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1.
本文运用指数集的概念,得到了任意有限域GF(q)(q=pm)上L级m-序列的多项式序列的线性复杂度,并导出了一类可控序列线性复杂度的上界,这个上界很可能是紧上界。当域特征p=2时,这类序列线性复杂度的上界为L+12[(L+1)m-1],下界为[(L+1)m-1]。 相似文献
2.
α—(SbxFe1—x)2O3半导体的固溶与导电机制的相关性 总被引:1,自引:0,他引:1
用化学共沉淀法,经热处理制得n型半导体α-(SbxFe1-x)2O3。XRD分析确证0≤x≤0.2是固溶体。实验发现在x≤0.03区间内材料电阻降低幅度很大,而在x=0.03 ̄0.2区间的电阻却缓慢上升,根据体系中存在SbFe^x→SbFe^-+2e缺陷平衡,讨论其原因和导电机制;相应於此缺陷平衡的Sb^3+和Sb^5+的含量由XPS分析予以证实。 相似文献
3.
Au/Sn与p—HgCdTe的欧姆接触 总被引:3,自引:1,他引:2
研究了双层金属结构Au/Sn与p-HgCdTe上的接触电阻,实验测得Au/Sn与p-Hg1-xCdTe(x=0.217,0.41)的经接触电阻,ρc(295K,77K)为10^-2~10^4Ω.cm^2将这种电板接触应用于Hg1-xCdxTe(x=0.23)光伏器件,测得pn结I-V特性的正向斜率为12.6Ω即电极接触电阻小于12.6Ω。 相似文献
4.
设计、研制了一种工作在L波段的GaAs单片低噪声放大器。该放大器在HP-8510B网络分析仪和HP-8970B自动噪声仪上的测试结果为:1.1~1.5GHZ频段,NF≤2.0dB,G≥18dB,VSWR(in,out)≤2:1,增益起伏≤0.5dB;在1.5~2.0GHZ频段NF≤2.5dB,G≥18dB,VSWR(in,out)≤2:1,增益起伏≤±0.5dB。 相似文献
5.
用二次离子质谱对As+注入Si1-xGex的快速退火行为进行了研究,Si1-xGex样品中Ge组分分别为x=0.09,0.27和0.43,As注入剂量为2×10^16cm^-2,注放能量为100keV,快速退火温度分别为950℃和1050℃,时间均为18秒,实验结果表明,Si2-xGex样品,As浓度分布呈组分密切相关,Ge组分越大,As扩散越快,对于Ge组分较大的Si1-xGex样吕,Asdispla 相似文献
6.
对1.3μm和1.55μm波长的Si1-xGex波长信号分离器(WSD)和Si1-xGex/Si应变超晶格(SLS)红外探测器的集成结构进行了系统的分析和优化设计.优化结果为:(1)对Si1-xGexWSD,Ge含量x=0.05.波导的脊高和腐蚀深度分别为3μm和2.6μm.对应于λ1=1.3μm和λ2=1.55μm波长的波导脊宽分别为11μm和8.5μm.(2)对Si1-xGex/SiSLS探测器,Ge含量x=0.5.探测器的厚度为550nm,由23个周期的6nmSi0.5Ge0.5+17nmSi组成. 相似文献
7.
卫星用AlGaAs/GaAs太阳能电池 总被引:1,自引:1,他引:1
介绍了GaAs太阳能电池的基本原理,结构设计和制作工艺。用水平液相外延一室分离多片旬延石墨舟研制了p-AlxGa1-xAs/p-n-GaAs结构的太阳能电池。在AMO,100mW/cm^225℃的测试条件下,开路电压(Voc)为994mV,短路电流密度为23.2mcm^2,填充因子(FF)为0.794,光电转换这18.25. 相似文献
8.
PDABS-1[5-(2-硫甲基-4-甲基)-嘧啶基-戊二炔-1-醇-4-N,N二甲氨基偶氮苯-4'-磺酸酯]THF溶液的三阶光学非线性极化率χ^(3)的Z-扫描测试显示在单光子吸收区附近该材料的非线性由饱和吸收所支配。在波长为532nm,脉宽为100ps的激光作用下,其非线性极化率实部Reχ^(3)为-4.200×10^-9esu,对应的非线性折射率值n2为-1.299×10^-11esu〈0, 相似文献
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10.
一类可控序列的构造和分析 总被引:1,自引:0,他引:1
本文通过利用GF(2^m)(m≥2)上L级m序列来控制其上的L级m序列的方法,构造出了一类具有较高线性复杂度的周期序列,这类序列的线性复杂度的下界为L(L+1)^m-L^m)。 相似文献
11.
用二次离子质谱对As+注入Si(1-x)Gex的快速退火行为进行了研究.Si(1-x)Gex样品中Ge组分分别为x=0.09,0.27和0.43.As+注入剂量为2×10(16)cm(-2),注入能量为100keV.快速退火温度分别为950℃和1050℃,时间均为18秒.实验结果表明,Si(1-x)Gex中As的扩散与Ge组分密切相关,Ge组分越大,As扩散越快.对于Ge组分较大的Si1-xGex样品,As浓度分布呈现“盒形”(box-shaped),表明扩散与As浓度有关.Si1-xGex样品中As的快 相似文献
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13.
本文讨论了M序列的自相关性,并证明了:当0<|t-2^n-1|≤[n-1/2]时,|CM(t)|≤2^n-1。 相似文献
14.
15.
根据普适参数紧束缚方法得到的最近邻对原子相互作用能以及改进的Kikuchi近似,我们计算了合金(GaSb)1-xGe2x,(InP)1-xGe2x的亚稳相图,在计算亚稳相图时,Ge原子取为无序分布以消除相分离,对于亚稳合金(GaSb)1-xGe2x,相应于亚稳有序无序相转变点的临界转变浓度X0为0.26,对于亚稳合金(InP)1-xGex,x0为0.16,计算机值及实验值符合较好,根据关联虚晶近似 相似文献
16.
本文提出了一种用于高速多路波分复用(WDM)陆上级联掺铒光纤放大器(EDFA)光纤通信系统的色散补偿方案,其特点是:利用特殊设计的色散位移光纤SDDSF(零色散波长λ0≈1.6μm,色散斜率S_0=0.05ps/km/nm2),在1550nm处产生-2~-4ps/km/nm的色散,以避免ITU-TG.653色散位移光纤在多路复用时的四波混频(FWM)效应;并利用ITU-TG.652标准单模光纤(非色散位移光纤NDSF)在1530~1570nm(EDFA工作带宽)范围内,有效地补偿SDDSF所引入的负色散。此方案可使单路数据率高于10Gb/s的波分复用系统,经1000km传输后因色散引入的眼图恶化量仍<1dB。 相似文献
17.
采用分布电路原理、CAD技术和微带电路技术,制作出多倍频程超宽带放大器。其主要技术参数为,f=2~18GHz,G_p≥30dB,△G_p≤±3dB,F_n≤7dBm,P_(-1)≥+10dB,VSWR≤2.5:1。 相似文献
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采用低温生长缓冲层,高温生长GeSi外延层的方法在n型Si衬底上外延生长(i)Ge0.85Si0.15-(p)Si层,以此材料作为吸收区制备成GeSi/Si异质结pin台面光电二极管。其波长范围为0.7-1.55μm,峰值波长位于1.06μm,暗电流密度低达0.033μA/mm^2(-2V),在1.06μm和1.3μm处的响应度分别为1.8A/W(-2V)和0.066A/W(-V)。 相似文献