爱特梅尔针对低功耗设计推出全球首款1.8V电压的8Mb Serial Flash

爱特梅尔公司(Atmel)宣布业界首款能够在1.8V电压下运作的8Mb Serial Flash器件AT25DF081,经已准备投产。全新的AT25DF081具有1.65V～1.95V的低工作电压范围,与许多现有和即将面市的采用亚90nm工艺的ASIC     

微芯科技推出带有一对256Kb器件的串行EEPROM系列

微芯科技（Microchip Technology）公司推出SPI串行EEPROM系列25AA256和25L C256。新器件带有一对256Kb器件，速率可达10MHz。其中25AA256的工作电压范围在1．8V至5．5V之间，25LC256的工作电压范围在2．2V至5．5V之间，提供一40℃至85℃和-40℃至125℃的温度范围，基于SPI的器件可优化和便于连接微处理器。     

X波段高输出功率凹栅AIGaN／GaN HEMT

使用自主研制的SiC衬底GaNHEMT外延材料，研制出高输出功率A1GaN／GaNHEMT，优化了器件研制工艺，比接触电阻率小于1．0×10^-6Ω·cm^2，电流崩塌参量小于10％，击穿电压大于80V．小栅宽器件工作电压达到40V，频率为8GHz时输出功率密度大于10W／mm．栅宽为2mm单胞器件，工作电压为28V，频率为8GHz时，输出功率为12．3W，功率增益为4．9dB，功率附加效率为35％．四胞内匹配总栅宽为8mm器件，工作电压为27V时，频率为8GHz时，输出功率为33．8W，功率增益为6．3dB，功率附加效率为41．77％，单胞器件和内匹配器件输出功率为目前国内该器件输出功率的最高结果．     

有负电势的反相电平转换电路

数字系统设计要求考虑使用多个核心电压。存储器工作在1.8V,I2C和FPGA器件的工作电压为3.3V,微控制器工作在5V,而电荷耦合器件图像传感器则需要-9V～8V的工作电压。每种器件的时钟必须适应于其工作电压。可以用下图中的电平转换电路,将输入时钟信号调整到适当的逻辑高和逻辑低电平,包括负电压。这种特性对于需要负电压的器件很方便,如电荷耦合器件传感     

VBUS053AZ-HAF：超薄ESD保护阵列

Vishey推出新型超薄ESD保护阵列VBUS053AZ-HAF，该器件具有低电容和低漏电流，可保护USB-OTG端口免受瞬态电压信号损坏。新器件在工作电压为5．5V时提供三线USBESD保护，在工作电压为12V时提供单线VBUS保护。     

磁控溅射AIN介质的14W／mm AlGaN／GaN MIS-HEMT

介绍了一种采用磁控溅射AlN介质作为绝缘层的的SiC衬底AlGaN／GaN MIS-HEMT。器件研制中采用了凹槽栅和场板结构。采用MIS结构后,器件击穿电压由80V提高到了180V以上,保证了器件能够实现更高的工作电压。在2GHz、75V工作电压下,研制的200μm栅宽AlGaN／GaNMIS-HEMT输出功率密度达到了14．4W／mm,器件功率增益和功率附加效率分别为20．51dB和54．2％。     

磁控溅射AlN介质MIS栅结构的AlGaN/GaN HEMT

报道了一种X波段输出功率密度达10.4W/mm的SiC衬底AlGaN/GaN MIS-HEMT。器件研制中采用了MIS结构、凹槽栅以及场板,其中MIS结构中采用了磁控溅射的AlN介质作为绝缘层。采用MIS结构后,器件击穿电压由80V提高到了180V以上,保证了器件能够实现更高的工作电压。在8GHz、55V的工作电压下,研制的1mm栅宽AlGaN/GaN MIS-HEMT输出功率达到了10.4W,此时器件的功率增益和功率附加效率分别达到了6.56dB和39.2%。     

磁控溅射AIN介质MIS栅结构的AlGaN/GaN HEMT

报道了一种X波段输出功率密度达10.4 W/mm的SiC衬底AIGaN/GaN MIS-HEMT,器件研制中采用了MIS结构、凹槽栅以及场板,其中MIS结构中采用了磁控溅射的A1N介质作为绝缘层.采用MIS结构后,器件击穿电压由80 V提高到了180 V以上,保证了器件能够实现更高的工作电压.在8 GHz、55 V的工作电压下,研制的1 mm栅宽AlGaN/GaN MIS-HEMT输出功率达到了10.4 W,此时器件的功率增益和功率附加效率分别达到了6.56 dB和39.2%.     

针对车载应用的升降压DC／DC转换器

德州仪器（TI）推出一款符合汽车电子标准的DC／DC电源管理器件TPIC74100-Q1，能在升降压模式间自动切换．提供5V恒定输出电压。TPIC74100-Q1具备1．5V至40V的宽泛工作电压范围，且无需外部组件，从而简化了设计。该器件还可通过时钟调制器与可调节压摆率，尽可能减小系统中的电磁干扰（EMI）。     

凌力尔特公司同步降压型DC／DC转换器

凌力尔特公司（Linear Technology Corporation）推出高效率、2．25MHz、同步降压型稳压器LTC3549，该器件能用低至1．6V的输入电压提供高达250mA的连续输出电流。LTC3549采用恒定频率和电流模式架构，用1.6V至5．5V的输入电压工作，适用于单节锂离子或两节碱性／镍镉／镍氢电池应用。该器件可以产生低至0．61V的输出电压，因此能够为最新一代低压DSP和微控制器供电。其2．25MHz开关频率允许利用高度低于1mm的纤巧和低成本陶瓷电容器和电感器，     

2．7W恒定输出功率D类放大器

TPA2013D1通过较低电源电压即可生成较高输出功率，而不会造成音频失真，还能为各种外部器件供电。由于结合了2．7W的D类放大器与集成式升压转换器，整体效率达到85％。新器件在整个4Ω负载中都能提供2．7W的最大输出功率，而在8Ω负载中则能提供2．2W的最大输出功率，此外还能在2．3～4．8V的整个锂离子电池工作电压范围内提供高达1．5W的可调恒定输出功率。     

iC-MFL：8通道电平转换器

iC-MFL是单芯片集成的8通道电平转换器,用于驱动逻辑FET。器件的内部电路模块具有单一误差方式,如引脚开路或两输出短路,iC-MFL的输出级可切换到预选确定的安全状态。因此,外部连接的FET可在单一误差情况下安全关闭。根据AECQ100标准,器件符合典型SIL/ASIL应用。典型应用包括驱动1．8V、3．3V或5VTTL以及CMOS兼容系统,如FPGA、MCU以及具有安全故障要求的CPU。8通道输入包含一个带有下拉电流源的Schmitt触发器,与TTL和CMOS电平（1．8V、3．3V、5V）兼容,耐电压达18V。     

低压低电流运算放大器

TLV271提供从2．7～16V的工作电压范围，以支持一系列以电池供电的低功耗消费性和工业产品。这个器件具有2MHz的高增益带宽及1．4V／μs的快速电压转换速率，而静态电流只有550μA的情况下可把功耗减到最低。     

Maxim新推80V抛负载保护2．2MHz双路输出DC—DC转换器MAX5098A／MAX5099

Maxim推出能够提供2A和1A输出电流的双路输出、高开关频率DC—DC转换器MAX5098A/MAX5099。转换器直接采用汽车电池供电,集成了能承受高达80V瞬态电压的抛负载保护电路,器件的工作电压可低至4．5V,以适应冷启动情况。另外,器件具有可编程的200kHz至2．2MHz宽开关频率范围,从而可以工作于AM频段以外的频率。     

击穿18V的高压LDD PMOS器件的研制

从Synopsys TCAD的软件模拟出发，基于0．8μm标准CMOS工艺，通过重新设计高压N阱，以及优化器件LDD区域注入剂量，成功研制了栅长0．8μm击穿电压达到18V的LDD结构的高压PMOS器件，并实现了低高压工艺的兼容。研制的宽长比为18／0．8的PMOS器件截止电流在500pA以下，阚值电压为-1．5V，-10V栅压下饱和电流为-5．6mA，击穿电压为-19V。器件主要优点是关态漏电小，且器件尺寸不增加，不影响集成度，满足微显示像素驱动电路对高压器件的尺寸要求，另外与其他高压器件相比更容易实现，节约了成本。     

电子设计工程师认证实操实训基础系列讲座(13) 第六讲 简易温度监控器设计(下)

四、典型I~2C接口EEPROM存储芯片AT24CXX的使用1.AT24CXX系列存储芯片简介AT24CXX存储器件的内部结构如图7所示.该器件的主要特点有:单电源供电,工作电压范围宽1.8V~5.5V;低功耗CMOS技术(100kHz(2.7 V)和400kHz(5V)兼容);自定时写周期(包含自动擦除)、页面写周期...     

峰值效率达到95％的8A降压稳压器

FAN2108是完全集成的8A同步降压转换器,可在宽泛的输入电压范围（3～24V）提高效率,适用于机顶盒、图形卡、负载点（POL）和工业电源网络设备等应用。FAN2108采用PowerTrench MOSFET工艺设计,具有极低的特征因数（FOM）以降低传导和开关损耗。在12V输入电压和8A负载电流条件下,FAN2108在3．3V输出电压下能实现92％的效率,在1．8V输出电压下达到87％的效率;在5V输入电压和3．3V输出电压条件下,该器件的峰值效率更达到95％。     

电源技术

具输出断接和软启动功能的同步升压型稳压器凌特推出1．25MHz、电流模式、同步升压型DC/DC转换器LTC3427,该器件具有输出断接、浪涌电流限制和集成软启动功能。它的内部开关从1．8V～5V的输入电压范围提供500mA电流限制(最小)和高达5．25V的输出电压,     

MSP430微控制器讲座（五）—系统电平转换的逻辑接口电路

TI公司的MSP430系列微控制器中大多数MCU的工作电源电压为1．8-3．6V，相对于其它半导体公公司的5V电源电压供电的微控制器来说，MSP430系列具有低电流、低功耗的优势，但在系统设计中也存在着与不同电源电压逻辑器件或数字器件的电平接口转换问题。本文着重介绍MSP430系列MCU与常用的5V逻辑器件或数字器件之间的电压转换接口电路。     

125V、2A、半桥MOSFET驱动器

Maxim Integrated Products推出高压、高速、半桥MOSFET驱动器：MAX5062／MAX5063，能够驱动高边和低边n沟道MOSFET。MAX5062A和MAX5063A分别与工业标准器件HIP2100和HIP2101引脚兼容。与其它同类竞争产品最大105V的工作电压相比，这两款器件的高边引脚(HS引脚)可工作在高达125V电压下。利用它们来做电源设计，输入电压的最大值为125V，从而为要求必须能承受100V或更高输入瞬态电压的电信设备电源提供了充分的安全裕量。