飞兆半导体和英飞凌科技达成功率MOSFET兼容协议

高性能功率和移动产品供应商飞兆半导体公司（Fairchild Semiconductor）和英飞凌科技Clnfineon Technologies）宣布．两家公司就采用MLP3×3（Power33）和PowerStage3×3封装的功率MOSFET达成封装合作伙伴协议。     

FIatPower封装的MEGA Schottky整流器

Flat Power封装的MEGA Schottky整流器,包括SOD123W和SOD128。因为“金属板绑定”的封装成果,新的MEGA产品带来可媲美标准SMA封装的高功率性能。新产品具有卓越的前向压降,可以允许50A的峰值电流和高至1W的Ptot功率耗散。SOD123W的尺寸为2．6mm×1．7mm×1mm,SODl28的尺寸则为3．8mm×2．5mm×1mm。     

半导体和IC

表面贴装功率ＩＣ封装ＳＧＳ　ＴＨＯＭＳＯＮ　Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ公司的大功率表面贴装封装系列又增添了一种形状和尺寸与标准１４×１４×２．８ｍｍＱＦＰ封装相同的新型大功率封装。这种新封装叫做ＨＩＱＵＡＤ－６４（ＪＥＤＥＣＭＯ－１８８），是为未来的灵巧功率芯片设计的，具有优于１ｋ／Ｗ的连接外壳热阻，厚度为１０密耳的铜线框以及金或铝焊线。它可容纳１２０ｋ密耳２的小片。高速ＡＳＩＣ验证工具ＶｉｅｗｌｏｇｉｃＳｙｓｔｅｍｓ公司最近推出Ｅａｇｌｅ系列新产品ＥａｇｌｅＶ　ＴＭ，这是一种优化的专用集…     

采用eSIP封装的超薄电源适配器

用于功率转换的高压模拟集成电路Power Integrations(PI)公司,近日在IIC-China 2008 深圳站宣布推出采用新的eSlP-7C封装的TOPSwitch-HX系列AC-DC功率转换IC.记者有幸与PI公司的产品销售总监NazzorenoRossetti先生面谈,得以详细了解这一创新的封装形式.     

无源与分立器件

VISHAY新型0805尺寸表面贴装POWERMETAL STRIP电阻器Vishay Intertechnology公司推出一款新型0.25W表面贴装Power Metal Strip电阻器,可提供卓越的过载及脉冲处理能力,同时其额定功率能够与较大的1206尺寸电阻器相媲美。该新型WSE0805电该新型WSE0805电阻器面积为0.080 英寸×0.050 英寸,最大厚度为0.025英寸的超小型0805 封装中,同时具备0.25W 的额定功率和10W~10,000W的电阻范围,这是业界首款在此封装中将这两方面性能相结合的器件。由于这种表面贴装组件可用于代替具有同等功率的较大组件,因此节约了板面空间,实现了更小…     

飞兆半导体和英飞凌科技进一步扩展功率MOSFET兼容协议

<正>全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)和英飞凌科技(Infineon Technologies)宣布,两家公司进一步扩展封装兼容合作伙伴关系,扩展协议将包括5mm×6mm非对称结构功率级双MOSFET封装。     

新二极管封装在狭小的空间容许耗散较多的功率

近来有两种新型封装上市,使设计人员在对空间占用要求比较严格的应用场合可以较好地处理功率耗散问题。一种是加州东芝美国元器件公司的,用来封装普通二极管和肖特基势垒二极管的S-Flat型封装,它适用于表面安装工艺,只占用0.98×1.6mm线路板面积。 另一种是加州的国际整流器公司的PowIRtab封装,它是一种插孔式封装,占用的线路板面积和TO-247封装相同,但是能处理更多的电流。     

铁氧体片状温度传感器

日本一家公司用铁氧体首创的OHD系列片状温度转换传感器最近开始出售样品。它的最大转换电流为0.1A,开关功率为1W,转换温度范围为30～130℃,每步5℃。片状尺寸为12×5×5(mm),环氧树脂封装,具有优良的机械强度和可靠性,适合于高密度安装。     

Maxim推出带SPI或I^2C的大电流双路DAC MAX5548／50

Maxim公司推出两种具有引脚选择SPI或I2C 串行接口的大电流双路DAC MAX5548(8位)和 MAX5550(10位),双路输出电流30 mA,采用3 ×3 mmTQFN封装。9mm3TQFN封装和最接近的30 mm2TSSOP封装解决方案相比,节省了大     

HiperPLC：电源控制器IC

Power Integrations公司推出其HiperPLC（系列电源控制器IC。HiperPLC是高度集成、高效率及高功率的HiperTM产品系列的首个成员。它集连续导通模式（COM）PFC控制器、LLC谐振转换器及高压（800V）半桥驱动器于一个IC封装中。它也是Power Integrotions公司针对200至600W高功率、高效率离线式功率转换器应用所推出的第一款产品,可广泛应用于平板电视。     

超小型的陶瓷封装使表面安装振荡器提高了性能指标

MF Electronics公司推出了一种超小型的表面安装陶瓷封装。这种封装可靠性高,能够嵌入具有不同规格的高性能振荡器,如固定频率的时钟振荡器和压控晶体振荡器。该公司设计的T型无引线陶瓷封装,尺寸为5(宽)×7(长)×2(高)mm,与现有的表面安装振荡器的封装尺寸相比,大约只有四分之一。是目前市场上能买到的最小尺寸的封装。     

应对功耗挑战倡导功率创新

Xilinx大批量产品市场营销高级经理Richard Terrill先生在北京介绍了该公司的功率创新活动,并推出业界功耗最低的新型Spartan-3L FPGA系列,以及低成本、小封装的CoolRunner-II CPLD。旨在满足用户越来越注重电源管理的要求。Terrill先生告诉记者,通过改进90nm制造技术和实现独特的休眠模式,Spartan-3L将静态功耗降低了98%,成为业界功耗最低的FPGA。这个新系列可以实现更低成本的冷却系统、体积更小、封装外壳更便宜、系统可靠性更高。Spartan-3L系列是赛灵思公司功率创新活动(Xilinx Power Initiative)的关键组成部分,该活动的…     

每声道2.1W分布参数滤波的D类立体声功率放大器TPA2012D2

TPA2012D2为美国德州仪器公司产品,其主要性能特点如下: 4Ω负载,Vcc=5V每声道输出为2.1W 8Ω负载,Vcc=5V每声道输出为1.4W 8Ω负载,Vcc=3.6V每声道输出为720mW 线性和脉冲供电由单独两级稳压器组成供电电压范围2.5-5.5V 相互独立的关断控制增益可选择为6、12、18、24dB 关闭脚内设下拉电阻以减少外围元件高纹波抑制比,当217Hz时可达77dB 快速3.5ms启动时间极低的供电电流和关断电流内设输出短路和超温保护采用两种封装形式:为2×2mm的WCSP(YZH)称谓Namo-Free封装;另一种为4×4mmOFN(RTJ)无铅Power PAD封装。TPD2012D2适用于移动通信设备、PDAS,以及便携式DVD 播放器、收音机、笔记本电脑、电玩及USB扬声器等。     

640像素×480像素CMOS图像传感器

飞利浦半导体公司推出了640像素×480像素CMOS图像传感器,该产品采用32管脚的小型CLCC(ceramic leaded chip carrier)封装。产品名为“UPA1021”。电源电压为 3.3V,30帧/秒输出数据时的消耗功率为75mW,待机模式时的消耗功率小于1mW。产品配备9bit A-D转换器。 UPA1021的光传感器部分大小只有5.6μm×5.6μm,从而可将芯片缩小到能够     

ASE(日月光)发表大型PBGA封装技术

ＡＳＥ (日月光半导体 )发表了世界上最大的ＰＢＧＡ封装技术。该公司的制品 (45× 4 5 )ｍｍ ,比韩国Ａｎａｍ (安南 )从 2 0 0 0年正在生产的 4 0ｍｍ× 4 0ｍｍ的产品面积要大 2 0 %。能够封装的最大管脚数为 16 0 0根。在该公司的封装技术中 ,管芯呈重叠、并列式布局 ,可以封装在一个基板上ASE(日月光)发表大型PBGA封装技术@晶     

采用PowerPAK 1212 8封装的新型功率MOSFET

Vishay公司推出17款新型功率MOSFET,这些器件采用小型PowerPAK12128封装,具有低至3.7mΩ的超低导通电阻值。主要面向用于数据通信系统的负载点(POL)转换器及高密度DC-DC变换器中的同步整流、同步降压及中间开关应用。这些TrenchFET第二代器件的尺寸仅为3.3mm×3.3mm×1mm,仅是SO8封装的1/3,同时还具有不足2℃/W的低热阻,这一热阻值比SO8器件低8倍。采用PowerPAK 1212 8封装的新型功率MOSFET     

面向移动装置的128MSDRAM

<正> Infineon Technology 公司现已开发出了一种面向移动装置的128MSDRAM 样品。工作电压为2.5V,I/O电压为1.8V/2.5V,与原来的128MSDRAM 相比较约可以节省80%的功率。有8M×16和16M×8等2种类型。采用 FPGA 封装,在外形尺寸上与标准的 SDRAM 的 TSOP 封装相比仅是它的1/3。计划于2001年底开始批量出厂。     

三菱电机开发的无引线晶体管封装

三菱电机开发了世界最小、最薄的Ｅ -ＣＳＰ (ＥｎｖｉｒｏｍｅｎｔａＵｙ ＣｏｎｓｉｄｅｒｅｄＣｈｉｐＳｃａｌｅＰａｃｋａｇｅ)晶体管封装。目前 ,批量、规格化的最小引线型封装为ＳＣ 75Ａ (长 1 6ｍｍ×宽 1 6ｍｍ×薄 0 6ｍｍ～ 0 95ｍｍ)。但Ｅ ＣＳＰ外形尺寸为 0 8ｍｍ× 0 6ｍｍ× 0 4 8ｍｍ。与相当于ＳＣ - 75Ａ本公司原制品 (ＳＭＣＰ)相较 ,其组装面积约为其 1 5 ,厚度约为 2 3,达到了小型、轻量要求。实现了世界上最小、最薄。重量与本公司原制品 3ｍｇ相对 ,约为其 1 4 ,达到了大幅度减重。另外 ,确立了在晶体管组…     

集成电路

Ramtron 采用 DFN 封装的 FRAM 芯片 Ramtron　International公司宣布提供采用DFN　(dual　flatno-lead)塑料封装的FRAM产品,其中包括 F M 2 4 C L 1 6 、FM25CL64 和 FM25L256。采用这种薄型封装,使该系列FRAM器件具有很小PCB占板面积。其中FM24CL16封装尺寸为3.0mm× 6 . 4 m m ,F M 2 5 C L 6 4 和FM25L256 为 4.0mm × 4.5mm。这两种封装的高度均为0.75mm。3.0mm × 6.4mm 的器件与业界标准的TSSOP8 封装兼容,因此可直接替换采用TSSOP8 封装的器件。这些DFN 封装采用遵守EC　RoHS 规定的绿色无铅封装技术。…     

每月新品

LPC900系列:8位微控制器咨询号:101 飞利浦电子公司日前推出两款新型的LPC900系列8位微控制器,采用10引脚HVSON封装,体积仅为3.0×3.0×0.85mm3。LPC9102和LPC9103为空间受限的应用而设计,集成了系统级芯片功能,如高精度内部RC