宽范围 CMOS差分式双端输入-输出电流传输器

基于宽线性跨导及共模检测电路,设计了一种改进型差分式双端输入-输出电流控制电流传输器电路(DIDOCC)。该全差分式电路具有电流控制功能,并能抑制偶次谐波和共模干扰。仿真结果表明,在-1.5～+1.5V供电电压下,总静态电流约为300μA,X1、X2端差分电压输入动态范围为-0.9～0.9V。基于DIDOCC电路,设计了一种全差分二阶滤波器,仿真结果与理论值较为吻合。文中所有电路均基于0.25μmCMOS工艺。     

一种片上集成低压高精度电流检测电路

提出了一种应用于电流模PWM DC-DC转换器的片上集成电流检测电路.它利用检测电阻和检测晶体管的结合,实现电感电流的检测;同时,在I-V转换电路中,运用结构简单的电流镜连接的共栅放大器实现反馈控制.在10～600 mA电感电流范围内,都可以得到高精度的检测电流,最小检测误差为0.04%.该电路在VTHN=0.735 V、|VTHP|=0.941 V的0.5 μm 1P2M CMOS工艺条件下,电路最低工作电压为1.5 V.     

一种基于电流型PWM控制的放大器

提出一种基于电流型的PWM(脉宽调制)控制的放大器,该电流型放大器通过直接控制外电路电感电流峰值的大小,间接地控制PWM脉冲宽度。该放大器反馈电路中采用电压外环和电流内环,保证控制器的瞬态电流峰值跟随误差信号而变,并对电流采样电路优化设计使其具有一定的箝位功能。Cadence Spectre仿真结果表明:该电路增益为3 V/V,同相端最大输入信号电压为0.96 V,传输延迟仅为145.78 ns,仿真测试表明该电路完全达到设计指标要求。     

1.5V工作电压带隙基准电路的设计

在分析传统带隙基准电路的基础上,提出一种采用电流模式结构的低电压带隙基准电路。该电路能够输出200mV~1.25V的宽范围的电压,并使用了与电源无关偏置以及带负反馈网络的二级运放,提高了输出电压的精度。采用CMOS0.35μm工艺实现时,工作电压可在1.1V~1.5V。Hspice仿真结果表明,工作电压为1.5V时,电路的有效温度系数为14ppm/℃。     

一种高温度性能的CMOS带隙基准源

提出了一种正负温度系数电流产生电路,使用分段线性温度补偿技术用于传统的电流模式基准电路中,改善CMOS带隙基准电路在宽温度范围内的温度漂移.采用0.18μm CMOS混合信号工艺,对该电路进行了设计.在1.8V的电源电压条件下,基准输出电压为0.801 V,温度系数在-40℃-125℃范围内可达到2.7ppm/℃,电源电压从1.5V变化到3.3V的情况下,带隙基准的输入电压调整率为1.2mV/V.     

一种瞬态增强的无外接电容LDO电路设计

设计了以增强型AB跟随器作为缓冲级的带瞬态增强电路的线性稳压器(LDO)。在保证LDO环路稳定性的同时,将增强型AB跟随器的偏置电流改为动态偏置电流,同时加入瞬态增强电路来改善系统重载到轻载来回跳变时的瞬态性能。仿真结果表明,该稳压器输入电压2.7~5 V,输出电压2.5 V,压差200 m V,电路空载时静态电流18μA,最大负载电流100 m A;在输出电容为100 pF时,负载电流以99×10~(–3)A/μs跳变,输出电压下冲和过冲分别为89 m V和110 m V,均在1.5μs内恢复稳定。     

一种低温度系数曲率补偿带隙基准电路

设计了一种输出电压为0.72 V、带曲率补偿的带隙基准电路,该电路适用于收发器等数模混合电路。基于SMIC 0.18μm CMOS工艺,对电路进行了仿真和测试。结果表明,电路工作在1.5 V电源电压下时消耗100μA的电流,在1.3~1.8 V电压下以及-40℃~125℃温度范围内,可获得1.12×10-5V/℃的温度系数,电源抑制比为84 dB。     

一种大电流DDR终端线性稳压器的设计北大核心

设计了一款可吐纳3 A大电流的跟踪终端线性稳压器。该稳压器采用双电源供电,降低了芯片的功耗。内部误差放大器采用轨到轨输入结构设计,拓展了稳压器输入共模电压范围;同时采用跨导线性环电路结构和简单补偿电路结构的设计,使其在负载突变时提供快速的负载瞬态响应,减小输出过冲。输出级上下功率管采用NMOS推挽式输出,可提供1 A/2 A/3 A的大电流,极大提高了稳压器的带载能力。该稳压器能够满足DDRⅠ/Ⅱ/Ⅲ和低功耗DDRⅢ/Ⅳ总线终端对电源供应的要求。采用华虹0.35μm工艺流片,在两个输入电压V_(IN)、V_(LDOIN)分别为5 V、2.5 V条件下进行测试,输出/吸收3 A负载电流时,输出稳定在1.25 V。     

一种新型滞环电流控制电路的设计

传统的滞环电流控制电路通过共基极差分放大器采样电流信号,放大器的偏置电流会对检测电流有较大影响.提出了一种新型滞环电流控制电路,其采用宽共模输入电压范围的比较器结构,电流检测信号从双极型晶体管基极输入,能有效减小对检测电流的影响.该电路在25 V 1.5μm BCD工艺下设计实现,运用在白光LED恒流驱动芯片之中.仿真结果表明该电路的共模输入电压范围为5～25 V,从检测电流吸收的偏置电流不超过308 nA,能较好地完成恒流控制的功能.     

使开关稳压IC输出电流增大到12倍的双极晶体管

图1所示电路采用最少的外部元件,就可使0.5A补偿型开关稳压集成电路的最大输出电流提高到6A以上。该电路适用于15V～60V输入电压,根据所选开关稳压集成电路的不同,可提供3.3V、5V或12V三种输出电压。图2是在高达60V的输入电压范围内绘制的三种标准输出电压的转换效率曲线。该电路适用于要求输出电流、输入电压比标准集成电路高,或     

数显式多用途稳压电源

本文介绍的这种稳压电源,具有24V、18V、15V、12V、9V、6V、5V七组电压输出,输出电流为1.5A,任一组电压输出均具有数字显示,醒目直观。1.电路原理该稳压电源电路如图1所示。220V电压经变压器T降压,在次级获得约30V电压,再经D1～D4桥式整流,C1     

基于常数跨导轨到轨运算放大器的新型电荷泵

针对传统电荷泵电荷共享引起的输出电压波动、充放电电流失配引起的电路杂波问题,设计了一种新型电荷泵。该电荷泵电路采用常数跨导轨到轨运算放大器,降低了电荷共享引起的输出电压波动;采用基于全差分放大器的负反馈结构,解决了充放电电流失配的问题。基于SMIC 0.18 μm CMOS工艺,利用Cadence软件完成了电路的设计与仿真。结果表明,在0.5～1.5 V输出电压范围内,该电荷泵充放电电流失配小于2%;与传统电荷泵相比,该电荷泵输出电压的波动减小了1.5 mV,并且采用该电荷泵的锁相环输出频谱噪声减小了10 dB。     

一种用于嵌入式闪存的低压灵敏放大器(英文)

提出了一种适合于低电压嵌入式闪存的灵敏放大器。该灵敏放大器采用了增强电流感应的方法,使得电源电压可以降到1.5V及其以下。灵敏放大器中采用的动态位线箝位电路可以提高位线预充速度并减小功耗。本电路在0.13μm的Flash工艺中实现。测试结果表明:提出的灵敏放大器在电源电压为1.5V时,访问时间是25ns;在电源电压为1.2V时,访问时间是32ns。     

千兆以太网卡芯片时钟产生电路的设计与实现

本文介绍了千兆以太网卡芯片时钟产生电路的设计,包括体系结构设计、系统设计与仿真、电路设计与仿真,及版图设计。该时钟产生电路的工作电压为1.5V,经过TSMC0.13μm1P8MCMOS工艺验证,表明该电路能够满足千兆以太网卡芯片的要求。本文介绍了千兆以太网卡芯片时钟产生电路的设计,包括体系结构设计、系统设计与仿真、电路设计与仿真,以及版图设计。该时钟产生电路的工作电压为1.5V,经过TSMC0.13μm1P8MCMOS工艺验证,表明该电路能够满足千兆以太网卡芯片的要求。     

一种面向单片DC/DC的低压高效片上电流检测技术

本文提出并实现了一种面向电流模式单片开关DC/DC转换器的低压高效片上电流采样电路.该电路利用功率管等效电阻电流检测技术和无需OP放大器的源极输入差分电压放大技术,使电路的应用范围可低达2.3V;-3dB带宽12MHz;在最大负载电流情况下的静态电流峰值仅19μA,比常规采用功率管镜像电流检测技术的静态电流峰值低1.5个量级左右.转换器基于0.5μm 2P3M Mixed Signal CMOS工艺设计制作.测试结果表明,电流检测电路的最大检测电流1.1A,转换器的输入最低电压2.3V,重负载转换效率高于93%.     

弛张振荡器在高精度体温计芯片中的应用

设计了一款基于弛张振荡器的温度测量电路,通过参考/感应振荡器电路,将热敏电阻的阻值变化转变成数字化的频率信号送系统处理。弛张振荡器使用了具有施密特触发器相同功能的RS触发器,降低了芯片对工艺的要求,便于在低电压和宽温度范围正常工作。该温度测量电路被成功地应用于一款便携式电子体温计芯片,芯片采用0.5μm 1.5 V DMSP CMOS工艺,面积为1 250μm×1 260μm,在1.1 V的低电压下测量精度高达0.05°C,工作电流为30μA,待机电流为0.2μA。     

模拟器件倾力便携化

结合PDA、无线通信终端和普通电话数据连接服务的装置成为目前便携产品发展的主流.与过去便携化的要求不同,产品设计已不仅仅是保证便携,且更需功能的增强和融合.迎合这一趋势的模拟新产品包括输出电流较大的高效率DC/DC变换器、以3V电源供电的各类模拟电路以及配合3V电源主流化以升压方式取得辅助5V电源的电路等.     

IR 1176同步整流集成电路由IR公司推出

国际整流器公司(IRF)推出专用同步整流集成电路IR1176。该产品能简化和改善隔离式直流-直流变换器设计,将其输出电压降至1.5V,全面提高电信及宽频网络服务器的效率。 IR1176同步整流集成电路辅之以直流-直流变换器专用HEXFET功率MOSFET(如IRF7822),即可提高1.5V及1.8V直流-直流变换器的额定效率,在输入电压48V,输出1.5V和1.8V在40A电流下的电路内效率分别达85%和86%。IR1176能加强对栅驱动器电路的控制,减少隔离式直流-直流变换器同步整流MOSFET的副边损耗。     

某24V系统车载终端电磁兼容测试和整改

某24 V系统车载终端进行电磁兼容测试时,沿电源线的电瞬态传导抗扰度及辐射发射项目不合格。采取增加内部电源切换电路、优化DC/DC变换器和电源模块的设计、调整滤波电路以及金属壳体接缝处使用导电泡棉的措施后,该24 V系统车载终端的电磁兼容测试符合GB/T 32960.2-2016的要求。     

一种用于同步Buck变换器的自适应反流检测电路

提出了一种用于同步整流Buck电路的自适应反流检测(AZCD)电路,能够有效限制Buck变换器在DCM模式下出现电感电流的倒灌现象,以实现低EMI和高能效。与传统反流检测电路不同,该电路能够在Buck变换器输出电压变化的情况下保证功率下管的关断准确性。在0.35 μm BCD工艺下,对该电路进行仿真验证。结果表明,在1 MHz开关频率、输出电压从1.5 V变化到3.5 V的情况下,Buck变换器中功率下管的关断误差可以控制在1 ns以内。此外,在负载电流从12.5 mA变化到50 mA的情况下,该AZCD电路可以使Buck变换器效率提升约1%。