表面态型半导体可饱和吸收镜实现Yb:YAG激光器被动锁模

制作了一种新型的半导体可饱和吸收镜:表面态型半导体可饱和吸收镜.用表面态型半导体可饱和吸收镜作为被动锁模吸收体,实现了半导体端面泵浦Yb:YAG激光器被动连续锁模.在泵浦功率为10W时,获得了连续锁模脉冲序列,重复频率200MHz,锁模脉冲平均输出功率为70mW.在未加任何色散补偿的情况下,脉冲宽度为4.35ps.     

表面态型半导体可饱和吸收镜实现Yb:YAG激光器被动锁模

制作了一种新型的半导体可饱和吸收镜:表面态型半导体可饱和吸收镜.用表面态型半导体可饱和吸收镜作为被动锁模吸收体,实现了半导体端面泵浦Yb:YAG激光器被动连续锁模.在泵浦功率为10W时,获得了连续锁模脉冲序列,重复频率200MHz,锁模脉冲平均输出功率为70mW.在未加任何色散补偿的情况下,脉冲宽度为4.35ps.     

表面态型半导体可饱和吸收镜实现Yb∶YAG激光器被动锁模

制作了一种新型的半导体可饱和吸收镜:表面态型半导体可饱和吸收镜.用表面态型半导体可饱和吸收镜作为被动锁模吸收体,实现了半导体端面泵浦Yb∶YAG激光器被动连续锁模.在泵浦功率为1 0 W时,获得了连续锁模脉冲序列,重复频率2 0 0 MHz,锁模脉冲平均输出功率为70 m W.在未加任何色散补偿的情况下,脉冲宽度为4 .35 ps     

以砷化镓为锁模元件的被动锁模Nd:YAG激光器

报道以厚400μm、(100)向的砷化镓替代染料为锁模元件的全固态被动锁模Nd:YAG激光器。锁模脉冲宽度为16ps,单脉冲平均能量10μJ,锁模几率大于90％。     

用800nm表面态方法和低温方法结合吸收区的半导体可饱和吸收镜实现掺钛蓝宝石激光克尔镜锁模

研制了一种新型的800nm布拉格反射镜型半导体可饱和吸收镜,其吸收区是低温方法和表面态方法相结合.用该吸收体实现了氩离子激光器泵浦的掺钛蓝宝石激光器被动锁模,脉冲宽度达到40fs,光谱带宽为56nm,后者意味着它可以支持20fs的锁模.脉冲序列的重复率为97.5MHz,泵浦源为4.45W下平均输出功率为300mW.     

全固态被动锁模Ti：sapphire／CdS_xSe_（1－x）激光器

利用半导体掺杂玻璃ＣｄＳ_ｘＳｅ（１－ｘ代替染料ＤＤＩ和ＨＩＴＣＩ作为饱和吸收体，实现了全固态被动锁模钛宝石激光器的稳定运转。在５．５Ｗ氩离子激光泵浦下获得锁模输出功率为１５０ｍＷ，锁模脉冲脉宽为１４ｐｓ。     

用高反射率型半导体可饱和吸收镜实现半导体端面泵浦Yb∶YAB激光器被动锁模

利用金属有机气相淀积方法生长了一种新型吸收体:高反射率半导体可饱和吸收镜.用这种吸收体兼作端镜,实现了1.044μm半导体端面泵浦Yb∶YAB激光器被动锁模,脉冲宽度为3.05ps,重复率为375MHz,输出功率为45mW.     

用高反射率型半导体可饱和吸收镜实现半导体端面泵浦Yb∶YAB激光器被动锁模

利用金属有机气相淀积方法生长了一种新型吸收体:高反射率半导体可饱和吸收镜.用这种吸收体兼作端镜,实现了1.044μm半导体端面泵浦Yb∶YAB激光器被动锁模,脉冲宽度为3.05ps,重复率为375MHz,输出功率为45mW.     

用800nm表面态方法和低温方法结合吸收区的半导体可饱和吸收镜实现掺钛蓝宝石激光克尔镜锁模

研制了一种新型的80 0 nm布拉格反射镜型半导体可饱和吸收镜,其吸收区是低温方法和表面态方法相结合.用该吸收体实现了氩离子激光器泵浦的掺钛蓝宝石激光器被动锁模,脉冲宽度达到4 0 fs,光谱带宽为5 6 nm,后者意味着它可以支持2 0 fs的锁模.脉冲序列的重复率为97.5 MHz,泵浦源为4 .4 5 W下平均输出功率为30 0 m W.     

光泵外腔面发射InGaAs／InP半导体激光器

本文报道了外腔面发射ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ半导体激光器的实验结果．利用面发射ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ半导体材料作为激活介质，采用锁模（或连续）Ｎｄ＋３：ＹＡＧ激光（波长１．３２μｍ）泵浦．平均输出功率达１８７ｍＷ，同步泵浦获得最窄脉冲宽度为６ｐｓ，输出波长１．５μｍ，利用衍射光栅对脉冲进行压缩获得１８１ｆｓ超短光脉冲．     

800nm布拉格反射镜型半导体可饱和吸收镜

我们在国内首先研制成功波长为800nm附近布拉格反射镜型半导体可饱和吸收镜。用布拉格反射镜型半导体可饱和吸收镜作为自启动装置，我们实现了氩离子激光器泵浦的钛宝石激光器被动连续锁模，获得了连续锁模脉冲序列，重复频率在100MHz到200MHz。     

半导体可饱和吸收镜失效分析及改进方法研究

介绍了半导体可饱和吸收镜的锁模原理和制作方法,通过分析超短脉冲激光与半导体材料作用原理,阐述了提高半导体可饱和吸收镜抗激光损伤阈值的方法,如吸收区掺杂、退火、扩大低温生长区、表面热沉等。实验中通过退火和镀介质薄膜使半导体可饱和吸收镜由不能工作转为能够工作,并且获得稳定的连续锁模脉冲激光输出。     

MOCVD生长薄膜材料制作半导体可饱和吸收镜

介绍了当前国际上流行的用半导体可饱和吸收镜来对固体激光器、光纤激光器和半导体激光器进行被动锁模的方法,阐述了半导体可饱和吸收镜用来作为被动锁模吸收体的原理,并介绍了如何利用金属有机气相淀积(MOCVD)技术生长各种波长激光器所需要的半导体可饱和吸收镜.     

Optical feedback stabilization of the intensity oscillations inultrahigh-frequency passively modelocked monolithic quantum-well lasers

The effect of optical feedback on the stability of the modelocking frequency of monolithic, passively modelocked semiconductor lasers at ~50 GHz is investigated. Optical feedback leads to linewidth narrowing, frequency pulling, and multiple modes of the intensity modulations in modelocked lasers, reminiscent of similar effects on the optical frequency in conventional continuous wave (CW) lasers. The narrowest observed line has a full-width-at-half-maximum (FWHM) of 56 kHz, which represents close to two orders of magnitude reduction of the linewidth compared to the situation without feedback. The effects of the optical feedback vary periodically as the length of the feedback delay is varied, with a periodicity that roughly matches the mode-locking wavelength. This wavelength is on the order of millimeters, which makes the mechanical stability of the optical feedback loop relatively uncritical     

被动调Q锁模掺镱光纤激光器

报道了基于偏振旋转技术等效快可饱和吸收体的被动调Q锁模光纤激光器,采用976 nm半导体激光器作为抽运源,高掺杂浓度的Yb3 光纤作为增益介质构成环形腔,通过调节抽运光功率和偏振控制器的角度得到了调Q,调Q锁模与锁模三种稳定的输出脉冲。获得的锁模脉冲中心波长为1.05μm,重复频率为20 MHz,脉冲光谱宽度为13.8 nm,抽运功率为270 mW时,锁模平均输出功率为15.82 mW;调Q频率为17.54 kHz,调Q脉冲宽度为8μs,光谱宽度为4.7 nm;调Q锁模中调Q重复频率为300 kHz。     

用半导体可饱和吸收镜对掺钕晶体激光器进行被动调Q和锁模

较全面地介绍了几种掺钕激光晶体的光学性质。就掺钕激光晶体主要的三个波长探讨了用一种新型的吸收体(半导体可饱和吸收镜)进行被动调Q和锁模。     

1.5 /spl mu/m GaInNAs semiconductor saturable absorber for passively modelocked solid-state lasers

Fully self-starting and passively modelocking of a 1.5 /spl mu/m solid-state laser with a GaInNAs semiconductor saturable absorber mirror (SESAM) has been demonstrated for the first time. A saturation fluence of 20 /spl mu/J/cm/sup 2/, a modulation depth of 0.39% and a fast temporal decay of 18 ps were measured. These well-suited nonlinear optical SESAM parameters allowed for self-starting and passive modelocking of a diode-pumped Er:Yb:glass laser at 1.534 /spl mu/m with a pulse duration of 5 ps at 61 MHz.     

长波长半导体可饱和吸收镜的研制及其在固体激光器被动锁模和调Q中的应用

介绍了国际上流行的长波长半导体可饱和吸收镜的研制方法及其在固体激光器被动锁模和被动调Q中所起的作用，并分别就Qr^4 ：YAG，Cr：Forsterite等激光器进行了阐述。     

Gigahertz repetition-rate from directly diode-pumped femtosecondCr:LiSAF laser

Gigahertz repetition-rate, fundamental modelocking of a directly diode-pumped femtosecond laser is demonstrated for the first time. Transform-limited pulses of 146 fs duration are produced from a compact Cr:LiSAF laser incorporating a semiconductor saturable absorber mirror and pumped by inexpensive, narrow-stripe red laser diodes