微波烧结氧化锌压敏陶瓷的研究进展

综述了近年来微波烧结在氧化锌压敏陶瓷中的研究进展:可提高氧化锌压敏陶瓷加热速率,降低烧结温度,改善材料的显微结构及性能,提高瓷体密度,达到高效节能的目的。但压敏电阻组分较多,微波快速烧结时,组分通过扩散和迁移在微观上均匀分布较难,可能对电性能有一定影响。结合目前国内外微波烧结氧化锌压敏陶瓷的发展现状,指出今后在压敏陶瓷微波烧结中可以采用纳米技术。     

氧化锌压敏陶瓷银电极还原工艺研究

通过试验，分析了烧银制度（烧银温度、保温时间）与压敏电阻（高、低压压敏电阻）电性能之间的关系；阐述了适当提高烧银温度和延长保温时间，对改善和稳定压敏电阻综合性能有较好效果。     

稀土掺杂氧化锌压敏瓷的研究进展

综述了近年来稀土掺杂氧化锌压敏瓷中的研究进展。掺杂稀土氧化物可明显的减小ZnO晶粒尺寸,使晶粒尺寸分布均匀;其中掺杂Y2O3可使ZnO-Bi2O3系压敏瓷晶粒尺寸由11.3μm降到5.4μm,掺杂Er2O3使晶粒尺寸由1.60μm减小到1.06μm。显著提高了ZnO压敏瓷的电位梯度、降低了漏电流。其中在ZnO-Bi2O3系压敏瓷中掺杂Y2O3,可获得电位梯度约为270 V/mm、漏电流为3μA、压比为1.66的电阻片,在ZnO-PrA6O11系压敏瓷中掺杂Er2O3,电位梯度可提高到416.3 V/mm,漏电流从28.2μA降低到9.8μA。     

氧化钪掺杂氧化锌压敏瓷的显微组织和电性能

采用固相法制备Sc2O3掺杂ZnO压敏瓷,通过扫描电镜对其显微组织进行了分析,探讨了Sc2O3对氧化锌压敏瓷电性能和显微组织影响机理。Sc2O3掺杂氧化锌压敏瓷1 000℃烧结的性能较好;当Sc2O3掺杂量掺杂浓度(摩尔分数)为0.3%时氧化锌压敏瓷的综合电性能最好,其压敏电位梯度为821 V/mm,非线性系数为62,漏电流为0.16μA。     

纳米复合技术改善ZnO压敏电阻微观结构及电性能一致性的研究

采用氨浸法制备ZnO纳米复合压敏瓷料的工艺手段,研制出压敏场强大于330V/m m,漏电流小于1μA,非线性系数大于58的压敏电阻器,电性能的一致性要优于普通压敏电阻器的5～10倍。用扫描电镜和能谱对瓷体显微结构及面扫成分进行了分析,讨论了ZnO压敏电阻材料结构和电性能的关系。研究表明,加入纳米复合粉制备压敏电阻是降低大规模生产中的成本,提高ZnO压敏电阻电性能及其一致性的有效途径。     

从废旧氧化锌压敏电阻片中提取及制备氧化钴

以废旧氧化锌压敏电阻为原料 ,经酸解、净化提取得 Co Cl2 ;并用碳酸氢钠为沉淀剂 ,引入表面活性剂 ,制备符合企业标准的球形氧化钴。并对该工艺过程中溶液浓度、温度等的选择进行了讨论。利用本工艺还可以制取活性 Zn O。     

聚烯烃纳米复合材料及其制备技术

聚烯烃纳米复合材料的制备技术总体上分为共混法和原位聚合法,聚烯烃层状硅酸盐纳米复合材料制备方法较为特殊,综述了聚烯烃纳米复合材料的性能及其近年来制备技术的进展,讨论各种制备方法的特点,聚烯烃纳米复合材料可广泛应用于航空,汽车,家电,建筑以及室内装饰材料等领域,其应用前景广阔。     

含有金纳米粒子的复合纳米纤维的制备和表征

以氯金酸(HAu Cl4)为原料,柠檬酸钠(C6H5Na3O7·4H2O)为还原剂,聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为保护剂,乙醇为溶剂制备出含有金纳米粒子的溶胶溶液;采用高压静电纺丝技术制备了含有金纳米粒子的聚乙烯吡咯烷酮复合纳米纤维。通过紫外光谱研究了不同含量的金纳米粒子对纤维吸光度的影响;通过扫描电子显微镜和透射电子显微镜考察了含有金纳米粒子的聚乙烯吡咯烷酮复合纳米纤维的形貌。研究表明,随着金纳米粒子在纺丝溶液含量的增大,金纳米颗粒的特征吸收峰越来越明显,且有红移趋势;随着金纳米颗粒的增多,纤维逐渐变细,浓度过高时则不能生成纤维。     

纳米氧化铝粉体的制备方法及应用

纳米氧化铝粉体除了具有纳米效应,在光、电、力学和化学反应等许多方面也表现出一系列的优异性能,已成为一种应用广泛的纳米材料。本文综述了纳米氧化铝粉体材料的各种制备工艺及方法的优缺点,并对近年来的应用进展进行了阐述。     

烧结载量的增加对氧化锌压敏电阻性能的影响

采用上下结构的盒状烧钵作为氧化锌压敏电阻片的装钵方式,装钵量从16片、32片、48片、64片、80片提高至96片,对其电位梯度、泄漏电流、压比等进行了分析,试验电阻片为!60mm×21mm。结果表明,80片的装钵量最合理,不仅提高了电阻片的电位梯度,降低了压比,而且单片能耗比以前节省了近1/4,年节省电费20余万元。     

化学合成法改进对ZnO压敏电阻片复合粉体的影响

通过对化学合成法进行改进以适应ZnO压敏电阻片复合添加剂制备的需要,针对化学合成法的不足,提出了解决技术籽晶分布包膜技术,通过控制籽晶、沉淀剂、分散剂、pH值、化学反应进程和温度等因素,获得离子级均匀混合的ZnO压敏电阻片复合添加剂复合粉体前驱体,为进一步获得高性能ZnO压敏电阻片打下了坚实的基础。     

氧化锌粉末粒度测试与表征

以ZnO粉末作为粒度分析对象,对几种不同方法测试结果进行了比较、分析。除球形颗粒外,对于其他不规则形貌的颗粒,采用不同测试方法所得结果不同,且没有可比性。每种测试方法都有自身的优势和局限性,应根据所需信息侧重点选择粒度分析方法。     

共沉淀法再利用氧化锌压敏电阻废旧片

提出以共沉淀法再利用 Zn O压敏电阻废旧片的工艺方法 ,讨论了溶解酸、沉淀剂和沉淀 p H值的选择 ,研究了温度对沉淀粒径的影响。结果表明 ,用共沉淀法粉料比常规法粉料制得的 Zn O压敏电阻电性能更好     

ZnO膜结构材料的压敏性能研究进展

从薄膜、厚膜、复合膜三个方面综述了近年来国内外关于ZnO膜结构材料的压敏性能方面的研究进展。掺杂元素、成膜工艺、退火温度、膜结构等因素都影响着ZnO膜结构材料的压敏性能,其中掺杂可以大大降低该膜的电阻率,提高非线性系数。低电位、高非线性系数的ZnO压敏薄膜及高电位梯度、高非线性系数的ZnO压敏厚膜的制备是今后研究的重点。     

ZnO电阻片大电流通过次数与寿命的关系

从冲击老化机理,冲击老化与冲击电流峰值、波形、作用次数以及环境温度因素的相关性等方面,阐述了ZnO电阻片中流过冲击大电流的次数与寿命的关系。通过试验观察ZnO电阻片在冲击作用下的老化情况,测量ZnO电阻片变化率、功率损耗等参数来反应老化程度,分析了不同冲击电流峰值、不同波形及不同温度下的冲击次数对避雷器寿命的影响。并以此总结出一种反映避雷器大电流通过次数与寿命关系的规律,给出了以超过避雷器标称放电电流一定值的大电流通过避雷器的次数,作为避雷器寿命终结的判据。     

同时提高ZnO压敏电阻器的静态性能及冲击性能的方法

以往用于提高 Zn O压敏电阻器 8/2 0通流容量的方法对其静态性能有不良影响 ,笔者介绍了一种能同时提高 Zn O压敏电阻器的静态性能及 8/2 0冲击性能的方法。该方法通过调整 Bi2 O3、 Mn CO3含量 ,降低 Zn O压敏电阻器陶瓷晶界易迁移离子 ,改善晶界结构 ,可以在提高 Zn O压敏电阻器通流容量的同时降低电位梯度 ,改善静态漏电流及压比。     

氧化锌压敏电阻片冲击大电流残压特性的研究

在大量试验数据的基础上,分析和研究了瞬态大电流的波形参数、冲击电流幅值以及氧化锌压敏电阻片表面积对氧化锌压敏电阻残压的影响。针对几种典型的试验用电流波形参数,归纳出冲击电流幅值与残压之间的变化规律,其对于估算一定电流波形下某幅值对应的残压数值,或者对现有试验结果进行验证具有一定的参考。     

ZnO压敏陶瓷制造用有机原材料的选择及优化应用

根据不同有机原料的理化性能、主要用途,并结合实际生产应用认为,合理选择有机原料及使用量,对制备ZnO与添加剂料浆成分的均匀性,喷雾造粒粉料的物理性状及坯体成型的均一性都有较大的影响,从而影响耐受冲击能量及其稳定性。得出:结合剂一般选用高醇解度的聚乙烯醇(PVA),加入量以0.5%～0.8%为宜,且尽可能减少PVA的添加量;分散剂应选择具有润滑性的分散剂,这对制造较大直径的电阻片是很有利的;消泡剂应选择易于在溶液表面铺展的消泡剂,如磷酸三丁酯;纯水电阻率不应小于1 MΩ·cm(25℃)。     

国外MOA用ZnO电阻片的剖析与思考

对国外五家公司的ZnO电阻片进行了试验,并与已知ZnO电阻片样品配方对比,结果表明,五家样品的压比较低、老化系数呈下降型;其配方成分都含有Ni,D试样几乎不含Si、Cr,但是其方波通流密度较高;虽然与国内样品的显微结构相比,其物相组分相似,无明显的差别,但是多数瓷体中的大气孔较少,端面全喷铝或者留边宽度较窄。据此,提出了从根本上改进配方和工艺,如掺杂Ni,细化添加剂粒度、选择适宜的有机添加剂及添加量,以改善喷雾干燥粉料成分和成型坯体密度的均匀性;根据不同的配方,研究相适应的烧成制度,特别是冷却制度、热处理温度制度等多种思路,以期全面提高我国ZnO电阻片的性能水平。     

氧化锌压敏电阻片电位梯度参数优化的实验研究

研究了制造过程中的升温速度、烧结温度、保温时间及冷却速度对氧化锌压敏电阻片电位梯度的影响,对氧化锌压敏电阻片的烧结工艺进行了优化,并从理论上探讨了升温速度、烧结温度、保温时间及冷却速度影响氧化锌压敏电阻片电位梯度的机理。试验结果表明,连续缓慢升温至1200℃保温3h,随炉冷至室温的烧成制度有利于获得优异的电性能。