高稳定性数控恒流器件

介绍一种数控恒流器件。它具有Ｄ／Ａ转换功能,采用模块结构,最大输出电流ＩＯ可达２Ａ。样管的ＩＯ变化范围０～２Ａ;电流温度系数为（０．１～２．０）×１０－５℃－１;电流稳定度为（０．１～１．０）×１０－４Ｖ－１;起始电压低于０．５Ｖ;体积小、功率损耗低。     

0.1A～8A高稳定性恒流器件研究

提高温度稳定性和展宽恒定电流范围是当前恒流器件应用中的两个突出问题。现有根据长沟道场效应原理制备的两端恒流器件,由于工作机理限制已难指望在上述问题上取得有效的进展。本文介绍一种恒流源电路的模块设计思路,新近研制了在很宽电流范围内连续可调的新恒流器件。测试结果表明,该器件样管的输出电流可达0.1A～8A,电流温度系数低达10-4/℃10-5/℃。起始电压低于0.4 V,是一种输出电流范围又宽、稳定性又高的高性能器件。     

3DH系列可调恒流管性能和原理分析

本文分析了一种新型恒流器件的特性和原理,由于采用恒流二极管供流和实现最佳温度补偿获得了非常稳定的输出电流。器件的动态阻抗大,电流温度系数H10-4/℃,恒定电流IH在5--500mA范围内具有连续可调等优点。     

适合计算机接口的数控恒流器件研究

简述了以串行方式输入８位数字信号,最大可控电流为２Ａ的数控恒流器件的设计思想和性能。该器件不仅输出电流可调范围宽,允许工作电压变化范围大,电路接口与ＴＴＬ兼容,而且体积小,调节方便。     

20μm高灵敏浸没型碲镉汞红外探测器

报道了一种新型高灵敏浸没型ＨｇＣｄＴｅ红外探测器的研制，获得了Ｄ＾＊＝１．４６×１０＾１１ｃｍＨｚ＾１／２Ｗ＾－１，Ｒ＝６０８Ｖ／Ｗ，λｃ（２０％）－２０μ，灵敏元面积Ａ＝０．１２×０．１２ｍｍ＾２，和有效通光孔径ψ＝６ｍｍ的浸没型器件。     

砷注入碲镉汞光电二极管及其电学特性的等效分析

通过对碲镉汞材料进行Ａｓ＾＋注入以及退火，成功地制备Ｐ－ｏｎ－Ｎ型光伏器件。器件的截止波长为５．５μｍ，黑体探测率Ｄ＾＊（５００Ｋ，１Ｋ，１００）可达２．１×１０＾１０ｃｍＨｚ＾１／２Ｗ＾－１。通过对器件的变温电流－电压关系的测量，利用等效电路进行拟合后，我们发现，限制器件优质因子ＲｏＡ的主要因素是并联电阻。估计此并联电阻可能由表面漏电和体缺陷引起。     

Au／Sn与p—HgCdTe的欧姆接触

研究了双层金属结构Ａｕ／Ｓｎ与ｐ－ＨｇＣｄＴｅ上的接触电阻，实验测得Ａｕ／Ｓｎ与ｐ－Ｈｇ１－ｘＣｄＴｅ（ｘ＝０．２１７，０．４１）的经接触电阻，ρｃ（２９５Ｋ，７７Ｋ）为１０＾－２～１０＾４Ω．ｃｍ＾２将这种电板接触应用于Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（ｘ＝０．２３）光伏器件，测得ｐｎ结Ｉ－Ｖ特性的正向斜率为１２．６Ω即电极接触电阻小于１２．６Ω。     

一种单片12位逐次逼近型A／D转换器研究

本文介绍了一种单片１２位逐次逼近型Ａ／Ｄ转换器。它能在小于６μｓ的转换时间内净０－１０Ｖ或－５－５Ｖ输入的范围的模拟电压转换成相对应的１２位数字输出在码。电路采用ｐ－ｎ结隔离标准３μｍ双极工艺制作，在－４５－＋８５℃温度范围，电路的线性误差和微分线性误差皆小于０．０１２％ＦＳＲ。     

高压、可调恒流LED驱动器MAX16800及其应用

MAX16800是MAXIM公司2005年8月份推出的新器件,是一种可工作于高电压、可设定恒流输出的高亮度白色LED驱动器。该器件主要特点:工作电压范围6.5～40V;恒流输出范围35～350mA;输出电流精度可达±3.5%;内部集成了低压差恒流调整管,其压差典型值为0.5V;另有输出5V、4mA线性稳压器给内部电路供电;过热关闭保护;外部有电流检测电阻及内部差动电流检测放大器,形成控制回路,使LED电流稳定;有EN端作选通及输入PWM信号作调光(EN接低电平时,耗电典型值12μA);小尺寸有加强散热功能的16管脚T Q F N封装;工作温度范围-40～+125℃。该器件主…     

一种恒流输出大屏幕LED驱动CMOS芯片的电路设计

LED显示屏已经成为各类户外户内的广告宣传展示的首选媒介。LED以其寿命长,功耗低节能环保的优点,深受照明和显示行业的欢迎。因此,LED的驱动芯片在市场上也有很大的需求。本文介绍了一种恒流输出大屏幕LED驱动CMOS芯片的设计,工作电压范围是3.3V-5.5V,工作温度范围是-40℃-125℃。该驱动芯片对恒流输出和各路匹配性进行针对性的设计。以外接电流共同调节16路恒流电流大小,串行数字输入输出分别控制16路使能状态,使能端输入PWM信号,对恒流输出进行脉宽调节。该芯片使用HSPICE软件仿真工具设计,并采用HYNIX0.5μm工艺制作,测试验证结果表明,各路恒流输出位间电流误差最大为±2%.     

恒流二、三极管的特性及其应用

恒流二极管和恒流三极管是许多爱好者不太熟悉的半导体器件。它们都能在很宽的电压范围内输出恒定的电流,并有很高的动态阻抗。由于其温度特性好、价格较低、使用方便,因此目前被广泛用于恒流源、稳压源、放大器以及电子仪器的保护电路中。一、恒流二极管和三极管的性能特点1.恒流二极管的性能特点恒流二极管实际由两端结型场效应管连接而成,其电路     

空间用1.6μmHg1—xCdxTe室温光伏探测器

报道敢采用改进的区熔工艺生长的三元系金属化合物半导体ＨｇＣｄＴｅ材料研制的短波光伏探测器，其工作温度为室温，在响应波段１．５８－１．６４μｍ内探测率优于３．０×１０＾－１１ｃｍＨｚ＾１／２Ｗ＾－１，量子效率达７０％。暗电流主要受制于扩散电流与产生复合电流，器件经环境模拟试验，定标与联试，完全符合空间工程应用的要求。     

高功率1.31μmAlGaInAs应变多量子阱DFB激光器

采用金属有机化学汽相淀积工艺和脊型波导结构,同１．３１μｍＡｌＧａＩｎＡｓ／ＩｎＰ应变多量子阱分布反馈激光器高功率输出。在２５℃时,管芯最大输出功率超过５０ｍＷ,阈值电流范围在１３－２０ｍＡ之间,发光面斜效率高于０．４５ｍＷ／ｍＡ,边模抑制比超过３５ｄＢ,室温中值寿命大于３＊１０＾５小时。     

带过温保护功能的LED恒流驱动电路设计

本文设计了一种带过温保护功能的LED恒流驱动电路。该电路由恒流驱动模块和温度传感模块组成,能在设定温度下同时控制两个开关NMOS管,实现过温保护功能。恒流驱动模块采用的方案能够有效降低恒流工作电压并实现利用外接电阻控制恒流输出的大小,驱动电流范围为54.26mA到258.24mA。当驱动电流为258.24mA时,恒流工作电压仅为0.35V。在LED电源电压正负变化10%范围内,驱动电流变化小于5%。温度传感模块利用PTAT(与绝对温度成正比)电压与基准电压比较,产生关断信号,关断温度在60℃~100℃范围内可由外接电阻设定。     

（YbTbBi）3Fe5O12块状单晶生长及其磁学性能

用且熔剂法生长出（ＹｂＴｂＢｉ）３Ｆｅ５Ｏ１２块状单晶，测量了该单晶在１．０～１．７μｍ范围的Ｆａｒａｄａｙ旋转谱及透射谱，当温度为１０～８０℃，λ＝１．５５μｍ时，测得该单晶的Ｆａｒａｄｙ旋转温度系数为２．０×１０＾－２（°）．ｍｍ＾－１．Ｋ＾－１，所得结果表明：（ＹｂＴｂＢｉ）３Ｆｅ５Ｏ１２单晶既有较大的Ｆａｒａｄａｙ旋转角，又有很小的温度系数。     

高精度闭环数控恒流源的设计

本文设计的高精度闭环数控恒流源，以单片机为核心，采样实际输出值经A/D转换反馈回单片机，经分析、处理后与预置值进行比较，采用PI调节控制D／A输出的电压值并调整负载电流的大小，形成外部闭环动态的误差调整，消除电路中的静止误差，实现高精度的恒流输出。其中，扩流模块采用达林顿管放大电流，达到2A的恒流输出要求，电源模块采用开关电源的设计方法，电流取样采用具有高稳定性阻值的锰铜电阻比作为取样电阻，最后通过软件分析、校正，最终达到精度高、实时性强、稳定度高、输出范围宽的目的。     

In0.53Ga0.47As表面钝化及降低界面态密度的方法

采用ＰＥＣＶＤ技术，以ＴＥＯＳ为源，对Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ材料进行表面钝化，研究了ＳｉＯ２／Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ的界面态，提出降低界面态密度的方法，使其降低到８．５×１０＾１０ｅＶ＾－１ｃｍ＾－２。     

高灵敏度穿通型异质结光电晶体管

报导了一种带有独特隔离环结构的宽禁带发射区平面穿通型光电晶体管（ＧＲ－ＰＴＨＰＴ），在弱光信号下具有高灵敏度。器件工作时基区全部耗尽，基极电流基本为零，输出噪声电流大大下降，使光电增益提高了一个量级以上。已研制成的ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ穿通型光电晶体管（发射极直径φ＝４μｍ）。在５Ｖ工作电压下，对０．８μｍ，１．３ｎｗ和４３ｎｗ弱光的光电增益分别为１２６０和８１０８。折合到输入端暗电流为０．８３ｎＡ。     

一种提高原边反馈AC/DC恒流精度的方法

针对传统原边反馈AC/DC由于峰值电流检测不准造成的输出恒流精度较低的问题,文中提出了一种应用于原边反馈的高精度恒流控制方法。该控制方法引入I_pk斜率检测来估计真正的原边峰值电流,以此提高输出恒流精度。通过LED驱动电路实验,验证结果表明,相比传统电路,此方法提高了恒流输出精度,在85~265 V输入电压范围下,恒流精度约为2%。     

多路大功率驱动放大电路的设计

介绍了一种多路大功率驱动放大电路。该电路由七组达林顿晶体管阵列和相应的电阻网络以及籍位二极管网络构成，具有同时驱动七组负载的能力，是一种单片双极型大功率高速集成电路，适用于各类要求高速大功率驱动的系统。其工作电压大于５０Ｖ，输出电流大于５００ｍＡ，开态延迟时间小于１．０μｓ，关态延迟时间小于１．０μｓ，电流放大倍数大于１０００，温度范围为－５５～１２５℃。