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不断上涨的油价、高能耗、恶劣的天气和全球气候变化等诸多新情况已成为人们十分关注的问题.各国政府普遍意识到人类必须减少对矿物燃料的依赖,转向使用清洁能源,以避免对人类居住的星球造成更大的危害。这一观点得到了广泛支持并超越了政治范畴。目前,生物燃料、风能、海浪能和太阳能等替代能源再次唤起人们的兴趣。 相似文献
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基于Re-BCP为缓冲层有机太阳能电池性能的研究 总被引:1,自引:1,他引:0
有机太阳能电池(OSCs)因成本低、质量轻、柔性 和可大面积制备等优点而被广泛关注。本文通过定向合成有机配合物Re-BCP,首次将其作 为阴极缓冲层引入到OSCs中。通过实验发现,OSCs效率与Re-BCP层厚度密切相关。在标准 太阳光照条件下,结构为ITO/CuPc(20nm)/C60(40nm)/Re-BCP(x nm)/Al(100nm)器件的效率随着Re-BCP厚度的增加先增大后变 小,当其厚为0nm时,效率为0.65%;厚为7nm时,效率为1.10%;而当厚为10nm时,效率降为0.50%。结合器件结构,探讨了器件性能提高的机理。 相似文献
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本文简要介绍了新型锂离了电池的结构、工作原理、发展过程,列举了日本索尼公司和天津力神公司生产的锂离子电池的型号、规格及其应用领域。最后提出了锂离子电池技术发展的三个方向。 相似文献
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ZnO纳米颗粒表面缺陷对有机太阳能电池性能的影响 总被引:6,自引:6,他引:0
用温度控制ZnO纳米 颗粒粒径的大小,研究了颗粒粒径对表面缺陷的影响。由透射电镜(TEM)、紫外-吸收光谱 和荧光光谱测试表明,随着反应温度升高,ZnO纳米颗粒的尺寸增加,比表面积显著下降, 表面缺陷的体密度降低。将不同反应温 度下的ZnO纳米颗粒应用于ITO/ZnO/P3HT:PCBM/MoO3/Ag结构的有机太阳能电池中,进一 步研究了缺陷对电池性能的影 响。实验结果表明,60℃下ZnO纳米颗粒薄膜作为电子传输层的器件 效果最好,电池效率可以达到3.05%。 这表明在一定范围内,ZnO纳米颗粒越大,缺陷密度越低,越有利于器件中电子的传输从而 提高太阳能电池器件的短路电流密度和光电转化效率。 相似文献
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光纤激光为燃料电池生产带来曙光 总被引:1,自引:0,他引:1
1 引言 燃料电池技术是一项十分有效的应对世界能源消耗和全球气候变暖的措施之一.燃料电池所产生的清洁能源可广泛用于生态汽车、航空航天、海洋监测、化工、医疗以及电子等诸多领域. 相似文献
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多孔ZnO纳米花电子传输层对有机太阳能电池性能的优化 总被引:1,自引:1,他引:0
通过水热法制备了多孔、单晶结构的三维ZnO纳米花材料。研究了不同生长时间下(6h、9h和12h)的ZnO材料的形貌及光电性能。结果表明,反应9h的多孔ZnO纳米花材料具有较高透光率、低缺陷密度以及高载流子迁移率等优点,是较为理想的电子传输层材料。将这些材料应用于有机太阳能电池的制备,性能测试结果表明,以生长时间为9h的多孔ZnO纳米花材料作为电子传输层的器件性能最佳,与无ZnO修饰层的参比器件相比,其短路电流密度Jsc和光电转化效率(PCE)明显提高,分别达到了5.68mA/cm2和1.24%。 相似文献
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《电子工业专用设备》2008,37(7)
2007年在无锡尚德等国内太阳能电池生产企业产量提升的带动下,中国太阳能电池产业依旧高速增长。由于生产1MW的太阳能电池对硅片消耗量很大,太阳能电池产业的快速发展拉动太阳能用硅片市场需求。在半导体领域,受到海力士和ST合资兴建的300mm生产线投产、 相似文献
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《电子工业专用设备》2009,(8):67-67
正当中国提升对太阳能的需求以满足日益增长的电力需求和减少对进口燃料的依赖之时,天威和欧瑞康太阳能共同宣布中国大陆最大的薄膜太阳能电池生产工厂之一提前完成量产目标。天威项目第一期计划每年生产50万电池组件,可每年产生46.5MW的电力。 相似文献
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采用MoO3作为阳极缓冲层,制备了结构为ITO/MoO3/P3HT/C60/Bphen/Ag的有机太阳能电池器件,研究了MoO3薄膜厚度对器件性能的影响。采用常用的等效电路模型,仿真计算得到MoO3缓冲层对器件串联电阻的影响。此外,测试了器件的吸收光谱,研究了MoO3缓冲层对器件光子吸收的作用。结果表明,在MoO3厚度为1 nm时,器件的短路电流密度、开路电压和填充因子都得到了提高。MoO3可以改善电极和有机层的界面接触性能,能够有效降低器件的串联电阻,提高载流子的传输和收集效率;同时,MoO3缓冲层透过率高,不会对器件的光吸收效率造成影响。 相似文献
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基于CuBB为阴极缓冲层有机太阳能电池性能的研究 总被引:2,自引:2,他引:0
通过定向合成Cu(I)配合物,首次将 其作为阴极缓冲层引入到有机太阳能电池(OSCs)中。实验分析发现,OSCs的光电能量转换效 率(PCE)与CuBB层厚度紧密相关,在标准太阳 光照条件下,结构为ITO/CuPc (20nm)/C60(40nm)/CuBB (x m m)/Al (100nm)的器件PCE随着CuBB厚度的增加 先增大后变小,当厚为8nm 时PCE达到0.94%。器件性能提高的原因主要是CuBB具有良好 的电子迁移率,但厚度过大时则由于串联电阻增加及电子不能经阴极缓冲层传输而使性能降 低。 相似文献
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中国大陆太阳能电池业者在日本市场的地位日增,目前产量名列全球第2的大陆业者尚德发下豪语,将抢攻日本市场10%的市占率;而其它大陆业者亦虎视眈眈,企图以低价攻势拿下市场。日本媒体报导指出,为布局日本市场,尚德日本分公司在2009年即与山田 相似文献