电子工艺

Y2002-63318-139 0327868使用自校准技术及氢退火制造高可靠性沟道DMOS—FET的一种新处理技术=Anovel process technique forfabricating high reliable trench DMOSFETs using self-align technique and hydrogen annealing[会,英]/Kim,J.＆Roh,T.M.//2001 IEEE Proceedings of the 13thInternational Symposium on Power Semiconductor De-vices＆ICs.—139-142     

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一种新型的插补方法——自动过象限卡诺图最小偏差法[刊]/栾芝芸//测控技术.—2000,19(11).—51～52(E)数控系统各种插补方法中,最小偏差法是脉冲增量方法中精度最高、运算速度最快的插补方法。本文提出一种新的最小偏差法——改进的卡诺图自动过象限最小偏差法。参2     

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利用 X 射线光电子谱和原子力显微镜研究经气相和溶液钝化的 InP 表面的化学健合、表面残余氧含量、表面刻蚀效应和粗糙度。结果表明,采用气相多硫化物钝化可以获得均匀、光滑和可重复的表面质量,但其热稳定性不如溶液多硫化物钝化的 InP 表面好。参12     

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IELDVD060:9322:29630-315 0600530 0.13μmCMOS技术负偏置温度不稳定性的可靠性控制监控准则=Reliability control monitor guideline of negative bias temperature instability for 0．13／spl mu／m CMOS technology[会,英]／Wang,C．S．／／Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits,2004．IPFA 2004．Proceedings of the 11th International Symposium     

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Y2002-63377-240 0314324高速互联中抽取无源低阶模型的电介质工艺=Tech-tuques for including dielectrics when extracting passivelow-order models of high speed interconnect[会,英]/Daniel.L.& Alberto.L.//2001 IEEE/ACM Interna-tional Conference on Computer Aided Design,Digest.—240～244(E)     

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Y98-61303-903 9905940多层多晶硅表面微机械加工工艺=Multi-layer en-hancement to polysilicon surface-micromachining technol-ogy[会,英]/Sniegowski,J.J.& Rodgers,M.S.//1997 IEEE International Electron Devices Meeting.—903～906(AG)     

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Y2000-62067-380 0014469紫外光刻技术:用于微系统技术的有前途、低成本的另一种方式=UV-LIGA:a promising and low-cost variantfor microsystem technology[会,英]/Qu,W.& Wen-zel,C.//1998 IEEE International Conference on Opto-electronic and Microelectronic Materials and Devices.—380～383(EC)Y2000-62237-47 0014470互连模拟和信号综合性问题(2)=Session WP3:inter-     

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Y2002-63392-221 0316916考虑接地面电流预计算的平面封装电感抽取=Flatpackage inductance extraction with ground plane currentprecalculation〔会,英〕/Lippens, G. & De Zutter, D.//2001 IEEE 10th Topical Meeting on Electrical Performanceof Electronic Packaging. -221～224(E)Y2002-63392-309 0316917依据多端口S参数抽取封装模型=Package model ex-traction from multi-port S-parameters〔会,英〕/Andrews,J.A.& Kabir,S.//2001 IEEE 10th Topical Meeting     

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Y2002-63306-256 0307209反应离子腐蚀形成低损伤 InP 侧壁=Low damage InPsidewall formation by reactive ion etching[会,英]/Saga,N.& Masuda,T.//2001 IEEE International Confer-ence on Indium Phosphide and Related Materials.—256～259(E)Y2002-63306-421 0307210InP/InGaAs 异质结双极晶体管 NH_3等离子体表面钝化=Ammonia(NH_3)plasma surface passivation of InP/     

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IELDVD068:9849 0603383 2005年微电子测试结构会议录=2005 International Conference on Microelectronic Test Structures[会,英]／ IEEE Electron Devices Society．-P．270(E) 本会议录收集了会上发表的100篇论文,内容涉及90nm CMOS工艺,深亚微米CMOS铜互连工艺失效分析测试,硅片微波测量增强信号端隔离容量,集成     

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Y2002-63122-57 0217406使宏单元布局最佳的构成方法=A constructive proce-dure for optimizing the placement of macrocells[会,英]     

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Y2002-63084-349 0212815电子束蒸发系统用的自适应控制器设计与实现=De-sign and implementation of an adaptive controller for elec-tron beam evaporation systerh[会,英]/Ahadi,M.&Jarnshidi,K.//ICM 2000 Proceedings of the TwelfthInternational Conference on Microelectronics.—349～352(PE)     

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Y2000-62079-383 0020130激光微机械加工=Laser micromachining[会,英]//1999 IEEE Conference on Lasers and Electro-Optics.—383～385(F)本部分收录3篇论文摘要。内容包括硬质材料的混合激光处理,超短激光脉冲对脆绝缘材料造成破坏的域值和加工技术,掺铁 LiNbO_3中光致刻蚀失败。     

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Y2000-62047-79 0007588甚深亚微米技术(含3篇文章)=Session 4:techniquesfor the very-deep submicron[会,英]//18th InternationalConference of the North American Fuzzy InformationProcessing Society-NAFIPS.—79～104(AC)本部分有3篇文章,篇名为:将暂时抑制技术用于去除串扰的电路设计与测试中,基于时间冗余的挽救毫微米工艺的软误差容错,内部逻辑电路中接地脉动的测试发生。     

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Y2001-62781 01148752000年 IEEE 等离子体处理感应损伤会议录=2000IEEE 5th international symposium on plasma process-in-duced damage[会,英]/American Vacuum Society.—IEEE.2000.—172P.(EC)本会议录收集了于2000年5月23～24日在加州Santa Clara 召开的等离子体处理感应损伤会议上发表的46篇论文,内容涉及栅圾氧化物对充电损伤的影响,等离子体损伤机理,绝缘体上硅,化学汽相淀积工艺损伤类型,多层互连中的损伤,300mm 硅片技术,铜与低 k 值,天线测试结构及设计,电介质沉积损伤。     

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Y98-61442-421 9907388微电子机械系统最新技术水平综述=Microelec-tromechanical systems(MEMS):an overview of currentstateof-the-art[会,英]/Madni,A.M.& Wan,L.A.//1998 IEEE Aerospace Conference Proceedings,Vol.1 of 5.—421～427(PV)讨论了微型电子机械系统(MEMS)的应用和基础。详细介绍了4种主要的硅微机械加工技术:块微机械加工、表面微机械加工、圆片-圆片键合和高纵横尺寸比微机械加工。还讨论了微型电子机械石英速率传感器。这些技术已用于航空航天、军事、工业、医学、电信和汽车工业,以便以成本合算的方式实现小型化高度集成 MEMS。参13     

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0605839 NaCl感应热腐蚀中热浸涂层的低碳钢,SUS310和Fe- Mn-Al合金的腐蚀状况=Corrosion behaviors of low carbon steel,SUS310 and Fe-Mn-Al alloy with hot- dipped aluminum coatings in NaCl-induced hot corrosion [刊,英]/C．J．Wang,J．W．Lee//Electronics Letters．- 2003,163(30)．-37-43(E)     

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06171233-D MCM封装技术及其应用〔刊,中〕/王玉菡//电子科技.—2006,(3).—9-12,16(D)0617124AM与HEMA共聚制备水凝胶的结构与性能〔刊,中〕/黎新明//信阳师范学院学报(自然科学版).—2006,19(2).—226-229(L)0617125元胞自动机方法模拟硅的各向异性腐蚀研究〔刊,中〕/周再发//固体电子学研究与进展.—2006,26(1).—128-133(D)随着计算机运算速度的提高及MEMS结构变得日渐复杂,元胞自动机(CA)方法逐渐在MEMS CAD方面显出优势。针对硅的各向性腐蚀模拟,首先建立硅衬底表面元胞的腐蚀过程二维CA模型,然后推广为三维CA模型,从而建…     

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Y99-61677 99151431998年 IEEE 第7届电子封装电性能专题会议录=1998 IEEE 7th topical meeting on electrical performanceof electronic packaging[会,英]/IEEE Microwave Theoryand Techniques Society & IEEE Gomponents.Packagingand Manufacturing Technology Society.—IEEE,1998.—300P.(G)报道了1998年10月26日至28日在美国西点举行的电子封装的电性能专题讨论会上的60多篇文章。内容主要涉及封装设计,单片互连,封装件测试,混合信号/光学封装设计,封装件的电源系统和配电建模,硅衬底建模,同时开关噪声,微波封装,加速建模和模拟。     

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0005785B~+、As~+离子注入工艺模拟模型的比较[刊]/庞海舟//微电子学.—1999,29(6).—407～412(A)对离子注入分布杂质浓度模拟的不同模型进行了简短的回顾,介绍了在 Suprem Ⅸ中采用的双 Pearson分布模型。通过对 B~+及 As~+在不同剂量和能量下对