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利用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理研究了O原子与Pd掺杂前后ZnO(0001)表面的相互作用机理。通过对模型表面六个高对称位吸附能的计算,发现O原子最有可能吸附于Pd掺杂表面的间隙位。从表面的态密度(density of states,DOS)及分波态密度(partial density of states,PDOS)分析结果可以看出,掺杂体系中费米能级附近出现的杂化峰是由O原子的p轨道电子和Pd原子的d轨道电子杂化引起的。掺杂表面的差分电荷密度反映出O原子与Pd原子之间存在大量电荷转移,说明掺入催化剂Pd有助于提高ZnO材料的气敏性能。最后,通过对挥发性有机化合物(VOC)气体的气敏测试验证了理论计算的结论。 相似文献
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与传统上使用的导电纤维、金属粉、碳粉等不同,四针状氧化锌品须(T-ZnOw)应用于制备抗静电高分子材料具有密度低、颜色浅、添加量少、化学稳定性好、应用范围广等特点,可应用于制备抗静电工程塑料、抗静电涂料、抗静电纤维等。介绍了 T-ZnOw 的一般物理性质、导电机理及其掺杂改性研究和抗静电应用研究的进展。 相似文献
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分析了四针状氧化锌晶须(T—ZnOw)的电磁波损耗机理,首先从T—Znow形成立体导电网及其感应涡流损耗和品须内部散射电场计算等宏观角度讨论了入射电磁波损耗机制;其次,从针尖电荷集中和界面极化的角度分析了该晶须的电磁波损耗机理;最后,用量子力学的观点讨论了T—ZnOw与电磁波作用机理,发现隧道效应和量子势阱理论都可用于解释该晶须在2~18GHz频率范围内的电磁波损耗。 相似文献
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以苯胺为单体,过硫酸铵为氧化剂,采用化学氧化聚合法分别在十二烷基苯磺酸(DBSA)和盐酸中合成了聚苯胺(PAn),并用傅里叶红外光谱和TGA-DTA技术对聚苯胺掺杂前后的结构变化和热稳定性进行了分析。研究了不同质子酸掺杂对聚苯胺气敏性能的影响。结果表明:十二烷基苯磺酸掺杂的聚苯胺,比普通盐酸掺杂的聚苯胺对目标气体具有更好的灵敏性。当r(S:N)为0.4~0.5时,在室温下其对1000×10-6NH3的灵敏度达到了10.43,响应时间为30s,恢复时间为3min。且与盐酸相比,十二烷基苯磺酸掺杂的聚苯胺具有更好的环境稳定性。 相似文献
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WO3的气敏特性研究 总被引:5,自引:2,他引:5
通过实验,结合气敏元件分析方法,对WO3气敏元件的气敏特性、响应与恢复时间、电阻特性、初期驰豫特性进行了系统分析。为进一步开发研制WO3气敏元件提供了可靠的数据。 相似文献
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本文作者利用表面态建立一个气敏光学机理模型。较好地解释了SnO_2薄膜的气敏效应,气敏透射光谱,气敏透过率与气体浓度的指数关系,以及饱和现象等。 相似文献
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Antonio Tricoli Markus Graf Sotiris E. Pratsinis 《Advanced functional materials》2008,18(13):1969-1976
Tin oxide nanocrystals (5–10 nm) doped with silica (0–15 wt %) were made by flame‐spray‐pyrolysis direct deposition onto the sensing electrodes and in situ stabilization by rapid flame annealing. Although increased SiO2‐doping reduced the SnO2 crystal and grain size, its sensing performance to ethanol vapor (0.1–50 ppm) exhibited an optimum with respect to SiO2 content. The thermal stability and morphology of SiO2‐doped SnO2 nanoparticles were evaluated by sintering at 200–900 °C for 4–24 h in air. At low SiO2 content, sintering of SnO2 was prevented only partially resulting in small sinter necks (bottlenecks) between SnO2 primary particles (smaller than twice the Debye length). This morphology drastically enhanced the sensitivity toward the analyte by maintaining a thermally stable high surface area and fully depleted connections at the primary particle necks. This enhancement is attributed mostly to the decreasing neck size of the SnO2 SiO2 heterojunctions rather than the decreasing SnO2 crystallite and grain sizes with increasing SiO2 doping. At high SiO2 contents, SnO2 sintering was inhibited as its grains were separated effectively by dielectric SiO2; this resulted in isolated SnO2 nanocrystals with drastically reduced sensitivity, thereby effectively being insulators. 相似文献
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Improved Exciton Dissociation at Semiconducting Polymer:ZnO Donor:Acceptor Interfaces via Nitrogen Doping of ZnO 下载免费PDF全文
Kevin P. Musselman Sebastian Albert‐Seifried Robert L. Z. Hoye Aditya Sadhanala David Muñoz‐Rojas Judith L. MacManus‐Driscoll Richard H. Friend 《Advanced functional materials》2014,24(23):3562-3570
Exciton dissociation at the zinc oxide/poly(3‐hexylthiophene) (ZnO/P3HT) interface as a function of nitrogen doping of the zinc oxide, which decreases the electron concentration from approximately 1019 cm?3 to 1017 cm?3, is reported. Exciton dissociation and device photocurrent are strongly improved with nitrogen doping. This improved dissociation of excitons in the conjugated polymer is found to result from enhanced light‐induced de‐trapping of electrons from the surface of the nitrogen‐doped ZnO. The ability to improve the surface properties of ZnO by introducing a simple nitrogen dopant has general applicability. 相似文献
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氧化钼掺杂氧化钨电致变色薄膜的显示特性 总被引:7,自引:0,他引:7
采用电子束蒸发工艺研究氧化钼掺杂氧化电致变色薄膜的显示特性。对氧化钼掺杂氧化钨电致变色薄膜的光谱特性、响应特性和循环伏安特性等显示特性进行了测试。 相似文献
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纳米ZnO掺杂压敏电阻电位梯度与显微组织研究 总被引:1,自引:0,他引:1
在制备ZnO压敏电阻的原料中加入纳米级ZnO粉料,研究了纳米级粉料对ZnO压敏电阻的压敏电位梯度的影响,并对其微观组织进行了分析研究,从理论上探讨了纳米ZnO影响ZnO压敏电阻压敏电位梯度与组织的机理.研究结果表明,压敏电阻中加入纳米ZnO后,其压敏电位梯度显著提高,纳米ZnO(质量分数)在0-30%的成分范围内,随着纳米ZnO含量的增加,ZnO压敏电阻的压敏电位梯度明显提高.其原因是纳米ZnO加入到ZnO压敏电阻中,使晶粒尺寸减小所致. 相似文献
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添加尖晶石对氧化锌压敏电阻性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
通过添加尖晶石(Zn7Sb2O(12))改性研制出电位梯度为100V/mm左右,压敏电压在82~150V,通流容量可达1600A/cm2,漏电流<2μA系列压敏电阻器,从而满足了国内电话交换机行业对82V、100V、120V、150V压敏电阻器的电性能要求。从工艺的角度解释了尖晶石对氧化锌瓷晶粒的作用原理,并分析了尖晶石的微观结构及粒度对瓷片电性能的影响。 相似文献
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氧化物半导体透明导电薄膜的最佳掺杂含量理论计算 总被引:27,自引:0,他引:27
以铝掺杂氧化锌 (Al- doped Zn O,简称 AZO)和锡掺杂氧化铟 (Sn- doped In2 O3,简称 ITO)薄膜为例 ,建立了一个氧化物半导体透明导电薄膜的最佳掺杂含量的理论表达式 ,定量计算的结果 AZO陶瓷靶材中铝含量的理论最佳值为 C≈ 2 .9894% (wt) ,ITO陶瓷靶材中锡含量的理论最佳值为 C≈ 10 .3114% (wt) ,与实验数据相符合 .该理论经适当的修改和解释后也适用于某些其他电子薄膜材料的最佳掺杂含量问题 相似文献
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本文对多晶硅膜离子注入掺杂和扩散掺杂制备浅发射结进行了实验研究。针对新型薄发射极晶闸管特性改善对薄发射极参数的要求,重点研究了采用不同方法时退火条件对薄发射区掺杂剖面、结深以及杂质总量的影响。管芯研究结果表明,在适当的退火条件下,离子注入掺杂制备浅结是改善器件特性较为理想的方法。 相似文献