热流密度不断增加,这势必对电子器件有更高的散热要求,因此有效地解决散热问题已成为电子设备必须解决的关键技术。鉴于纳米冷却技术的先进性和优越性,本文从微尺度下电子冷却技术的发展背景出发,重点介绍了纳米冷却技术的应用、现状及发展前景。     

大功率固体激光器冷却技术进展

本文针对固体激光器散热问题,介绍了近年来国内外的先进冷却技术及其研究进展,并指出了存在的问题,为大功率固体激光器的新型高效冷却与热控技术研发提供了参考依据.     

冷却技术中的降噪处理

对电子产品设计人员来说,外围部件或风扇发出的噪声是一个必须解决的大问题。有几种方法可以降低甚至消除冷却过程产生的噪声。 在轴流风扇中,空气在框架支柱之间的流动是风扇的最大噪声源,为抵消噪声,支柱几乎全部位于风扇的排气端。     

高功率固体激光器冷却技术

大热流密度散热问题已成为发展高功率激光器的关键技术之一.本文结合我们近年来的研究工作,综述了目前正在应用或正在研究的针对高功率激光器冷却技术的研究现状,主要包括微通道液体对流换热、固体冷却、喷雾冷却和微热管冷却.然后根据技术发展趋势,提出了微通道沸腾换热冷却和液氮冷却是两种具有很好应用前景的冷却技术,并介绍了该两项技术目前基础研究进展情况.     

半导体工业的发展概况

1 半导体硅工业的发展 随着社会的发展,直到20世纪时,世人才发现硅具有半导体的性质.这些性质包括其电阻率随着温度的增加而递减、光电效应、热电效应、磁电效应、霍尔效应及其与金属接触的整流效应等.     

台湾IC设计业发展概况

1995年我国台湾省IC设计业产值(专业IC设计公司营业额)台币193亿元,较1994年大幅度增长55.6％,而1996年产值却为台币210亿元,只比1995年增长8.8％,成绩并不理想。但可喜的是,随着网际网络与多媒体应用的需求日益迫切,台湾IC设计公司亦积极开发与此类相关的IC产品。 台湾IC设计业厂商数目到1995年仍只有66家规模,