光纤对接波导阵列的自对准技术

自对准技术是一种新的光纤与波导的对准技术,它更适宜光纤、波导阵列的对接。这种方法是利用V型槽的硅片与波导表面重叠调整而实现。它消除了角调整,化6维调节为2维调节。自对准V型槽的参数设计及腐蚀必须十分精细,它也是自对准技术的关键。     

双光点视标角膜精密对准技术

为实现角膜在眼底相机系统轴向上的精确对准，提出了一种基于双光点视标的角膜精密对准技术。采用该对准技术，可以将双孔光阑所形成的两个光点视标投影在角膜上，依据两个光点经角膜前表面反射后在探测器上重合的位置坐标，先实现对瞳孔中心的对准，再根据两个光点经角膜前表面反射后在探测器上的分离情况与分离距离，确定眼底相机相对于角膜的轴向位置。实验结果表明：基于该双光点视标的角膜精密对准技术可以达到0.25 mm的对准精度和8.2 mm的对准范围。这种对准方法精确度高，对准范围大，可以满足眼底成像时仪器相对于被检眼轴向调节位置的要求。     

用于光刻装置的多光栅标记对准系统

提出了一种用于光刻装置的Si片-工件台对准系统。该对准系统采用多光栅对准标记,标记的每个方向有序排列着四个子光栅。对准时,单波长对准光束照射在标记上,各级衍射光以不同的衍射角反射出。通过空间滤波器,零级和高级衍射光被滤除,而±1级衍射光被保留并相干涉成像在参考光栅的表面。两个较大周期子光栅的对准信号用于对准标记的捕获和粗对准,两个较小周期子光栅的对准信号用于获得粗对准基础上的精确对准。由于该对准系统无须采用楔板组,与ATHENA对准技术相比,降低了制造成本,提高了工程的可实现性。     

纳米光刻对准方法及其原理

对准技术对光刻分辨力的提高有着重要作用。45nm节点以下的光刻技术如纳米压印等,对相应的对准技术提出了更高的要求。对光刻技术发展以来主要用于接近接触式和纳米压印光刻的对准技术做总结分类,为高精度的纳米级光刻对准技术提供理论研究基础和方向。经过分析,从原理上将对准技术分为几何成像对准、波带片对准、干涉光强度对准、外差干涉对准及莫尔条纹等五种对准方法。最后结论得出基于条纹空间相位的对准方法具有最好的抗干扰能力且理论上能达到最高的对准精度,而其他基于光强的对准方法的精度更易受到工艺涂层的影响。因此,基于干涉条纹空间相位对准的方法在纳米级光刻对准中具有很好的理论前景。     

惯性导航系统传递对准技术综述

传递对准是现代惯性制导武器的关键技术。介绍了传递对准的基本原理,较全面地总结了与传递对准技术相关的理论与方法,包括惯导系统误差模型、匹配方法、可观测性分析、滤波算法、误差补偿技术、仿真和试验方法等,给出了一种可用的传递对准数学模型。围绕传递对准的精确度、速度以及对准算法的鲁棒性,分析和归纳了传递对准技术近年来的进展情况,指出了研究中所遇到的困难,探讨了传递对准技术的发展方向。     

用于光学光刻生产的提高型整片对准技术

本文从对准系统与对准过程、提高型整片对准计算、激光步进对准测量系统、以及激光步进对准探测中对准标记形貌的作用等几个方面，介绍了Ｎｉｋｏｎ公司研制的一种用于光学光刻生产的提高型整片对准技术（ＥＧＡ）。研究结果表明，该技术的生产效率接近标准的整片对准技术，套刻精度达到逐场对准的技术水平     

基于SPM技术的表面纳米计量

用扫描探针显微镜(SPM)技术观察三维表面形态,可以达到纳米级甚至原子量级的分辨率,所以SPM技术在计量方面有着广阔的应用前景。20年来,人们采用各种理论和方法来提高SPM的精度和稳定性,以适应表面计量领域不断提出的新要求。本文在总结表面规范与建模、高分辨率和高时间稳定性测量、图像解释与表面重建、SPM误差和校准以及纳米对准技术等研究结果的基础上,对今后发展的趋势作了展望。     

用于光电子器件封装的耦合对准技术

在光电子器件封装工艺中，光器件的对准是个关键问题，它直接关系到光电子器件的性能和实用化。本叙述了光电子器件封装中的有源对准技术、无源对准技术、自对准技术和自动化的对准封装技术。     

背板加工技术简述

背板作为印制电路板的一种,因其结构特性、应用领域等,挑战常规印制电路板多项加工技术。本文浅谈背板加工流程之压合层间对准度、钻孔背钻、孔金属化深镀能力及最终表面工艺方面的技术及控制项,供同行参考与借鉴。     

基于外参考干涉对准技术的对准系统信号处理方法

给出了基于外参考干涉对准技术的对准系统的对准原理及信号处理流程。包括:基于外参考干涉对准技术的对准系统的对准原理;电子信号处理模块主要结构;信号的处理流程和算法原理,各衍射级次信号的分离方法简述等。     

先进相移掩模(PSM)工艺技术

先进相移掩模(PSM)制造是极大规模集成电路生产中的关键工艺之一,当设计尺寸(CD)为0.18μm时,就必须在掩模关键层采用OPC(光学邻近校正)和PSM(相移技术),一般二元掩模由于图形边缘散射会降低整体的对比度,无法得到所需要的图形。通过相位移掩模(PSM)技术可以显著改善图形的对比度,提高图形分辨率。相移掩模是在一般二元掩模中增加了一层相移材料,通过数据处理、电子束曝光、制作二次曝光对准用的可识别标记、二次曝光、显影、刻蚀,并对相移、缺陷等进行分析和检测,确保能达到设计要求。     

小型彩色显示管荫罩曲面设计

介绍一种简单而实用的荫罩曲面的计算方法。首先根据荫罩组件在彩色显示管中的工作原理,提出荫罩曲面计算的经验公式,然后对该公式求导,得出荫罩曲面的修正公式,从而完成对荫罩曲面的设计。     

极坐标激光直写技术制作微结构

简述了极坐标激光直写技术原理,并利用该技术研究了在铬板、光刻胶版表面制作微 结构的工艺,制作了光栅、非涅耳透镜、曲面衍射透镜、平面连续微结构衍射透镜掩模以及基于MEMS技术的微型太阳敏感器光学掩模。     

64 cm FS彩色显像管白场品位的提高

通过对64cmFS彩管白场的测试及分析，确定提高白场色度及亮度比是提高整管白场品位的关键．经过对涂屏工艺条件的优化，对曝光台主透镜曲面及荫罩槽宽的优化设计，使该管型白场品位低下的顽疾得到明显改善。     

Controlled Deposition of ${rm SiO}_{2}$ Nanoparticles of NIST-Traceable Particle Sizes for Mask Surface Inspection System Characterization

Particulate contamination of masks is a serious challenge in extreme ultraviolet lithography (EUVL) technology due to the unavailability of conventional pellicles. EUVL mask surface inspection tools, operated at low pressure, are used not only for mask contamination control/monitoring but also for mask surface cleaning studies. In EUVL, contaminant particles can be generated during low-pressure stages of integrated circuit (IC) manufacturing and may contaminate the mask critical surface without protective pellicles. It is therefore needed to characterize the EUVL mask surface inspection tools with contaminants commonly seen in vacuum processes. We have developed a method to deposit particles of known material and NIST-traceable sizes on the mask surface for the purpose of calibrating the EUVL mask surface inspection tools. Our method can produce particles with 98% size-uniformity. SiO₂ particles with NIST-traceable sizes of 50 nm, 60 nm, and 70 nm were separately deposited on quartz mask blanks with a controlled deposition spot size and number density, and detected by a Lasertec M1350 mask surface scanner. The results demonstrate high capture efficiencies for 60 and 70 nm SiO₂ particles, and significantly lower capture efficiency for 50 nm SiO₂ particles. The sizing accuracy of Lasertec M1350 deteriorates with decreasing particle size.     

凸球面网栅激光直写技术

为了满足凹球面光刻所需的曲面网栅掩模的需求,建立了凸球面激光直接写入系统用于制作曲面网栅掩模。该系统目前支持最高20的基片倾斜,结合加工时的曝光量修正算法,在口径为50 mm、曲率半径为51.64 mm的凸球面基底上制作了矩形网栅图案,并结合双摆台联动在凸面上制作同心圆环图案。实验结果表明,现有凸球面直写系统初步具备加工凸面网栅掩模的能力,为后续的曲面掩模光刻打下坚实基础。     

Fully integrated CMOS UWB pulse generator

The design of a fully integrated CMOS ultra-wideband (UWB) pulse generator for the 3.1-10.6 GHz frequency band is presented. The pulse generation is based on the filter impulse response technique. With such a technique, the pulse matches the FCC mask with no need for an expensive external filter. The layout of this circuit in a 0.13 mum CMOS technology shows a surface area of less than 0.57 mm² and a power consumption of around 20 mW     

一种新型可重复利用荫罩掩膜技术

利用化学气相沉积、光刻和反应离子刻蚀等微细加工技术,可以制作柔性、低成本、结实耐用、生物科技和半导体技术兼容、可重复使用的聚对二甲苯-C荫罩掩膜。利用这种透明的惰性材料掩膜,可以制作出传统平面微加工技术难以实现的曲面微图形,同时在多次使用场合,可以实现其它柔性荫罩掩膜材料难以达到的微米级特征尺寸,并能保持很好的图形复制特性。     

HgCdTe干法刻蚀的掩模技术研究

文章报道了HgCdTe微台面列阵ICP干法刻蚀掩模技术研究的初步结果。首先采用常规光刻胶作为HgCdTe材料的ICP干法刻蚀掩模。扫描电镜结果发现，由于刻蚀的选择比低，所以掩模图形退缩严重，刻蚀端面的平整度差，台面侧壁垂直度低。因此采用磁控溅射生长的SiO2掩模进行了相同的HgCdTe干法刻蚀。结果发现，SiO2掩模具有更高的选择比和更好的刻蚀端面。但是深入的测试表明，介质掩模的生长对HgCdTe表面造成了电学损伤。最后通过优化生长条件，获得了无损伤的磁控溅射生长SiO2掩模技术。     

低频低噪声集成运放XD1531的设计和分析

本文阐明了低频低噪声运放XD1531的设计原理。从电路和版图设计两方面论述了该电路整个设计过程。针对电路第一级的结构,采用低频低噪声方法进行设计。在版图方面主要考虑了降低低频噪声,尤其是降低表面1/f噪声的措施。通过对XD1531噪声性能的分析以及与国内外同类产品的比较,说明了该集成电路具有低噪声特性。同时,说明本文提出的设计方法对于降低集成电路的低频噪声是有效的。