La0.67 Ca0.33 MnO3和La0.67 Ba0.33 MnO3中Dy的置换作用

在La0.67Ca0.33MnO3和La0.67Ba0.33MnO3中用Dy对La进行了置换研究。结果发现，随掺Dy量的增加，两类材料的居里温度和金属-绝缘体相变温度单调下降，峰值电阻率单调增加。在Ca系样品中，掺入13％的Dy后，在5T的磁场下，最大磁电阻比达到7900％。在Ba系样品中．掺Dy对磁电阻的影响要小得多。掺Dy对材料性质的影响可以用晶格效应来解释，但晶格效应产生的作用与碱土离子的品种有明显关系。     

Irreversible Colossal Magnetoresistance in La0.58Dy0.09Ca0.33MnO3

The representative sample La0.58Dy0.09Ca0.33MnO3 of Dy doped La0.67Ca0.33MnO3 rare-earth manganites was investigated.The most important effect of Dy doping is to introducethe magnetoimpurity and form the spin clusters which induce dramatically large CMR in Lao.58Dyo.09Cao.33MnO3. The fitting results of field-induced resistivity decrease to the Brillouin function indicate that the CMR is caused by the spin dependent hopping between spin clusters. It is the magnetic field that reduces the size of spin clusters and induces a field-induced irreversible CMR behaviour.     

La0.67Sr0.33MnO3中Bi的掺杂效应

将Bi2O3掺杂到用溶胶—凝胶法制备的La0.6Sr0．33MnO3(LSMO)微粉中,XRD测量结果证实有过量的Bi析出。随着Bi掺杂量的增加,LSMO／(Bi2O3)x/2材料电阻率发生明显变化,在x=(0—0．10)摩尔比的掺杂范围内,电阻率先上升后突然下降。当X=0．1时,电阻率比未掺杂样品下降了一个数量级。Bi掺杂对低温和室温磁电阻有着完全不同的影响。低温下,随掺杂量增加,磁电阻下降;室温下Bi的微量掺杂可以使磁电阻增大,掺入x=0.03Bi使室温磁电阻由-4.4％提高到-5．6％。     

Lattice Effects and Irreversible Magnetoresistance in Gd Doped La—Ca—Mn—O

The Gd substituting effects for La in La0.67Ca0.33MnO3 has been studied .With increasing the substituting amount of Gd,the phase transition temperature of metal-isolator for the samples decreases,the corresponding peak resistivity increases,the Curie temperature decreases monotonically.The substitution of La-Ca-Mn-O with 11% Gd for La improved the magnetoresistance ratio by an order of magnitude.The effects of substituting Gd can be explained in terms of the lattice effects.An irreversible MR behaviour was observed in Gd-substituting compounds.This effect became marked when the substituting amount of Gd was greater than 7%.A maximum irreversible increment of MR ratio as large as 91% was obtained when Gd substituting amount was 11%.     

Ti掺杂对La0.67Ba0.33MnO3磁性和磁电阻影响

系统地研究了Ti掺杂对La0.67Ba0．33MnO3颗粒材料磁性、电性和磁电阻效应的影响，随着Ti含量的增加，材料的磁化强度和居里温度快速下降，电阻率急剧增大，电阻率的峰值逐渐向低温移动。Ti的掺杂对材料低温下低场磁电阻影响不大，主要是显著提高了材料的本征磁电阻。1％的Ti掺杂使材料的室温磁电阻得到显著增强，1T磁场下，室温磁电阻达到-8．4％，比未掺杂的La0.67Ba0．33MnO3材料增强了50％。     

Al3+离子替代La0.67Ca0.33MnO3体系的结构和输运行为研究

系统研究了Mn位替代的La0.67Ca0.33Mn1-xAlxO3体系的结构和输运特性.结果表明,随Al3+替代含量的增加,在整个替代范围内,晶胞体积表现出单调减小的规律.而体系的电阻率急剧增加,绝缘体-金属转变温度TIM向低温方向移动,且与Al3+替代含量存在线性关联.对少量Al3+替代含量,在T＞TIM的高温区域体系的输运特性满足热激活模型,在T＜TIM的低温区域满足金属输运行为.这种输运行为随Al3+替代的变化特征,可从Al3+离子对Mn3+-O2--Mn4+双交换通道的破坏和所导致的晶格畸变方面给予解释, Al3+替代改变了电子的局域环境,进而影响到体系的输运行为.     

Nb5+的掺杂对La0.67Sr0.33MnO3磁性和传输性的影响

将用溶胶-凝胶法制备的La0.67Sr0.33MnO3(LSMO)微粉与(Nb2O5)x/2粉在1100℃下混合烧结,形成了具有钙钛矿结构的锰氧化物与LaNbO4的复合体系,x是掺入的Nb5 离子与母体材料的摩尔比.在x=0.07的样品中得到最大电阻率为23.74 Ω·cm,比LSMO 高三个数量级.Nb5 离子的掺杂使样品的低场磁电阻(LFMR)和高场磁电阻(HFMR)效应都有所增强.77 K下,0.1 T和1 T磁场下在x=0.07 样品中分别得到24 % 和33.8 %的磁电阻效应,是LSMO样品的2倍和1.7倍.室温下x=0.05样品的磁电阻最大,为9 %.其中,LFMR来源于颗粒晶界处电子的自旋相关隧穿及散射作用,而HFMR来源于表面层的自旋非共线结构.     

Ag／La0.67Sr0.33MnO3/Pt异质结构的电阻开关特性

采用脉冲激光沉积技术在Pt／Ti／SiO2／Si（100）衬底上制备出多晶La0.67Sr0.33MnO3（LSMO）薄膜,对其电脉冲致非挥发可逆电阻开关特性进行研究．结果表明,Ag/LSMO／Pt结构具有明显的室温电脉冲诱发电阻开关特性,且在宽电压脉冲作用下表现出较低的开关电压和较快的变阻饱和速度．由此可见,总脉冲能量或电荷（电流作用）为该结构的电阻开关效应提供驱动力．对Ag／LsMO／Pt结构进行了耐久性测试,表明该结构具有良好的疲劳特性与保持特性,可应用于新型不挥发存储器、传感器及可变电阻等电子元器件的研制     

La0.67 Sr0.33 MnO3外延薄膜的电脉冲诱发可逆变阻效应

采用脉冲激光沉积技术在SrTiO3,(001)单晶衬底上制备出钙钛矿结构La0.67 Sr0.33 MnO3,(LSMO)外延薄膜,通过X射线衍射仪和原子力显微镜表征其晶体取向与表面形貌,并对Ag-LSMO结构的室温电脉冲诱发可逆变阻效应进行研究.结果表明,在±4V、50ns对称脉冲作用下,LSMO膜层电阻发生高低转变,且变阻范围随脉冲幅值电压、脉冲宽度、脉冲数日等参数的变化而变化.该效应表现出良好的疲劳特性与非挥发存储特性,有望应用于新型不挥发存储器、传感器、可变电阻等电子元器件的研制.     

SnO2:F沉积的La0.67Sr0.33MnO3薄膜的电阻开关特性研究

采用脉冲激光沉积技术在SnO2:F(FTO)衬底上制备了La0.67 Sr0.33 MnO3( LSMO)薄膜.室温下利用直流电压对Au/LSMO/FTO三明治结构的器件进行了电化学测试.结果显示样品具有明显的双极性电阻开关性能.通过对I-V特性曲线进行分析,认为在高阻态时肖特基势垒和空间电荷限制电流输运机制调控.在高场区,电阻开关的高低阻态现象由电子陷阱中心分布的不对称引起的空间电荷限制电流理论来解释.     

大磁电阻材料La0.67Ca0.33Mn1-xNixO3的研究

我们制备了La0.67Ca0.33Mn1-xNixO3氧化物材料,测量了热磁曲线,其居里温度随镍含量增加而减少,这是由于Mn^3 /Mn^4 双交换作用随镍对锰的替代减弱的结果。测量了材料的大磁电阻效应,并利用迪尼模型计算分析了含镍材料在零场以及磁场为6T下电阻随温度的变化关系。实验与计算对照结果表明：迪尼模型可以很好地描述对应于铁磁／顺磁相变的电阻峰值现象。     

Nb5+的掺杂引起La0.67Sr0.33MnO3增强的磁电阻效应

将Nb2O5掺杂到用溶胶-凝胶法制备的La0.67Sr0.33MnO3(LSMO)微粉中,XRD测量结果表明所有样品均为单相菱面结构.随着Nb5 掺杂量的增加,材料电阻率发生显著变化.在x=0.06的掺杂样品中得到最高为1110Ω·cm电阻率(x是掺入的Nb离子与母体材料的摩尔比),比LSMO高5个数量级,这是由于晶界处以及颗粒内部增加的自旋相关的散射和隧穿效应所致.Nb5 离子的掺杂使样品的低场磁电阻(LFMR)和高场磁电阻(HFMR)效应都有所增强.77K下,0.1和1T磁场下在x=0.07样品中分别得到25%和42%的磁电阻效应,分别是LSMO样品的2倍和1.7倍.室温下x=0.03样品的磁电阻最大,为7%.其中,LFMR来源于颗粒晶界处电子的自旋相关隧穿及散射作用,而HFMR来源于表面层的自旋非共线结构.     

Mn代替代对La0.67Ca0.33MnO3电磁特性和磁电阻的影响

主要就Mn位用不同元素替代对La0 6 7Ca0 3 3 MnO3 磁性、输运行为和磁电阻的影响的实验结果作比较研究 ,证明Mn位元素替代可能是提高和调制锰氧化物CMR效应的一种有效方法     

La0.67Ca0.33MnO3/YBa2Cu4O8/La0.67Ca0.33MnO3三层膜的时间效应研究

报导了La0.67Ca0.33MnO3/YBa2Cu4O8/La0.67Ca0.33MnO3薄膜中超导特性的时间效应.样品在空气中存放11个月后,超导转变温度都降低,而且每个系列样品的临界厚度增加.对用La0.67Ca0.33MnO3作保护层的YBa2Cu4O8薄膜进行时间效应测量,结果表明当La0.67Ca0.33MnO3层的厚度大于40nm时可以防止水对YBa2Cu4O8薄膜的影响.     

La0.67Sr0.33Co1-xFexO3体系的输运行为

研究了Co位Fe掺杂对La0．67Sr0．33Col—xFexo3体系的电输运性质和超大磁阻效应的影响．实验结果表明：在低掺杂(x≤0．1)时电阻率表现出金属性输运行为，在高掺杂(x＝0．2和0．3)时则为半导体行为．Fe掺杂削弱了Te处的MR峰值，但增加了低温下(T《Te)的MR值．La0．67Sr0．33Col—xFe2o3体系的磁电阻的起源可由外加磁场导致的自旋态转变来解释。