纳米晶Ba（Zr0．2Ti0．8）O3薄膜的外延生长与介电特性

用脉冲激光沉积工艺在半导体（001）SrTiO3：ω（Nb）=1．0％单晶基片上,外延生长出Ba（Zr0.2Ti0.8）O3（简称BZT）介电薄膜．在650℃原位退火10min,薄膜为（001）外延生长的晶粒．薄膜的晶化特征与表面形貌用薄膜X-ray衍射仪和原子力显微镜测量完成．BZT薄膜（002）峰的半峰宽只有0．72°,说明薄膜晶化良好;薄膜的平均晶粒为90nm,表面均方根粗糙度为4．3nm,说明薄膜表面平整．在室温、100kHz和500kV／cm条件下,BZT的最大介电常数和调谐百分率分别达到317和65％．     

退火温度对BZT薄膜微结构的影响研究

采用Sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Ba(Zr0.2Ti0.8)O3(BZT)薄膜.X射线衍射分析表明,该BZT薄膜为钙钛矿结构而无其他物相存在.光学显微镜分析结果表明,退火温度为900℃时,BZT薄膜表面光滑平整,无裂纹产生.     

纳米晶Ba(Zr0.2 Ti0.8)O3薄膜的外延生长与介电特性

用脉冲激光沉积工艺在半导体(001)SrTiO3∶ω(Nb)=1.0%单晶基片上,外延生长出Ba(Zr0.2Ti0.8)O3(简称BZT)介电薄膜.在650℃原位退火10 min,薄膜为(001)外延生长的晶粒.薄膜的晶化特征与表面形貌用薄膜X-ray衍射仪和原子力显微镜测量完成.BZT薄膜(002)峰的半峰宽只有0.72°,说明薄膜晶化良好;薄膜的平均晶粒为90 nm,表面均方根粗糙度为4.3 nm,说明薄膜表面平整.在室温、100 kHz和500 kV/cm条件下,BZT的最大介电常数和调谐百分率分别达到317和65%.     

在LaNiO_3衬底上（Pb,La）TiO_3铁电薄膜的制备和研究

首先通过金属有机化合物热分解（MOD）法在Si（100）基片上制备出LaNiO3（LNO）薄膜,再通过溶胶-凝胶（sol-gel）法,在LNO/Si（100）衬底上制备出（PbxLa1-x）TiO3（PLT）铁电薄膜。经XRD分析表明,LNO薄膜具有（100）择优取向的类钙钛矿结构,PLT/LNO/Si薄膜具有四方相钙钛矿结构,同时以（100）择优取向。最后对薄膜的介电性和铁电性进行了测试,发现薄膜介电常数适中,铁电性良好。     

溶胶-凝胶法制备HPMC／Si02杂化复合薄膜

采用溶胶-凝胶法（sol—gel）在聚乳酸（PLA）基膜上负载羟丙基甲基纤维素／二氧化硅（HPMC／SiO2）有机-无机杂化层,制备HPMC／Si02有杂化复合薄膜。表征和测试杂化复合薄膜的结构与性能。结果表明：当HPMC溶液体积分数为6％时,杂化复合薄膜的氧气阻隔性能比PLA薄膜的氧气阻隔性能提高了36倍,同时,杂化复合薄膜的拉伸强度优于PLA薄膜。     

10kV厂用电BZT动作失败分析

10kV系统采用程序逻辑控制器（PLC）作为备用电源自动投入装置（BZT）的核心部件,针对新设备的特点分析其动作失败原因,提出了提高动作成功率的改进方法。     

前驱体浓度对纳米TiO2薄膜生长及光激发特性的影响

以Ti（SO4）2为原料,无水碳酸钠（Na2CO3）为添加剂,采用水热合成法在钛合金基底上成功制备了锐钛矿相的纳米TiO2薄膜。利用X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）等测试手段系统的研究了前驱体浓度对纳米TiO2薄膜生长特性、结晶特性和相组成的影响规律;利用光致激发光谱（PL）研究了所制备TiO2薄膜的光激发特性,并通过微观机制对其影响规律进行了理论解释。     

Li掺杂对ZnO薄膜发光特性的影响

为研究碱金属Li掺杂ZnO薄膜的结构及光学性能,利用射频磁控溅射法（RF）在si基片上制备ZnO薄膜和Zn1-LixO薄膜,通过x射线衍射、原子力显微镜和光致发光对薄膜进行测试．研究结果表明：基片温度为450℃时,（002）峰成为薄膜的主要衍射峰;掺入碱金属Li后,薄膜表面颗粒依然均匀;Li掺杂量在5％～15％变化时,带间跃迁峰发生明显红移现象,各发光峰的强度呈抛物线形式变化．     

TiO2与聚合物复合薄膜的制备及表征

以钛酸丁酯[(C4H9O)4Ti]为前驱物制备了TiO2胶体，采用离子自组装的方法在普通载玻片表面制备了透明的TiO2纳米粒子／聚4苯乙烯黄酸钠（PSS）复合薄膜，随着镀膜次数或薄膜厚度增加，TiO2/PSS薄膜的透光率呈周期性变化；透射电镜（TEM）测试结果表明，薄膜均匀，薄膜中的TiO2呈板钛矿，光电子能谱仪（XPS）实验结果表明薄膜中含有Ti、O、C元素，载玻片表面完全被TiO2纳米薄膜所覆盖。     

纳米氧化铝改性聚酰亚胺薄膜的制备与表征

采用微乳化技术制备了铝的纳米氧化物分散液,并将其掺杂到聚酰亚胺基体中,分别制备出质量分数为4％、8％、12％、16％、20％、24％的聚酰亚胺杂化薄膜．利用耐电晕测试装置、耐击穿测试装置、热失重分析仪（TGA）、扫描电子显微镜（SEM）对薄膜进行了性能测试和结构表征．结果表明,经铝的纳米氧化物杂化的聚酰亚胺薄膜的耐电晕性能随铝的纳米氧化物掺杂量的增加而提高,当纳米组分的质量分数达到24％时,在60kV／mm的工频电压下,薄膜的耐电晕寿命可达50．7h（IEC343）;杂化薄膜的击穿场强随掺杂量的增加而下降;铝的纳米氧化物掺杂量增加可以提高聚酰亚胺薄膜的热分解温度;所掺杂的纳米粒子可以较均匀地分散在聚酰亚胺基体中．     

35kV变电站备用电源自动投入装置的改造及运行维护

为确保企业供电系统可靠性,并满足生产规模扩大对供电系统的要求,基于备用电源自动投入装置的概念,对公司现有35kV变电站进行改造.改造采用双向备自投装置,实现35kV系统备自投装置与线路对侧变电所自动重合闸装置配合使用,即实现35kV和6kV两级备用电源自投,解决了变电站单电源形式无法保证生产用电的安全性和可靠性问题,满足了企业生产规模逐渐扩大、用电负荷增加对供电系统的要求.变电站改造至今,成功地避免了一起因电气故障引起的事故。     

Ferroelectric properties of Bi_4Zr_(0.5)Ti_(2.5)O_(12) thin films prepared on LaNiO_3 bottom electrode by sol-gel method

The Bi4Zr0.5Ti2.5O12 (BZT) thin films were fabricated on the LaNiO3 bottom electrode using sol-gel method. The structure and morphology of the films were character-ized using X-ray diffraction, AFM and SEM. The results show that the films have a perovskite phase and dense microstructure. The 2Pr and 2Vc of the Pt/BZT/LaNiO3 capacitor are 28.2 μC/cm2 and 14.7 V respectively at an applied voltage of 25 V. After the switching of 1×1010 cycles, the Pr value decreases to 87% of its pre-fatigue val-ues. The dielectric constant (ε) and the dissipation factor (tanδ) of the BZT thin films are about 204 and 0.029 at 1 kHz, respectively. The films show good insulating behavior according to the test of leakage current. The clockwise C-V hysteresis curve observed shows that the Pt/BZT/LaNiO3 structure has a memory effect be-cause of the BZT film’s ferroelectric polarization.     

水泥熟料分段烧成模拟分析

通过建立新型干法水泥回转窑烧成带温度计算的数学模型,计算出两种不同水泥窑型的烧成带温度,分析了两种不同窑型的温度分布,进而提出熟料分段烧成的理想化模型。研究发现：短窑在过渡带具有普通窑型约8倍的温度梯度,但是在烧成带两者几乎没有温度变化,而分段烧成依然有15℃的升温,因此分段烧成具有良好的熟料反应温度环境,有利于熟料质量的提高。     

Ferroelectric properties of Bi<Subscript>4</Subscript>Zr<Subscript>0.5</Subscript>Ti<Subscript>2.5</Subscript>O<Subscript>12</Subscript> thin films prepared on LaNiO<Subscript>3</Subscript> bottom electrode by sol-gel method

The Bi4Zr0.5Ti2.5O12 (BZT) thin films were fabricated on the LaNiO3 bottom electrode using sol-gel method. The structure and morphology of the films were characterized using X-ray diffraction, AFM and SEM. The results show that the films have a perovskite phase and dense microstructure. The 2Pr and 2Vc of the Pt/BZT/LaNiO3 capacitor are 28.2 μC/cm2 and 14.7 V respectively at an applied voltage of 25 V. After the switching of 1×1010 cycles, the Pr value decreases to 87% of its pre-fatigue values. The dielectric constant (ε) and the dissipation factor (tanδ) of the BZT thin films are about 204 and 0.029 at 1 kHz, respectively. The films show good insulating behavior according to the test of leakage current. The clockwise C-V hysteresis curve observed shows that the Pt/BZT/LaNiO3 structure has a memory effect because of the BZT film's ferroelectric polarization.     

丙烯酸酯共聚物/聚苯胺复合膜的制备及性能研究

本文以甲基丙烯酸甲酯和丙烯酸丁酯共聚物P(MMA-co-BA)乳液为基体,采用原位乳液聚合法制备了透明导电丙烯酸酯共聚物/聚苯胺(P(MMA-co-BA)/PANI)复合膜,对苯胺聚合工艺中引发剂的用量进行了探讨.使用紫外可见分光光度计对复合膜的透光性进行了分析,研究表明苯胺聚合工艺中引发剂用量为1.61%时,复合膜的可见光透过率较佳,当引发剂用量过大时,使复合膜的可见光透过率下降,同时使复合膜的耐水性变差.使用高阻抗测量仪和热重分析仪对复合膜的表面电阻及热稳定性进行了研究,使用傅立叶红外分光光度计、扫描电子显微镜对P(MMA-co-BA)/PANI复合膜的结构进行了表征.     

磁控溅射Co1-x-Ptx薄膜晶体的结构与磁性能

通过磁控溅射制备了一系列不同成分的Co-Pt二元合金薄膜,并利用振动样品磁强计（VSM）和X-射线衍射技术（XRD）研究了Pt含量对薄膜磁性能和晶体结构的影响.结果表明：Pt的摩尔分数在0-28.5%范围内,薄膜均为密排六方结构（HCP）;Co-Pt薄膜的晶格常数（c,a）随Pt含量的增加呈线性增大趋势,但其c/a的值却先减小后增大;矫顽力则先增大后减小,在Pt的摩尔分数为20%时达到最大值（156.89 kA/m）;饱和磁化强度随Pt含量的增加而单调减小.     

磁控溅射法生长ZnO薄膜的结构和表面形貌特性

采用射频磁控溅射方法,在Si（111）和玻璃基片上制备ZnO薄膜。研究衬底温度和基片类型对薄膜结构、表面形貌的影响。结果显示,所有ZnO薄膜沿c轴择优生长,同种基片类型上生长的薄膜,随着衬底温度升高,（002）衍射峰强度和表面粗糙度增高;相同衬底温度下生长的ZnO薄膜,Si基片上制备的薄膜（002）衍射峰强度和表面粗糙度小于玻璃片上的。基片类型影响薄膜应力状态,玻璃片上制备的ZnO薄膜处于张应变状态,Si基片上的薄膜处于压应变状态;对于同种基片类型上生长的ZnO薄膜,衬底温度升高,应力减小。Si衬底上、300℃下沉积的薄膜颗粒尺寸分布呈正态。     

CrAIN／TiAIN纳米多层膜的微结构及其性能研究

采用磁控反应溅射法制备了不同调制周期的CrAIN／TiAIN纳米多层膜,并通过x射线衍射仪、显微硬度计、扫描电镜分析了调制周期对多层膜的微结构、力学性能和高温抗氧化性能的影响。结果表明：CrAIN／TiAIN纳米多层膜共格外延生长,呈现CrAIN（或TiAIN）面心立方结构,且呈（111）择优取向;CrAIN／TiAIN纳米多层膜在某些调制周期出现硬度异常升高的超硬度效应;CrAIN／TiAIN纳米多层膜比CrAIN,TiAIN单层膜具有更好的高温稳定性,高温时仍具有较高的硬度。