薄膜封装型NTC热敏电阻器的研制

为适应电子整机产品狭窄空间安装的需要,NTC热敏电阻器(NTCR)要进行超薄设计。采用固相反应法制粉,压锭烧结制作NTCR芯片,焊接引线和薄膜封装等工艺方法实现产品的薄形化封装,研制出了一种阻值R25为10k?,材料常数B为3435K,产品最大厚度仅0.5mm的新型薄膜封装型NTC热敏电阻器,为家电产品和生产设备的轻薄化推出了一种新型NTC热敏电阻器。     

南京时恒电子科技

MF58玻壳精密型NTC热敏电阻器 产品简介：该型号产品采用陶瓷工艺与半导体工艺相结合的工艺技术制作而成，为两端轴向引出纯正玻璃封装结构。     

产品导购

丝塑竺,业些些1} 深圳杰英特公司提供压力、称重、温湿度、流量、液位、加功率型NTC热敏电阻器、从T温度传感器敏电阻器、PTC热敏电阻器度、压力开关、应变计、仪表等国内外名牌产品。黔‘纂ONSP功率型NTC热敏电阻器.MYG型压敏电阻器.WF型NTC精密温度传感器.MF52E型NTC热敏电阻丢.MFn、Mf比型N丁C热敏电阻器.MF57型NTc热敏电阻器.MOTB超大功率型NTC热敏电阻器.MZ64型PTC热敏电阻器SZJOINT除代理上述产品外,还有一条LOAD CELL生了E力传感器组装线,可为各种用途的用户提供配套的产品 拥有全套自动化生产检测设备;采…     

玻璃釉包覆片式NTC热敏电阻器的研制

为了得到更稳定、可靠的片式NTC热敏电阻器,在芯片表面涂覆一层玻璃釉是有效的途径之一。为此调整了玻璃釉包覆片式NTC热敏电阻器所进行的工艺,进行了玻璃浆及银浆的选取和匹配工作。所研制的片式NTC热敏电阻器,克服了传统片式NTC热敏电阻的精度不高、稳定性不好、可靠性差等主要缺点,F级阻值合格率提高了45%,阻值的年漂移小于0.1%,端电极强度提高了约4.9N,耐焊上锡率提高了约5%。     

具有核壳结构材料的薄膜热敏电阻

分别采用巯基丙酸包覆的银(Ag/MPA)和十二胺包覆的硫化银(Ag2S/DDA)纳米粒子通过涂布和煅烧两步法在低温下获得了Ag2S-Ag核壳结构薄膜热敏电阻(NTCR)和Ag2S薄膜NTCR.使用扫描电子显微镜(SEM)对Ag2S-Ag核壳结构薄膜形貌进行了表征,使用X射线衍射光谱仪(XRD)与透射电子显微镜(TEM)对薄膜粒子组成、结晶度及结构进行了测试分析,研究了不同制备条件下的Ag2S-Ag核壳结构薄膜NTCR的热敏电阻系数(NTC)特性,根据ASTM D3359附着力测试标准分析了薄膜对基底的附着力.结果表明,所制备器件膜厚均匀且表面平整,器件的膜厚为1.64 μm,热敏系数B、零功率电阻温度系数αT和电子活化能Ea值分别为2 707 K,-32 234× 10-6K-1和5.533×10-3 eV,附着力测试评价达5A.与Ag2S薄膜NT-CR相比,Ag2S-Ag核壳结构薄膜NTCR具有更优的NTC特性,膜厚可控,具有高灵敏度及环境适应性.     

BaBiO_3/SrFe_(0.9)Sn_(0.1)O_(3–δ)厚膜NTCR的电性能研究

以SrFe0.9Sn0.1O3–δ为电阻相,BaBiO3为烧结助剂,在氧化铝基板上涂刷成膜,并采用固相法制备了NTC厚膜热敏电阻(NTCR)。借助XRD、SEM、阻温特性测试仪,研究了添加不同量BaBiO3样品的相组成、微观结构以及电性能。结果表明:所得NTC厚膜电阻呈明显的NTC热敏特性,且主要组成物相为钙钛矿结构的SrFe0.9Sn0.1O3–δ;厚膜表面颗粒均匀细小,尺寸在2~3μm范围内;随着BaBiO3含量的增加,其室温电阻R25从初始的4 000 k?降至372 k?,对应的B25/85值从4 378 K逐渐降低为3 113 K。     

BaBiO3/SrFe0.9Sn0.1O3-δ厚膜NTCR的电性能研究

以SrFe0.9Sn0.1O3-δ为电阻相,BaBiO3为烧结助剂,在氧化铝基板上涂刷成膜,并采用固相法制备了NTC厚膜热敏电阻(NTCR).借助XRD、SEM、阻温特性测试仪,研究了添加不同量BaBiO3样品的相组成、微观结构以及电性能.结果表明:所得NTC厚膜电阻呈明显的NTC热敏特性,且主要组成物相为钙钛矿结构的SrFe0.9Sn0.1O3-δ;厚膜表面颗粒均匀细小,尺寸在2～3μm范围内:随着BaBiO3含量的增加,其室温电阻R25从初始的4 000kΩ降至372 kΩ,对应的B25/85值从4 378 K逐渐降低为3 113 K.     

热敏电阻器基本参数说明

热敏电阻器是一种对温度变化很敏感的电阻器。在工作温度范围内,其阻值随温度的升高而减少的热敏电阻器称为负温度系数热敏电阻器(即NTC热敏电阻器)。在工作温度范围内,其阻值随温度升高而增大的热敏电阻器称为正温度系数热敏电阻器(即PTC热敏电阻器)。附图为几种不同类型的热敏电阻器的阻温特性曲线。热敏电阻器的标称阻值R25是指在环境温度为25℃时,采用规定的外加测     

MnNiCuFe系材料的聚合络合法制备及微波烧结

为了得到低B值(2100K)、高精度互换、均匀性好的NTC热敏电阻器,采用聚合络合法制备了Mn0.43Ni0.90CuFe0.67O4 NTC热敏材料的前驱体,在500℃进行热分解后获得氧化物,经不同温度微波煅烧,确定最佳温度后成型,分别进行微波烧结与常规烧结。采用TGA-DTA、FT-IR、XRD、粒度分析及SEM等手段,对材料进行表征。结果表明:微波煅烧最佳温度为650℃,陶瓷体由缺铜相和富铜相两相组成;微波烧结大大提高了元件的均匀性,成品率由常规烧结的30%提高至85%。     

抑制浪涌电流用硅单晶热敏电阻器

为解决氧化物型抑制浪涌用热敏电阻电阻率高、温度系数小的矛盾,采用N型或者P型硅单晶扩散掺金,研制成一种新型的抑制浪涌电流用硅单晶热敏电阻器。该电阻器温度灵敏度高(a=6.0%1)、残留电阻小(小于1伲⒑纳⑾凳?5mW、时间常数为50s。与抑制浪涌电流用的氧化物NTCR相比,其制造工艺简单、成本低、一致性好,且易实现片式化和集成化。讨论了这种元件的热敏机理。     

负温度系数热敏电阻浆料

将半导体金属氧化物与导电相、玻璃黏合剂混合，制成负温度系数热敏电阻浆料。试验证明，浆料中金属氧化物的组分、合成温度、导电相及玻璃相的组成会影响热敏电阻浆料的性能。     

厚膜线性NTC热敏电阻器的研究

普通ＮＴＣ热敏电阻器的阻－温特性呈指数变化,用于测温、控温和温度补偿很不方便,而ＮＴＣ线性网络又相当复杂。借鉴普通ＮＴＣ热敏电阻器线性化的机理,能够使宏观上的热敏电阻器与普通电阻器的串并联,在微观上得以实现以Ｍｎ－ＣＯ２Ｏ４和ＣｏＭｎ１．５Ｎｉ０．５Ｏ４为热敏相,适当的ＲｕＯ２为导电相,硼硅玻璃为玻璃相,用厚膜陶瓷工艺制成了厚膜线性ＮＴＣ热敏电阻器。     

使用玻璃封接He－Ne激光管的几个技术问题

本文叙述了玻璃密封Ｈｅ－Ｎｅ激光管的优越性，以及使用玻璃密封Ｈｅ－Ｎｅ激光管的有关技术问题，如匹配封接条件、反射镜片膜层的温度适应性、熔封加热方法和可用于熔封的几种易熔玻璃配方。     

K~+掺杂量对BaBiO_3基陶瓷NTC特性的影响

用传统的固相法制备了具有NTC特性的K+掺杂BaBiO3基陶瓷。研究了K+掺杂量对其NTC特性的影响。结果表明:试样的B25~85值和室温电阻率ρ25均随着x(K+)的增加呈现先减小后变大的趋势;当x(K+)为20%时,得到了具有较好NTC特性的陶瓷样品,其室温电阻率ρ25为1500?·cm,B25~85值为3176K。     

复合无机粘结剂对钌酸铋/银基厚膜电阻性能影响

采用钙铝硅玻璃和硼硅酸铅玻璃组成的复合体系作为无机粘结剂制备厚膜电阻浆料,研究复合无机粘结剂对厚膜电阻各性能的影响。结果表明,二组元在复合体系中体积分数的改变影响钌酸铅“过渡层”的存在状态和无机粘结剂中晶相和玻璃相的比例,使厚膜电阻的方阻和电阻温度系数随之变化,当二组元体积分数均为50%时,制备的电阻膜性能稳定,重烧变化率为2.7%。     

玻璃金属封接工艺的金相研究

影响密封继电器使用的可靠性在于其气密性,而玻璃金属封接工艺是气密性的核心工艺。文章进行了一系列硅硼硬玻璃与4J29合金的封接试验,对各个关键封接工艺阶段的样品进行金相分析,得出一些获得气密封接的条件。在本试验条件下,4J29合金零件在1020℃真空条件下,保温10min～30min,再经过在650℃可控气氛中保温2．5min～5min后,与玻璃坯封接得到的底座,泄漏率95％以上能达到≤1×10^-4pa·cm^3．s^-1。此外,采用金相技术分析了玻璃合金封接界面的结合情况,并提出了提高玻璃金属封接气密性的途径。     

高精密度可互换NTC热敏电阻器的设计

以高稳定，易重现瓷料为基础，运用特性互补偿原理和集成组装技术，设计高精密度可互换ＮＴＣ热敏电阻器。着重阐述了互换精度达０．２级的高精密可互换ＮＴＣ热敏电阻的设计要点及质控技术。     

摩擦涂敷铟封工艺

本文叙述了“摩擦涂敷”铟封工艺,报导了用这种工艺封接的 He-Ne 激光管、标准脉冲氙灯及玻璃与铜、玻璃与不锈钢、石英与铝等的封接技术。